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图片	品牌型号	描述	价格（含税）	库存	关键参数
	US5U29TR Rohm Semiconductor(罗姆) 授权代理品牌	MOSFET P-CH 20V 1A TUMT5 下载数据手册晶体管-FET，MOSFET-单个	+3000：￥1.705392	库存： 1000 + 国内：1~2 天立即购买	品牌： Rohm Semiconductor 包装：剪切带（CT）,卷带（TR）封装/外壳： * 系列：零件状态：在售 FET 类型： P 通道技术： MOSFET（金属氧化物）漏源电压（Vdss）： 20 V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 1A（Ta）驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）： 2.5V，4.5V 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 390 毫欧 1A，4.5V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 2V 1mA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 2.1 nC 5 V Vgs（最大值）： ±12V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 150 pF 10 V FET 功能：肖特基二极管（隔离式）功率耗散（最大值）： 1W（Ta）工作温度： 150°C（TJ）安装类型：表面贴装型供应商器件封装： TUMT5 封装/外壳： 6-SMD（5引线），扁引线温度： 150°C（TJ）

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品牌型号	描述	价格（含税）	库存	关键参数
US5U29TR Rohm Semiconductor(罗姆) 授权代理品牌	MOSFET P-CH 20V 1A TUMT5 下载数据手册晶体管-FET，MOSFET-单个	+3000：￥2.946912	库存： 0 货期：7~10 天联系客服	品牌： Rohm Semiconductor 包装：剪切带（CT）,卷带（TR）封装/外壳： * 系列：零件状态：在售 FET 类型： P 通道技术： MOSFET（金属氧化物）漏源电压（Vdss）： 20 V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 1A（Ta）驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）： 2.5V，4.5V 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 390 毫欧 1A，4.5V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 2V 1mA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 2.1 nC 5 V Vgs（最大值）： ±12V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 150 pF 10 V FET 功能：肖特基二极管（隔离式）功率耗散（最大值）： 1W（Ta）工作温度： 150°C（TJ）安装类型：表面贴装型供应商器件封装： TUMT5 封装/外壳： 6-SMD（5引线），扁引线温度： 150°C（TJ）
US5U29TR Rohm Semiconductor(罗姆) 授权代理品牌	MOSFET P-CH 20V 1A TUMT5 下载数据手册晶体管-FET，MOSFET-单个	1+: 需询价	库存： 0 货期：7~10 天联系客服	系列： - 工作温度： 150°C (TJ) 安装类型： Surface Mount 封装/外壳： 6-SMD (5 Leads), Flat Lead 供应商器件封装： TUMT5
US5U29TR Rohm Semiconductor(罗姆) 授权代理品牌	MOSFET P-CH 20V 1A TUMT5 下载数据手册晶体管-FET，MOSFET-单个	1+: 需询价	库存： 0 货期：7~10 天联系客服	系列： - 工作温度： 150°C (TJ) 安装类型： Surface Mount 封装/外壳： 6-SMD (5 Leads), Flat Lead 供应商器件封装： TUMT5

Mouser

图片	品牌型号	描述	价格（含税）	库存	关键参数
	US5U29TR Rohm Semiconductor(罗姆) 授权代理品牌	MOSFET P-CH 20V 1A TUMT5 下载数据手册晶体管	+：￥ +：￥ +：￥ +：￥ +：￥	库存： 0 货期：7~10 天联系客服	品牌： Rohm Semiconductor 包装：剪切带（CT）,卷带（TR）封装/外壳： * 系列：零件状态：在售 FET 类型： P 通道技术： MOSFET（金属氧化物）漏源电压（Vdss）： 20 V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 1A（Ta）驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）： 2.5V，4.5V 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 390 毫欧 1A，4.5V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 2V 1mA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 2.1 nC 5 V Vgs（最大值）： ±12V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 150 pF 10 V FET 功能：肖特基二极管（隔离式）功率耗散（最大值）： 1W（Ta）工作温度： 150°C（TJ）安装类型：表面贴装型供应商器件封装： TUMT5 封装/外壳： 6-SMD（5引线），扁引线温度： 150°C（TJ）

US5U29TR参数规格

属性	参数值
品牌:	Rohm Semiconductor
包装:	剪切带（CT）,卷带（TR）
封装/外壳:	*
系列:
零件状态:	在售
FET 类型:	P 通道
技术:	MOSFET（金属氧化物）
漏源电压（Vdss）:	20 V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):	1A（Ta）
驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:	2.5V，4.5V
不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:	390 毫欧 1A，4.5V
不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:	2V 1mA
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）:	2.1 nC 5 V
Vgs（最大值）:	±12V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:	150 pF 10 V
FET 功能:	肖特基二极管（隔离式）
功率耗散（最大值）:	1W（Ta）
工作温度:	150°C（TJ）
安装类型:	表面贴装型
供应商器件封装:	TUMT5
封装/外壳:	6-SMD（5引线），扁引线
温度:	150°C（TJ）