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图片品牌型号描述价格(含税)库存关键参数
UF3SC065030D8S_晶体管-FET,MOSFET-单个

650V/30MOHM, SIC, STACKED FAST C

晶体管-FET,MOSFET-单个

+2500:

¥120.47123

+5000:

¥115.652382

库存: 0

货期:7~10 天

品牌: UnitedSiC

包装: 剪切带(CT),卷带(TR)

封装/外壳: *

系列:

零件状态: 停产

FET 类型: N 通道

技术: SiCFET(共源共栅 SiCJFET)

漏源电压(Vdss): 650 V

25°C 时电流 - 连续漏极 (Id): 18A(Tc)

驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On): 12V

不同 Id、Vgs 时导通电阻(最大值): 42毫欧 20A,12V

不同 Id 时 Vgs(th)(最大值): 6V 10mA

不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)(最大值): 43 nC 12 V

Vgs(最大值): ±25V

不同 Vds 时输入电容 (Ciss)(最大值): 1500 pF 100 V

FET 功能: -

功率耗散(最大值): 179W(Tc)

工作温度: -55°C # 150°C(TJ)

安装类型: 表面贴装型

供应商器件封装: 4-DFN(8x8)

封装/外壳: 4-PowerTSFN

温度: -55°C # 150°C(TJ)

UF3SC065030D8S_晶体管-FET,MOSFET-单个

650V/30MOHM, SIC, STACKED FAST C

晶体管-FET,MOSFET-单个

+1:

¥202.391668

+10:

¥186.00758

+25:

¥178.297422

+100:

¥154.203175

+250:

¥149.384327

库存: 0

货期:7~10 天

系列: -

工作温度: -55°C # 150°C (TJ)

安装类型: Surface Mount

封装/外壳: 4-PowerTSFN

供应商器件封装: 4-DFN (8x8)

UF3SC065030D8S_晶体管-FET,MOSFET-单个

650V/30MOHM, SIC, STACKED FAST C

晶体管-FET,MOSFET-单个

库存: 0

货期:7~10 天

系列: -

工作温度: -55°C # 150°C (TJ)

安装类型: Surface Mount

封装/外壳: 4-PowerTSFN

供应商器件封装: 4-DFN (8x8)

UF3SC065030D8S参数规格

属性 参数值
品牌: UnitedSiC
包装: 剪切带(CT),卷带(TR)
封装/外壳: *
系列:
零件状态: 停产
FET 类型: N 通道
技术: SiCFET(共源共栅 SiCJFET)
漏源电压(Vdss): 650 V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id): 18A(Tc)
驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On): 12V
不同 Id、Vgs 时导通电阻(最大值): 42毫欧 20A,12V
不同 Id 时 Vgs(th)(最大值): 6V 10mA
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)(最大值): 43 nC 12 V
Vgs(最大值): ±25V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)(最大值): 1500 pF 100 V
FET 功能: -
功率耗散(最大值): 179W(Tc)
工作温度: -55°C # 150°C(TJ)
安装类型: 表面贴装型
供应商器件封装: 4-DFN(8x8)
封装/外壳: 4-PowerTSFN
温度: -55°C # 150°C(TJ)