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自营现货库存

图片	品牌型号	描述	价格（含税）	库存	关键参数
	UF3C170400K3S Qorvo US Inc. 授权代理品牌	下载数据手册未分类	+1：￥100.891484 +210：￥40.256063 +510：￥38.912008 +990：￥38.245445	库存： 1000 + 国内：1~2 天立即购买	暂无参数

图片	品牌型号	描述	价格（含税）	库存	关键参数
	UF3C170400K3S United Chemi-Con(日本贵弥功) 授权代理品牌	UF3C170400K3S United Silicon Carbide 下载数据手册未分类	+1：￥65.048448	库存： 1000 + 国内：1~2 天立即购买	暂无参数

自营国内现货

图片	品牌型号	描述	价格（含税）	库存	关键参数
	UF3C170400K3S UnitedSiC(碳化硅（SiC）功率半导体制造商) 授权代理品牌	SICFET N-CH 1700V 7.6A TO247-3 下载数据手册晶体管-FET，MOSFET-单个	+1：￥50.721488 +30：￥40.499476 +120：￥36.236714 +510：￥31.973718 +1020：￥28.776399	库存： 1000 + 国内：1~2 天立即购买	品牌： UnitedSiC 包装：管件封装/外壳： * 系列：零件状态：在售 FET 类型： N 通道技术： SiCFET（共源共栅 SiCJFET）漏源电压（Vdss）： 1700 V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 7.6A（Tc）驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）： 12V 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 515毫欧 5A，12V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 6V 10mA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 27.5 nC 15 V Vgs（最大值）： ±25V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 740 pF 100 V FET 功能： - 功率耗散（最大值）： 100W（Tc）工作温度： -55°C # 175°C（TJ）安装类型：通孔供应商器件封装： TO-247-3 封装/外壳： TO-247-3 温度： -55°C # 175°C（TJ）

Digi-Key

图片	品牌型号	描述	价格（含税）	库存	关键参数
	UF3C170400K3S UnitedSiC(碳化硅（SiC）功率半导体制造商) 授权代理品牌	SICFET N-CH 1700V 7.6A TO247-3 下载数据手册晶体管-FET，MOSFET-单个	+1：￥124.078197 +30：￥99.072449 +120：￥88.644603 +510：￥78.216186 +1020：￥70.394697	库存： 0 货期：7~10 天联系客服	品牌： UnitedSiC 包装：管件封装/外壳： * 系列：零件状态：在售 FET 类型： N 通道技术： SiCFET（共源共栅 SiCJFET）漏源电压（Vdss）： 1700 V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 7.6A（Tc）驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）： 12V 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 515毫欧 5A，12V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 6V 10mA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 27.5 nC 15 V Vgs（最大值）： ±25V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 740 pF 100 V FET 功能： - 功率耗散（最大值）： 100W（Tc）工作温度： -55°C # 175°C（TJ）安装类型：通孔供应商器件封装： TO-247-3 封装/外壳： TO-247-3 温度： -55°C # 175°C（TJ）

Mouser

图片	品牌型号	描述	价格（含税）	库存	关键参数
	UF3C170400K3S UnitedSiC(碳化硅（SiC）功率半导体制造商) 授权代理品牌	SICFET N-CH 1700V 7.6A TO247-3 下载数据手册未分类	+1：￥125.599691 +25：￥109.593488 +100：￥95.057243 +250：￥80.520998 +600：￥76.111126	库存： 0 货期：7~10 天联系客服	品牌： UnitedSiC 包装：管件封装/外壳： * 系列：零件状态：在售 FET 类型： N 通道技术： SiCFET（共源共栅 SiCJFET）漏源电压（Vdss）： 1700 V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 7.6A（Tc）驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）： 12V 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 515毫欧 5A，12V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 6V 10mA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 27.5 nC 15 V Vgs（最大值）： ±25V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 740 pF 100 V FET 功能： - 功率耗散（最大值）： 100W（Tc）工作温度： -55°C # 175°C（TJ）安装类型：通孔供应商器件封装： TO-247-3 封装/外壳： TO-247-3 温度： -55°C # 175°C（TJ）

图片	品牌型号	描述	价格（含税）	库存	关键参数
	UF3C170400K3S UnitedSiC 授权代理品牌	碳化硅肖特基二极管, 1.7KV, 7.6A, TO-247 下载数据手册未分类	+1：￥80.943353 +10：￥69.402423 +100：￥57.835352 +500：￥51.025811 +1000：￥50.82976	库存： 0 货期：7~10 天联系客服	暂无参数

图片	品牌型号	描述	价格（含税）	库存	关键参数
	UF3C170400K3S UnitedSiC 授权代理品牌	SIC SCHOTTKY DIODE, 1.7KV, 7.6A, TO-247 下载数据手册未分类	+1：￥86.658052 +10：￥74.2991 +100：￥61.915918 +500：￥54.633827 +1000：￥51.435044	库存： 0 货期：7~10 天联系客服	暂无参数

UF3C170400K3S参数规格

属性	参数值
品牌:	UnitedSiC
包装:	管件
封装/外壳:	*
系列:
零件状态:	在售
FET 类型:	N 通道
技术:	SiCFET（共源共栅 SiCJFET）
漏源电压（Vdss）:	1700 V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):	7.6A（Tc）
驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:	12V
不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:	515毫欧 5A，12V
不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:	6V 10mA
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）:	27.5 nC 15 V
Vgs（最大值）:	±25V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:	740 pF 100 V
FET 功能:	-
功率耗散（最大值）:	100W（Tc）
工作温度:	-55°C # 175°C（TJ）
安装类型:	通孔
供应商器件封装:	TO-247-3
封装/外壳:	TO-247-3
温度:	-55°C # 175°C（TJ）