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自营现货库存

图片	品牌型号	描述	价格（含税）	库存	关键参数
	UF1GLW RVG Taiwan Semiconductor Corporation(台湾集成电路制造) 授权代理品牌	DIODE GEN PURP 400V 1A SOD123W 下载数据手册二极管整流器	+1：￥2.053016 +200：￥0.819218 +500：￥0.791899 +1000：￥0.778349	库存： 1000 + 国内：1~2 天立即购买	品牌： Taiwan Semiconductor Corporation 包装：剪切带（CT）,卷带（TR）封装/外壳： * 系列：零件状态：在售二极管类型：标准电压 - DC 反向 (Vr)（最大值）： 400 V 电流 - 平均整流 (Io)： 1A 不同 If 时电压 - 正向 (Vf)： 1.25 V 1 A 速度：快速恢复 =< 500ns，> 200mA（Io）反向恢复时间 (trr)： 20 ns 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏： 1 µA 400 V 不同 Vr、F 时电容： 25pF 4V，1MHz 安装类型：表面贴装型封装/外壳： SOD-123W 供应商器件封装： SOD-123W 工作温度 - 结： -55°C # 150°C 温度：

Digi-Key

图片	品牌型号	描述	价格（含税）	库存	关键参数
	UF1GLW RVG Taiwan Semiconductor Corporation(台湾集成电路制造) 授权代理品牌	DIODE GEN PURP 400V 1A SOD123W 下载数据手册二极管整流器	+3000：￥1.282447 +6000：￥1.17449 +15000：￥1.015813 +30000：￥0.996687 +75000：￥0.825259	库存： 0 货期：7~10 天联系客服	品牌： Taiwan Semiconductor Corporation 包装：剪切带（CT）,卷带（TR）封装/外壳： * 系列：零件状态：在售二极管类型：标准电压 - DC 反向 (Vr)（最大值）： 400 V 电流 - 平均整流 (Io)： 1A 不同 If 时电压 - 正向 (Vf)： 1.25 V 1 A 速度：快速恢复 =< 500ns，> 200mA（Io）反向恢复时间 (trr)： 20 ns 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏： 1 µA 400 V 不同 Vr、F 时电容： 25pF 4V，1MHz 安装类型：表面贴装型封装/外壳： SOD-123W 供应商器件封装： SOD-123W 工作温度 - 结： -55°C # 150°C 温度：
	UF1GLW RVG Taiwan Semiconductor Corporation(台湾集成电路制造) 授权代理品牌	DIODE GEN PURP 400V 1A SOD123W 下载数据手册二极管整流器	+1：￥6.80042 +10：￥5.071981 +25：￥4.442941 +100：￥2.412733 +250：￥2.399982	库存： 0 货期：7~10 天联系客服	包装： Cut Tape (CT) Alternate Packaging 系列： - 安装类型： Surface Mount 工作温度-结： -55°C # 150°C 封装/外壳： SOD-123W 供应商器件封装： SOD-123W
	UF1GLW RVG Taiwan Semiconductor Corporation(台湾集成电路制造) 授权代理品牌	DIODE GEN PURP 400V 1A SOD123W 下载数据手册二极管整流器	1+: 需询价	库存： 0 货期：7~10 天联系客服	包装： Digi-Reel® Alternate Packaging 系列： - 安装类型： Surface Mount 工作温度-结： -55°C # 150°C 封装/外壳： SOD-123W 供应商器件封装： SOD-123W

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图片	品牌型号	描述	价格（含税）	库存	关键参数
	UF1GLW RVG Taiwan Semiconductor Corporation(台湾集成电路制造) 授权代理品牌	DIODE GEN PURP 400V 1A SOD123W 下载数据手册二极管与整流器	1+: 需询价	库存： 0 货期：7~10 天联系客服	品牌： Taiwan Semiconductor Corporation 包装：剪切带（CT）,卷带（TR）封装/外壳： * 系列：零件状态：在售二极管类型：标准电压 - DC 反向 (Vr)（最大值）： 400 V 电流 - 平均整流 (Io)： 1A 不同 If 时电压 - 正向 (Vf)： 1.25 V 1 A 速度：快速恢复 =< 500ns，> 200mA（Io）反向恢复时间 (trr)： 20 ns 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏： 1 µA 400 V 不同 Vr、F 时电容： 25pF 4V，1MHz 安装类型：表面贴装型封装/外壳： SOD-123W 供应商器件封装： SOD-123W 工作温度 - 结： -55°C # 150°C 温度：

UF1GLW RVG参数规格

属性	参数值
品牌:	Taiwan Semiconductor Corporation
包装:	剪切带（CT）,卷带（TR）
封装/外壳:	*
系列:
零件状态:	在售
二极管类型:	标准
电压 - DC 反向 (Vr)（最大值）:	400 V
电流 - 平均整流 (Io):	1A
不同 If 时电压 - 正向 (Vf):	1.25 V 1 A
速度:	快速恢复 =< 500ns，> 200mA（Io）
反向恢复时间 (trr):	20 ns
不同 Vr 时电流 - 反向泄漏:	1 µA 400 V
不同 Vr、F 时电容:	25pF 4V，1MHz
安装类型:	表面贴装型
封装/外壳:	SOD-123W
供应商器件封装:	SOD-123W
工作温度 - 结:	-55°C # 150°C
温度: