品牌: Renesas Electronics America Inc
包装: Bulk
封装/外壳: *
系列:
零件状态: Obsolete
FET 类型: N-Channel
技术: MOSFET (Metal Oxide)
漏源电压(Vdss): 20 V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id): 20A (Ta)
驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On): -
不同 Id、Vgs 时导通电阻(最大值): 5.8mOhm 20A, 4.5V
不同 Id 时 Vgs(th)(最大值): 1.5V 1mA
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)(最大值): 20 nC 4 V
Vgs(最大值): -
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)(最大值): 2450 pF 10 V
FET 功能: -
功率耗散(最大值): -
工作温度: -
安装类型: Surface Mount
供应商器件封装: 8-DFN3333 (3.3x3.3)
封装/外壳: 8-VDFN Exposed Pad
温度: -