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自营现货库存

图片	品牌型号	描述	价格（含税）	库存	关键参数
	UF3SC120016K4S Qorvo US Inc. 授权代理品牌	下载数据手册未分类	+1：￥806.454381 +210：￥321.786247 +510：￥311.033813 +990：￥305.72316	库存： 1000 + 国内：1~2 天立即购买	暂无参数

图片	品牌型号	描述	价格（含税）	库存	关键参数
	UF3SC120016K4S UnitedSiC(碳化硅（SiC）功率半导体制造商) 授权代理品牌	SICFET N-CH 1200V 107A TO247-4 下载数据手册未分类	+1：￥604.798842 +10：￥568.128133 +30：￥558.01944 +120：￥509.411806	库存： 1000 + 国内：1~2 天立即购买	品牌： UnitedSiC 包装：管件封装/外壳： * 系列：零件状态：在售 FET 类型： N 通道技术： SiCFET（共源共栅 SiCJFET）漏源电压（Vdss）： 1200 V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 107A（Tc）驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）： 12V 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 21毫欧 50A，12V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 6V 10mA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 218 nC 15 V Vgs（最大值）： ±20V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 7824 pF 800 V FET 功能： - 功率耗散（最大值）： 517W（Tc）工作温度： -55°C # 175°C（TJ）安装类型：通孔供应商器件封装： TO-247-4 封装/外壳： TO-247-4 温度： -55°C # 175°C（TJ）

自营国内现货

图片	品牌型号	描述	价格（含税）	库存	关键参数
	UF3SC120016K4S UnitedSiC(碳化硅（SiC）功率半导体制造商) 授权代理品牌	SICFET N-CH 1200V 107A TO247-4 下载数据手册晶体管-FET，MOSFET-单个	+1：￥226.263779	库存： 1000 + 国内：1~2 天立即购买	品牌： UnitedSiC 包装：管件封装/外壳： * 系列：零件状态：在售 FET 类型： N 通道技术： SiCFET（共源共栅 SiCJFET）漏源电压（Vdss）： 1200 V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 107A（Tc）驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）： 12V 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 21毫欧 50A，12V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 6V 10mA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 218 nC 15 V Vgs（最大值）： ±20V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 7824 pF 800 V FET 功能： - 功率耗散（最大值）： 517W（Tc）工作温度： -55°C # 175°C（TJ）安装类型：通孔供应商器件封装： TO-247-4 封装/外壳： TO-247-4 温度： -55°C # 175°C（TJ）

Digi-Key

图片	品牌型号	描述	价格（含税）	库存	关键参数
	UF3SC120016K4S UnitedSiC(碳化硅（SiC）功率半导体制造商) 授权代理品牌	SICFET N-CH 1200V 107A TO247-4 下载数据手册晶体管-FET，MOSFET-单个	+1：￥553.501156	库存： 0 货期：7~10 天联系客服	品牌： UnitedSiC 包装：管件封装/外壳： * 系列：零件状态：在售 FET 类型： N 通道技术： SiCFET（共源共栅 SiCJFET）漏源电压（Vdss）： 1200 V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 107A（Tc）驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）： 12V 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 21毫欧 50A，12V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 6V 10mA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 218 nC 15 V Vgs（最大值）： ±20V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 7824 pF 800 V FET 功能： - 功率耗散（最大值）： 517W（Tc）工作温度： -55°C # 175°C（TJ）安装类型：通孔供应商器件封装： TO-247-4 封装/外壳： TO-247-4 温度： -55°C # 175°C（TJ）

Mouser

图片	品牌型号	描述	价格（含税）	库存	关键参数
	UF3SC120016K4S UnitedSiC(碳化硅（SiC）功率半导体制造商) 授权代理品牌	SICFET N-CH 1200V 107A TO247-4 下载数据手册未分类	+1：￥843.428871 +25：￥766.011117 +100：￥690.226648 +250：￥655.764314	库存： 0 货期：7~10 天联系客服	品牌： UnitedSiC 包装：管件封装/外壳： * 系列：零件状态：在售 FET 类型： N 通道技术： SiCFET（共源共栅 SiCJFET）漏源电压（Vdss）： 1200 V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 107A（Tc）驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）： 12V 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 21毫欧 50A，12V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 6V 10mA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 218 nC 15 V Vgs（最大值）： ±20V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 7824 pF 800 V FET 功能： - 功率耗散（最大值）： 517W（Tc）工作温度： -55°C # 175°C（TJ）安装类型：通孔供应商器件封装： TO-247-4 封装/外壳： TO-247-4 温度： -55°C # 175°C（TJ）

图片	品牌型号	描述	价格（含税）	库存	关键参数
	UF3SC120016K4S Qorvo 授权代理品牌	碳化硅肖特基二极管, 1.2KV, 107A, TO-247 下载数据手册未分类	+1：￥486.26893 +5：￥463.960076 +10：￥441.638399 +50：￥425.47089	库存： 0 货期：7~10 天联系客服	暂无参数

图片	品牌型号	描述	价格（含税）	库存	关键参数
	UF3SC120016K4S Qorvo 授权代理品牌	SIC SCHOTTKY DIODE, 1.2KV, 107A, TO-247 下载数据手册未分类	+1：￥512.814042 +5：￥489.280813 +10：￥465.735515 +50：￥434.978022	库存： 0 货期：7~10 天联系客服	暂无参数

UF3SC120016K4S参数规格

属性	参数值
品牌:	UnitedSiC
包装:	管件
封装/外壳:	*
系列:
零件状态:	在售
FET 类型:	N 通道
技术:	SiCFET（共源共栅 SiCJFET）
漏源电压（Vdss）:	1200 V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):	107A（Tc）
驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:	12V
不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:	21毫欧 50A，12V
不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:	6V 10mA
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）:	218 nC 15 V
Vgs（最大值）:	±20V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:	7824 pF 800 V
FET 功能:	-
功率耗散（最大值）:	517W（Tc）
工作温度:	-55°C # 175°C（TJ）
安装类型:	通孔
供应商器件封装:	TO-247-4
封装/外壳:	TO-247-4
温度:	-55°C # 175°C（TJ）