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自营 国内现货
图片品牌型号描述价格(含税)库存关键参数
US6J2TR_射频晶体管
授权代理品牌

MOSFET 2P-CH 20V 1A TUMT6

射频晶体管

+1:

¥4.796771

库存: 1000 +

国内:1~2 天

品牌: Rohm Semiconductor

包装: 剪切带(CT),卷带(TR)

封装/外壳: *

系列:

零件状态: 在售

FET 类型: 2 个 P 沟道(双)

FET 功能: 逻辑电平门

漏源电压(Vdss): 20V

25°C 时电流 - 连续漏极 (Id): 1A

不同 Id、Vgs 时导通电阻(最大值): 390 毫欧 1A,4.5V

不同 Id 时 Vgs(th)(最大值): 2V 1mA

不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)(最大值): 2.1nC 4.5V

不同 Vds 时输入电容 (Ciss)(最大值): 150pF 10V

功率 - 最大值: 1W

工作温度: 150°C(TJ)

安装类型: 表面贴装型

封装/外壳: 6-SMD,扁平引线

供应商器件封装: TUMT6

温度: 150°C(TJ)

Digi-Key
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US6J2TR_射频晶体管
授权代理品牌

MOSFET 2P-CH 20V 1A TUMT6

射频晶体管

+3000:

¥3.160663

+6000:

¥2.942699

+15000:

¥2.833655

+30000:

¥2.724737

库存: 0

货期:7~10 天

品牌: Rohm Semiconductor

包装: 剪切带(CT),卷带(TR)

封装/外壳: *

系列:

零件状态: 在售

FET 类型: 2 个 P 沟道(双)

FET 功能: 逻辑电平门

漏源电压(Vdss): 20V

25°C 时电流 - 连续漏极 (Id): 1A

不同 Id、Vgs 时导通电阻(最大值): 390 毫欧 1A,4.5V

不同 Id 时 Vgs(th)(最大值): 2V 1mA

不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)(最大值): 2.1nC 4.5V

不同 Vds 时输入电容 (Ciss)(最大值): 150pF 10V

功率 - 最大值: 1W

工作温度: 150°C(TJ)

安装类型: 表面贴装型

封装/外壳: 6-SMD,扁平引线

供应商器件封装: TUMT6

温度: 150°C(TJ)

US6J2TR_射频晶体管
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MOSFET 2P-CH 20V 1A TUMT6

射频晶体管

+1:

¥8.203614

+10:

¥7.193939

+100:

¥5.515354

+500:

¥4.359528

+1000:

¥3.487672

库存: 0

货期:7~10 天

系列: -

安装类型: Surface Mount

工作温度: 150°C (TJ)

封装/外壳: 6-SMD, Flat Leads

供应商器件封装: TUMT6

US6J2TR_射频晶体管
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MOSFET 2P-CH 20V 1A TUMT6

射频晶体管

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¥7.193939

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货期:7~10 天

系列: -

安装类型: Surface Mount

工作温度: 150°C (TJ)

封装/外壳: 6-SMD, Flat Leads

供应商器件封装: TUMT6

Mouser
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US6J2TR_射频晶体管
US6J2TR
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MOSFET 2P-CH 20V 1A TUMT6

射频晶体管

库存: 0

货期:7~10 天

品牌: Rohm Semiconductor

包装: 剪切带(CT),卷带(TR)

封装/外壳: *

系列:

零件状态: 在售

FET 类型: 2 个 P 沟道(双)

FET 功能: 逻辑电平门

漏源电压(Vdss): 20V

25°C 时电流 - 连续漏极 (Id): 1A

不同 Id、Vgs 时导通电阻(最大值): 390 毫欧 1A,4.5V

不同 Id 时 Vgs(th)(最大值): 2V 1mA

不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)(最大值): 2.1nC 4.5V

不同 Vds 时输入电容 (Ciss)(最大值): 150pF 10V

功率 - 最大值: 1W

工作温度: 150°C(TJ)

安装类型: 表面贴装型

封装/外壳: 6-SMD,扁平引线

供应商器件封装: TUMT6

温度: 150°C(TJ)

US6J2TR参数规格

属性 参数值
品牌: Rohm Semiconductor
包装: 剪切带(CT),卷带(TR)
封装/外壳: *
系列:
零件状态: 在售
FET 类型: 2 个 P 沟道(双)
FET 功能: 逻辑电平门
漏源电压(Vdss): 20V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id): 1A
不同 Id、Vgs 时导通电阻(最大值): 390 毫欧 1A,4.5V
不同 Id 时 Vgs(th)(最大值): 2V 1mA
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)(最大值): 2.1nC 4.5V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)(最大值): 150pF 10V
功率 - 最大值: 1W
工作温度: 150°C(TJ)
安装类型: 表面贴装型
封装/外壳: 6-SMD,扁平引线
供应商器件封装: TUMT6
温度: 150°C(TJ)