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图片	品牌型号	描述	价格（含税）	库存	关键参数
	UJ3C120070K3S UnitedSiC(碳化硅（SiC）功率半导体制造商) 授权代理品牌	SICFET N-CH 1200V 34.5A TO247-3 下载数据手册未分类	+10：￥121.742478 +100：￥102.823649	库存： 1000 + 国内：1~2 天立即购买	品牌： UnitedSiC 包装：管件封装/外壳： * 系列：零件状态：在售 FET 类型： N 通道技术： SiCFET（共源共栅 SiCJFET）漏源电压（Vdss）： 1200 V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 34.5A（Tc）驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）： 12V 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 90毫欧 20A，12V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 6V 10mA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 46 nC 15 V Vgs（最大值）： ±25V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 1500 pF 100 V FET 功能： - 功率耗散（最大值）： 254.2W（Tc）工作温度： -55°C # 175°C（TJ）安装类型：通孔供应商器件封装： TO-247-3 封装/外壳： TO-247-3 温度： -55°C # 175°C（TJ）
	UJ3C120070K3S 华轩阳电子(华轩阳电子) 授权代理品牌	UJ3C120070K3S HXY MOSFET/深圳华轩阳电子下载数据手册未分类	+30：￥69.094238 +90：￥67.942748 +150：￥66.215224	库存： 1000 + 国内：1~2 天立即购买	暂无参数

自营国内现货

图片	品牌型号	描述	价格（含税）	库存	关键参数
	UJ3C120070K3S UnitedSiC(碳化硅（SiC）功率半导体制造商) 授权代理品牌	SICFET N-CH 1200V 34.5A TO247-3 下载数据手册晶体管-FET，MOSFET-单个	+1：￥87.241355 +25：￥76.985023 +100：￥66.728692 +250：￥56.597438	库存： 1000 + 国内：1~2 天立即购买	品牌： UnitedSiC 包装：管件封装/外壳： * 系列：零件状态：在售 FET 类型： N 通道技术： SiCFET（共源共栅 SiCJFET）漏源电压（Vdss）： 1200 V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 34.5A（Tc）驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）： 12V 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 90毫欧 20A，12V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 6V 10mA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 46 nC 15 V Vgs（最大值）： ±25V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 1500 pF 100 V FET 功能： - 功率耗散（最大值）： 254.2W（Tc）工作温度： -55°C # 175°C（TJ）安装类型：通孔供应商器件封装： TO-247-3 封装/外壳： TO-247-3 温度： -55°C # 175°C（TJ）

Digi-Key

图片	品牌型号	描述	价格（含税）	库存	关键参数
	UJ3C120070K3S UnitedSiC(碳化硅（SiC）功率半导体制造商) 授权代理品牌	SICFET N-CH 1200V 34.5A TO247-3 下载数据手册晶体管-FET，MOSFET-单个	+1：￥206.684563 +25：￥179.605979 +100：￥154.976707 +250：￥142.73688 +500：￥138.45265	库存： 0 货期：7~10 天联系客服	品牌： UnitedSiC 包装：管件封装/外壳： * 系列：零件状态：在售 FET 类型： N 通道技术： SiCFET（共源共栅 SiCJFET）漏源电压（Vdss）： 1200 V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 34.5A（Tc）驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）： 12V 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 90毫欧 20A，12V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 6V 10mA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 46 nC 15 V Vgs（最大值）： ±25V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 1500 pF 100 V FET 功能： - 功率耗散（最大值）： 254.2W（Tc）工作温度： -55°C # 175°C（TJ）安装类型：通孔供应商器件封装： TO-247-3 封装/外壳： TO-247-3 温度： -55°C # 175°C（TJ）

Mouser

图片	品牌型号	描述	价格（含税）	库存	关键参数
	UJ3C120070K3S UnitedSiC(碳化硅（SiC）功率半导体制造商) 授权代理品牌	SICFET N-CH 1200V 34.5A TO247-3 下载数据手册未分类	+1：￥224.034888 +25：￥194.683167 +100：￥167.984709 +250：￥154.718395 +600：￥150.075184	库存： 0 货期：7~10 天联系客服	品牌： UnitedSiC 包装：管件封装/外壳： * 系列：零件状态：在售 FET 类型： N 通道技术： SiCFET（共源共栅 SiCJFET）漏源电压（Vdss）： 1200 V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 34.5A（Tc）驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）： 12V 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 90毫欧 20A，12V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 6V 10mA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 46 nC 15 V Vgs（最大值）： ±25V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 1500 pF 100 V FET 功能： - 功率耗散（最大值）： 254.2W（Tc）工作温度： -55°C # 175°C（TJ）安装类型：通孔供应商器件封装： TO-247-3 封装/外壳： TO-247-3 温度： -55°C # 175°C（TJ）

图片	品牌型号	描述	价格（含税）	库存	关键参数
	UJ3C120070K3S Qorvo 授权代理品牌	碳化硅肖特基二极管, 1.2KV, 34.5A, TO-247 下载数据手册未分类	+1：￥135.229278 +5：￥127.297128 +10：￥119.338584 +50：￥111.393237 +100：￥104.609335	库存： 0 货期：7~10 天联系客服	暂无参数

图片	品牌型号	描述	价格（含税）	库存	关键参数
	UJ3C120070K3S Qorvo 授权代理品牌	SIC SCHOTTKY DIODE, 1.2KV, 34.5A, TO-247 下载数据手册未分类	+1：￥143.093437 +5：￥134.682783 +10：￥126.272127 +50：￥117.861474 +100：￥109.450819	库存： 0 货期：7~10 天联系客服	暂无参数

UJ3C120070K3S参数规格

属性	参数值
品牌:	UnitedSiC
包装:	管件
封装/外壳:	*
系列:
零件状态:	在售
FET 类型:	N 通道
技术:	SiCFET（共源共栅 SiCJFET）
漏源电压（Vdss）:	1200 V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):	34.5A（Tc）
驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:	12V
不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:	90毫欧 20A，12V
不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:	6V 10mA
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）:	46 nC 15 V
Vgs（最大值）:	±25V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:	1500 pF 100 V
FET 功能:	-
功率耗散（最大值）:	254.2W（Tc）
工作温度:	-55°C # 175°C（TJ）
安装类型:	通孔
供应商器件封装:	TO-247-3
封装/外壳:	TO-247-3
温度:	-55°C # 175°C（TJ）