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自营 国内现货
图片品牌型号描述价格(含税)库存关键参数
UF3C120150K3S_晶体管-FET,MOSFET-单个

SICFET N-CH 1200V 18.4A TO247-3

晶体管-FET,MOSFET-单个

库存: 1000 +

国内:1~2 天

品牌: UnitedSiC

包装: 管件

封装/外壳: *

系列:

零件状态: 停产

FET 类型: N 通道

技术: SiCFET(共源共栅 SiCJFET)

漏源电压(Vdss): 1200 V

25°C 时电流 - 连续漏极 (Id): 18.4A(Tc)

驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On): -

不同 Id、Vgs 时导通电阻(最大值): -

不同 Id 时 Vgs(th)(最大值): -

不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)(最大值): -

Vgs(最大值): -

不同 Vds 时输入电容 (Ciss)(最大值): -

FET 功能: -

功率耗散(最大值): -

工作温度: -

安装类型: 通孔

供应商器件封装: TO-247-3

封装/外壳: TO-247-3

温度: -

Digi-Key
图片品牌型号描述价格(含税)库存关键参数
UF3C120150K3S_晶体管-FET,MOSFET-单个

SICFET N-CH 1200V 18.4A TO247-3

晶体管-FET,MOSFET-单个

库存: 0

货期:7~10 天

品牌: UnitedSiC

包装: 管件

封装/外壳: *

系列:

零件状态: 停产

FET 类型: N 通道

技术: SiCFET(共源共栅 SiCJFET)

漏源电压(Vdss): 1200 V

25°C 时电流 - 连续漏极 (Id): 18.4A(Tc)

驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On): -

不同 Id、Vgs 时导通电阻(最大值): -

不同 Id 时 Vgs(th)(最大值): -

不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)(最大值): -

Vgs(最大值): -

不同 Vds 时输入电容 (Ciss)(最大值): -

FET 功能: -

功率耗散(最大值): -

工作温度: -

安装类型: 通孔

供应商器件封装: TO-247-3

封装/外壳: TO-247-3

温度: -

UF3C120150K3S参数规格

属性 参数值
品牌: UnitedSiC
包装: 管件
封装/外壳: *
系列:
零件状态: 停产
FET 类型: N 通道
技术: SiCFET(共源共栅 SiCJFET)
漏源电压(Vdss): 1200 V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id): 18.4A(Tc)
驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On): -
不同 Id、Vgs 时导通电阻(最大值): -
不同 Id 时 Vgs(th)(最大值): -
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)(最大值): -
Vgs(最大值): -
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)(最大值): -
FET 功能: -
功率耗散(最大值): -
工作温度: -
安装类型: 通孔
供应商器件封装: TO-247-3
封装/外壳: TO-247-3
温度: -