品牌： Renesas Electronics America Inc

包装： 卷带（TR）

封装/外壳： *

系列：

零件状态： 停产

FET 类型： P 通道

技术： MOSFET（金属氧化物）

漏源电压（Vdss）： 12 V

25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 7A（Ta）

驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）： 1.8V，4.5V

不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 59 毫欧 3.5A，1.8V

不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： -

不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 11.3 nC 4.5 V

Vgs（最大值）： ±8V

不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 1260 pF 10 V

FET 功能： -

功率耗散（最大值）： 2.5W（Ta）

工作温度： 150°C（TJ）

安装类型： 表面贴装型

供应商器件封装： 6-HUSON（2x2）

封装/外壳： 6-WFDFN 裸露焊盘

温度： 150°C（TJ）