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图片	品牌型号	描述	价格（含税）	库存	关键参数
	UJ3C120150K3S UnitedSiC(碳化硅（SiC）功率半导体制造商) 授权代理品牌	SICFET N-CH 1200V 18.4A TO247-3 下载数据手册未分类	+1：￥111.284763 +10：￥100.525509 +30：￥97.8884 +120：￥83.120751 +510：￥72.466964	库存： 1000 + 国内：1~2 天立即购买	品牌： UnitedSiC 包装：管件封装/外壳： * 系列：零件状态：在售 FET 类型： N 通道技术： SiCFET（共源共栅 SiCJFET）漏源电压（Vdss）： 1200 V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 18.4A（Tc）驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）： 12V 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 180毫欧 5A，12V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 5.5V 10mA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 30 nC 15 V Vgs（最大值）： ±25V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 738 pF 100 V FET 功能： - 功率耗散（最大值）： 166.7W（Tc）工作温度： -55°C # 175°C（TJ）安装类型：通孔供应商器件封装： TO-247-3 封装/外壳： TO-247-3 温度： -55°C # 175°C（TJ）

自营国内现货

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	UJ3C120150K3S UnitedSiC(碳化硅（SiC）功率半导体制造商) 授权代理品牌	SICFET N-CH 1200V 18.4A TO247-3 下载数据手册晶体管-FET，MOSFET-单个	+1：￥75.560683 +10：￥68.258082 +100：￥56.512267 +500：￥49.210214 +1000：￥42.860514	库存： 1000 + 国内：1~2 天立即购买	品牌： UnitedSiC 包装：管件封装/外壳： * 系列：零件状态：在售 FET 类型： N 通道技术： SiCFET（共源共栅 SiCJFET）漏源电压（Vdss）： 1200 V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 18.4A（Tc）驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）： 12V 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 180毫欧 5A，12V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 5.5V 10mA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 30 nC 15 V Vgs（最大值）： ±25V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 738 pF 100 V FET 功能： - 功率耗散（最大值）： 166.7W（Tc）工作温度： -55°C # 175°C（TJ）安装类型：通孔供应商器件封装： TO-247-3 封装/外壳： TO-247-3 温度： -55°C # 175°C（TJ）

Digi-Key

图片	品牌型号	描述	价格（含税）	库存	关键参数
	UJ3C120150K3S UnitedSiC(碳化硅（SiC）功率半导体制造商) 授权代理品牌	SICFET N-CH 1200V 18.4A TO247-3 下载数据手册晶体管-FET，MOSFET-单个	+1：￥130.568608 +10：￥117.949738 +100：￥97.653007 +500：￥85.035085 +1000：￥74.062824	库存： 0 货期：7~10 天联系客服	品牌： UnitedSiC 包装：管件封装/外壳： * 系列：零件状态：在售 FET 类型： N 通道技术： SiCFET（共源共栅 SiCJFET）漏源电压（Vdss）： 1200 V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 18.4A（Tc）驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）： 12V 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 180毫欧 5A，12V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 5.5V 10mA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 30 nC 15 V Vgs（最大值）： ±25V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 738 pF 100 V FET 功能： - 功率耗散（最大值）： 166.7W（Tc）工作温度： -55°C # 175°C（TJ）安装类型：通孔供应商器件封装： TO-247-3 封装/外壳： TO-247-3 温度： -55°C # 175°C（TJ）

Mouser

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	UJ3C120150K3S UnitedSiC(碳化硅（SiC）功率半导体制造商) 授权代理品牌	SICFET N-CH 1200V 18.4A TO247-3 下载数据手册未分类	+1：￥141.360866 +10：￥127.755394 +120：￥105.714527 +510：￥91.972999 +1020：￥83.401551	库存： 0 货期：7~10 天联系客服	品牌： UnitedSiC 包装：管件封装/外壳： * 系列：零件状态：在售 FET 类型： N 通道技术： SiCFET（共源共栅 SiCJFET）漏源电压（Vdss）： 1200 V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 18.4A（Tc）驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）： 12V 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 180毫欧 5A，12V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 5.5V 10mA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 30 nC 15 V Vgs（最大值）： ±25V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 738 pF 100 V FET 功能： - 功率耗散（最大值）： 166.7W（Tc）工作温度： -55°C # 175°C（TJ）安装类型：通孔供应商器件封装： TO-247-3 封装/外壳： TO-247-3 温度： -55°C # 175°C（TJ）

UJ3C120150K3S参数规格

属性	参数值
品牌:	UnitedSiC
包装:	管件
封装/外壳:	*
系列:
零件状态:	在售
FET 类型:	N 通道
技术:	SiCFET（共源共栅 SiCJFET）
漏源电压（Vdss）:	1200 V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):	18.4A（Tc）
驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:	12V
不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:	180毫欧 5A，12V
不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:	5.5V 10mA
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）:	30 nC 15 V
Vgs（最大值）:	±25V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:	738 pF 100 V
FET 功能:	-
功率耗散（最大值）:	166.7W（Tc）
工作温度:	-55°C # 175°C（TJ）
安装类型:	通孔
供应商器件封装:	TO-247-3
封装/外壳:	TO-247-3
温度:	-55°C # 175°C（TJ）