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图片	品牌型号	描述	价格（含税）	库存	关键参数
	UF3C120400K3S UnitedSiC(碳化硅（SiC）功率半导体制造商) 授权代理品牌	1200V 400 MOHM SIC CASCODE FAST, 下载数据手册晶体管-FET，MOSFET-单个	+1：￥39.092615 +10：￥35.339724 +100：￥29.256334 +500：￥25.476223 +1000：￥22.4131	库存： 1000 + 国内：1~2 天立即购买	品牌： UnitedSiC 包装：管件封装/外壳： * 系列：零件状态：在售 FET 类型： N 通道技术： SiCFET（共源共栅 SiCJFET）漏源电压（Vdss）： 1200 V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 7.6A（Tc）驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）： 12V 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 515毫欧 5A，12V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 6V 10mA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 27 nC 15 V Vgs（最大值）： ±25V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 740 pF 100 V FET 功能： - 功率耗散（最大值）： 100W（Tc）工作温度： -55°C # 175°C（TJ）安装类型：通孔供应商器件封装： TO-247-3 封装/外壳： TO-247-3 温度： -55°C # 175°C（TJ）

Digi-Key

图片	品牌型号	描述	价格（含税）	库存	关键参数
	UF3C120400K3S UnitedSiC(碳化硅（SiC）功率半导体制造商) 授权代理品牌	1200V 400 MOHM SIC CASCODE FAST, 下载数据手册晶体管-FET，MOSFET-单个	+1：￥95.630892 +10：￥86.450329 +100：￥71.568744 +500：￥62.321592 +1000：￥54.82838	库存： 0 货期：7~10 天联系客服	品牌： UnitedSiC 包装：管件封装/外壳： * 系列：零件状态：在售 FET 类型： N 通道技术： SiCFET（共源共栅 SiCJFET）漏源电压（Vdss）： 1200 V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 7.6A（Tc）驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）： 12V 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 515毫欧 5A，12V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 6V 10mA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 27 nC 15 V Vgs（最大值）： ±25V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 740 pF 100 V FET 功能： - 功率耗散（最大值）： 100W（Tc）工作温度： -55°C # 175°C（TJ）安装类型：通孔供应商器件封装： TO-247-3 封装/外壳： TO-247-3 温度： -55°C # 175°C（TJ）
	UF3C120400K3S ON(安森美) 授权代理品牌	SICFET N-CH 1200V 7.6A TO247-3 下载数据手册未分类	+1：￥89.650003 +25：￥78.02304 +100：￥67.313995 +250：￥61.959473 +500：￥60.047144	库存： 0 货期：7~10 天联系客服	Packaging： Tube Package / Case： TO-247-3 Mounting Type： Through Hole Operating Temperature： -55°C ~ 175°C (TJ) Technology： SiCFET (Cascode SiCJFET) FET Type： N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C： 7.6A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs： 515mOhm @ 5A, 12V FET Feature： - Power Dissipation (Max)： 100W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id： 6V @ 10mA Supplier Device Package： TO-247-3 Grade： - Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)： 12V Vgs (Max)： ±25V Drain to Source Voltage (Vdss)： 1200 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs： 27 nC @ 15 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds： 740 pF @ 100 V Qualification： -

Mouser

图片	品牌型号	描述	价格（含税）	库存	关键参数
	UF3C120400K3S UnitedSiC(碳化硅（SiC）功率半导体制造商) 授权代理品牌	1200V 400 MOHM SIC CASCODE FAST, 下载数据手册晶体管	+1：￥99.627482 +25：￥93.920507 +100：￥80.223767 +250：￥67.994533 +600：￥64.407292	库存： 0 货期：7~10 天联系客服	品牌： UnitedSiC 包装：管件封装/外壳： * 系列：零件状态：在售 FET 类型： N 通道技术： SiCFET（共源共栅 SiCJFET）漏源电压（Vdss）： 1200 V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 7.6A（Tc）驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）： 12V 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 515毫欧 5A，12V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 6V 10mA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 27 nC 15 V Vgs（最大值）： ±25V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 740 pF 100 V FET 功能： - 功率耗散（最大值）： 100W（Tc）工作温度： -55°C # 175°C（TJ）安装类型：通孔供应商器件封装： TO-247-3 封装/外壳： TO-247-3 温度： -55°C # 175°C（TJ）

UF3C120400K3S参数规格

属性	参数值
品牌:	UnitedSiC
包装:	管件
封装/外壳:	*
系列:
零件状态:	在售
FET 类型:	N 通道
技术:	SiCFET（共源共栅 SiCJFET）
漏源电压（Vdss）:	1200 V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):	7.6A（Tc）
驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:	12V
不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:	515毫欧 5A，12V
不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:	6V 10mA
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）:	27 nC 15 V
Vgs（最大值）:	±25V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:	740 pF 100 V
FET 功能:	-
功率耗散（最大值）:	100W（Tc）
工作温度:	-55°C # 175°C（TJ）
安装类型:	通孔
供应商器件封装:	TO-247-3
封装/外壳:	TO-247-3
温度:	-55°C # 175°C（TJ）