| US1JHE3_A/H | DIODE GEN PURP 600V 1A DO214AC 未分类 | | | 品牌: Vishay General Semiconductor - Diodes Division 包装: 剪切带(CT),卷带(TR) 封装/外壳: * 系列: Automotive, AEC-Q101 零件状态: 在售 二极管类型: 标准 电压 - DC 反向 (Vr)(最大值): 600 V 电流 - 平均整流 (Io): 1A 不同 If 时电压 - 正向 (Vf): 1.7 V 1 A 速度: 快速恢复 =< 500ns,> 200mA(Io) 反向恢复时间 (trr): 75 ns 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏: 10 µA 600 V 不同 Vr、F 时电容: 10pF 4V,1MHz 安装类型: 表面贴装型 封装/外壳: DO-214AC,SMA 供应商器件封装: DO-214AC(SMA) 工作温度 - 结: -55°C # 150°C 温度: |
| US1JHE3_A/H | DIODE GEN PURP 600V 1A DO214AC 未分类 | | | 品牌: Vishay General Semiconductor - Diodes Division 包装: 剪切带(CT),卷带(TR) 封装/外壳: * 系列: Automotive, AEC-Q101 零件状态: 在售 二极管类型: 标准 电压 - DC 反向 (Vr)(最大值): 600 V 电流 - 平均整流 (Io): 1A 不同 If 时电压 - 正向 (Vf): 1.7 V 1 A 速度: 快速恢复 =< 500ns,> 200mA(Io) 反向恢复时间 (trr): 75 ns 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏: 10 µA 600 V 不同 Vr、F 时电容: 10pF 4V,1MHz 安装类型: 表面贴装型 封装/外壳: DO-214AC,SMA 供应商器件封装: DO-214AC(SMA) 工作温度 - 结: -55°C # 150°C 温度: |
| US1JHE3_A/H | DIODE GEN PURP 600V 1A DO214AC 二极管整流器 | | | 品牌: Vishay General Semiconductor - Diodes Division 包装: 剪切带(CT),卷带(TR) 封装/外壳: * 系列: Automotive, AEC-Q101 零件状态: 在售 二极管类型: 标准 电压 - DC 反向 (Vr)(最大值): 600 V 电流 - 平均整流 (Io): 1A 不同 If 时电压 - 正向 (Vf): 1.7 V 1 A 速度: 快速恢复 =< 500ns,> 200mA(Io) 反向恢复时间 (trr): 75 ns 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏: 10 µA 600 V 不同 Vr、F 时电容: 10pF 4V,1MHz 安装类型: 表面贴装型 封装/外壳: DO-214AC,SMA 供应商器件封装: DO-214AC(SMA) 工作温度 - 结: -55°C # 150°C 温度: |
| US1JHE3_A/H | DIODE GEN PURP 600V 1A DO214AC 二极管整流器 | | | 品牌: Vishay General Semiconductor - Diodes Division 包装: 剪切带(CT),卷带(TR) 封装/外壳: * 系列: Automotive, AEC-Q101 零件状态: 在售 二极管类型: 标准 电压 - DC 反向 (Vr)(最大值): 600 V 电流 - 平均整流 (Io): 1A 不同 If 时电压 - 正向 (Vf): 1.7 V 1 A 速度: 快速恢复 =< 500ns,> 200mA(Io) 反向恢复时间 (trr): 75 ns 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏: 10 µA 600 V 不同 Vr、F 时电容: 10pF 4V,1MHz 安装类型: 表面贴装型 封装/外壳: DO-214AC,SMA 供应商器件封装: DO-214AC(SMA) 工作温度 - 结: -55°C # 150°C 温度: |