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图片	品牌型号	描述	价格（含税）	库存	关键参数
	US1K-E3/5AT Vishay(威世) 授权代理品牌	DIODE GEN PURP 800V 1A DO214AC 下载数据手册二极管整流器	+100：￥2.277343 +500：￥1.7027 +1000：￥1.18119 +2500：￥1.117382 +7500：￥1.010994	库存： 1000 + 国内：1~2 天立即购买	品牌： Vishay General Semiconductor - Diodes Division 包装：剪切带（CT）,卷带（TR）封装/外壳： * 系列：零件状态：在售二极管类型：标准电压 - DC 反向 (Vr)（最大值）： 800 V 电流 - 平均整流 (Io)： 1A 不同 If 时电压 - 正向 (Vf)： 1.7 V 1 A 速度：快速恢复 =< 500ns，> 200mA（Io）反向恢复时间 (trr)： 75 ns 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏： 10 µA 800 V 不同 Vr、F 时电容： 10pF 4V，1MHz 安装类型：表面贴装型封装/外壳： DO-214AC，SMA 供应商器件封装： DO-214AC（SMA）工作温度 - 结： -55°C # 150°C 温度：

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	US1K-E3/5AT Vishay(威世) 授权代理品牌	DIODE GEN PURP 800V 1A DO214AC 下载数据手册二极管整流器	1+: 需询价	库存： 1000 + 国内：1~2 天立即购买	品牌： Vishay General Semiconductor - Diodes Division 包装：剪切带（CT）,卷带（TR）封装/外壳： * 系列：零件状态：在售二极管类型：标准电压 - DC 反向 (Vr)（最大值）： 800 V 电流 - 平均整流 (Io)： 1A 不同 If 时电压 - 正向 (Vf)： 1.7 V 1 A 速度：快速恢复 =< 500ns，> 200mA（Io）反向恢复时间 (trr)： 75 ns 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏： 10 µA 800 V 不同 Vr、F 时电容： 10pF 4V，1MHz 安装类型：表面贴装型封装/外壳： DO-214AC，SMA 供应商器件封装： DO-214AC（SMA）工作温度 - 结： -55°C # 150°C 温度：

Digi-Key

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	US1K-E3/5AT Vishay(威世) 授权代理品牌	DIODE GEN PURP 800V 1A DO214AC 下载数据手册二极管整流器	+7500：￥1.430552 +15000：￥1.338302 +37500：￥1.227512 +52500：￥1.18146	库存： 0 货期：7~10 天联系客服	品牌： Vishay General Semiconductor - Diodes Division 包装：剪切带（CT）,卷带（TR）封装/外壳： * 系列：零件状态：在售二极管类型：标准电压 - DC 反向 (Vr)（最大值）： 800 V 电流 - 平均整流 (Io)： 1A 不同 If 时电压 - 正向 (Vf)： 1.7 V 1 A 速度：快速恢复 =< 500ns，> 200mA（Io）反向恢复时间 (trr)： 75 ns 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏： 10 µA 800 V 不同 Vr、F 时电容： 10pF 4V，1MHz 安装类型：表面贴装型封装/外壳： DO-214AC，SMA 供应商器件封装： DO-214AC（SMA）工作温度 - 结： -55°C # 150°C 温度：
	US1K-E3/5AT Vishay(威世) 授权代理品牌	DIODE GEN PURP 800V 1A DO214AC 下载数据手册二极管整流器	+1：￥5.358417 +10：￥4.344661 +100：￥2.952922 +500：￥2.215197 +1000：￥1.661398	库存： 0 货期：7~10 天联系客服	包装： Cut Tape (CT) Alternate Packaging 系列： - 安装类型： Surface Mount 工作温度-结： -55°C # 150°C 封装/外壳： DO-214AC, SMA 供应商器件封装： DO-214AC (SMA)
	US1K-E3/5AT Vishay(威世) 授权代理品牌	DIODE GEN PURP 800V 1A DO214AC 下载数据手册二极管整流器	+1：￥5.358417 +10：￥4.344661 +100：￥2.952922 +500：￥2.215197 +1000：￥1.661398	库存： 0 货期：7~10 天联系客服	包装： Digi-Reel® Alternate Packaging 系列： - 安装类型： Surface Mount 工作温度-结： -55°C # 150°C 封装/外壳： DO-214AC, SMA 供应商器件封装： DO-214AC (SMA)

Mouser

图片	品牌型号	描述	价格（含税）	库存	关键参数
	US1K-E3/5AT Vishay(威世) 授权代理品牌	DIODE GEN PURP 800V 1A DO214AC 下载数据手册未分类	+1：￥6.125445 +10：￥4.966578 +100：￥2.532956 +1000：￥1.754858 +2500：￥1.489974	库存： 0 货期：7~10 天联系客服	品牌： Vishay General Semiconductor - Diodes Division 包装：剪切带（CT）,卷带（TR）封装/外壳： * 系列：零件状态：在售二极管类型：标准电压 - DC 反向 (Vr)（最大值）： 800 V 电流 - 平均整流 (Io)： 1A 不同 If 时电压 - 正向 (Vf)： 1.7 V 1 A 速度：快速恢复 =< 500ns，> 200mA（Io）反向恢复时间 (trr)： 75 ns 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏： 10 µA 800 V 不同 Vr、F 时电容： 10pF 4V，1MHz 安装类型：表面贴装型封装/外壳： DO-214AC，SMA 供应商器件封装： DO-214AC（SMA）工作温度 - 结： -55°C # 150°C 温度：

US1K-E3/5AT参数规格

属性	参数值
品牌:	Vishay General Semiconductor - Diodes Division
包装:	剪切带（CT）,卷带（TR）
封装/外壳:	*
系列:
零件状态:	在售
二极管类型:	标准
电压 - DC 反向 (Vr)（最大值）:	800 V
电流 - 平均整流 (Io):	1A
不同 If 时电压 - 正向 (Vf):	1.7 V 1 A
速度:	快速恢复 =< 500ns，> 200mA（Io）
反向恢复时间 (trr):	75 ns
不同 Vr 时电流 - 反向泄漏:	10 µA 800 V
不同 Vr、F 时电容:	10pF 4V，1MHz
安装类型:	表面贴装型
封装/外壳:	DO-214AC，SMA
供应商器件封装:	DO-214AC（SMA）
工作温度 - 结:	-55°C # 150°C
温度: