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自营 现货库存
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UF3C120040K3S_未分类
UF3C120040K3S
授权代理品牌
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¥389.141939

+210:

¥155.276507

+510:

¥150.086053

+990:

¥147.518145

库存: 1000 +

国内:1~2 天

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自营 国内现货
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UF3C120040K3S_晶体管-FET,MOSFET-单个

1200V 40 MOHM SIC CASCODE FAST,

晶体管-FET,MOSFET-单个

+1:

¥170.543171

+25:

¥148.216838

+100:

¥127.892369

+250:

¥117.760967

+500:

¥114.211393

库存: 1000 +

国内:1~2 天

品牌: UnitedSiC

包装: 管件

封装/外壳: *

系列:

零件状态: 在售

FET 类型: N 通道

技术: SiCFET(共源共栅 SiCJFET)

漏源电压(Vdss): 1200 V

25°C 时电流 - 连续漏极 (Id): 65A(Tc)

驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On): 12V

不同 Id、Vgs 时导通电阻(最大值): 45毫欧 40A,12V

不同 Id 时 Vgs(th)(最大值): 6V 10mA

不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)(最大值): 51 nC 15 V

Vgs(最大值): ±25V

不同 Vds 时输入电容 (Ciss)(最大值): 1500 pF 100 V

FET 功能: -

功率耗散(最大值): 429W(Tc)

工作温度: -55°C # 175°C(TJ)

安装类型: 通孔

供应商器件封装: TO-247-3

封装/外壳: TO-247-3

温度: -55°C # 175°C(TJ)

Digi-Key
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UF3C120040K3S_晶体管-FET,MOSFET-单个

1200V 40 MOHM SIC CASCODE FAST,

晶体管-FET,MOSFET-单个

+1:

¥417.193786

+25:

¥362.577657

+100:

¥312.858624

+250:

¥288.074529

+500:

¥279.391329

库存: 0

货期:7~10 天

品牌: UnitedSiC

包装: 管件

封装/外壳: *

系列:

零件状态: 在售

FET 类型: N 通道

技术: SiCFET(共源共栅 SiCJFET)

漏源电压(Vdss): 1200 V

25°C 时电流 - 连续漏极 (Id): 65A(Tc)

驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On): 12V

不同 Id、Vgs 时导通电阻(最大值): 45毫欧 40A,12V

不同 Id 时 Vgs(th)(最大值): 6V 10mA

不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)(最大值): 51 nC 15 V

Vgs(最大值): ±25V

不同 Vds 时输入电容 (Ciss)(最大值): 1500 pF 100 V

FET 功能: -

功率耗散(最大值): 429W(Tc)

工作温度: -55°C # 175°C(TJ)

安装类型: 通孔

供应商器件封装: TO-247-3

封装/外壳: TO-247-3

温度: -55°C # 175°C(TJ)

Mouser
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UF3C120040K3S_晶体管
UF3C120040K3S

1200V 40 MOHM SIC CASCODE FAST,

晶体管

+1:

¥452.2155

+25:

¥393.014571

+100:

¥339.120168

+250:

¥312.25588

+600:

¥302.96946

库存: 0

货期:7~10 天

品牌: UnitedSiC

包装: 管件

封装/外壳: *

系列:

零件状态: 在售

FET 类型: N 通道

技术: SiCFET(共源共栅 SiCJFET)

漏源电压(Vdss): 1200 V

25°C 时电流 - 连续漏极 (Id): 65A(Tc)

驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On): 12V

不同 Id、Vgs 时导通电阻(最大值): 45毫欧 40A,12V

不同 Id 时 Vgs(th)(最大值): 6V 10mA

不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)(最大值): 51 nC 15 V

Vgs(最大值): ±25V

不同 Vds 时输入电容 (Ciss)(最大值): 1500 pF 100 V

FET 功能: -

功率耗散(最大值): 429W(Tc)

工作温度: -55°C # 175°C(TJ)

安装类型: 通孔

供应商器件封装: TO-247-3

封装/外壳: TO-247-3

温度: -55°C # 175°C(TJ)

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UF3C120040K3S_未分类
UF3C120040K3S
授权代理品牌

碳化硅肖特基 二极管, 1.2KV, 65A, TO-247

未分类

+1:

¥228.629389

+5:

¥213.66225

+10:

¥198.707796

+50:

¥193.811766

库存: 0

货期:7~10 天

暂无参数
图片品牌型号描述价格(含税)库存关键参数
UF3C120040K3S_未分类
UF3C120040K3S
授权代理品牌

SIC SCHOTTKY DIODE, 1.2KV, 65A, TO-247

未分类

+1:

¥246.99417

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¥230.833156

+10:

¥214.672142

+50:

¥204.302158

库存: 0

货期:7~10 天

暂无参数

UF3C120040K3S参数规格

属性 参数值
品牌: UnitedSiC
包装: 管件
封装/外壳: *
系列:
零件状态: 在售
FET 类型: N 通道
技术: SiCFET(共源共栅 SiCJFET)
漏源电压(Vdss): 1200 V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id): 65A(Tc)
驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On): 12V
不同 Id、Vgs 时导通电阻(最大值): 45毫欧 40A,12V
不同 Id 时 Vgs(th)(最大值): 6V 10mA
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)(最大值): 51 nC 15 V
Vgs(最大值): ±25V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)(最大值): 1500 pF 100 V
FET 功能: -
功率耗散(最大值): 429W(Tc)
工作温度: -55°C # 175°C(TJ)
安装类型: 通孔
供应商器件封装: TO-247-3
封装/外壳: TO-247-3
温度: -55°C # 175°C(TJ)