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图片	品牌型号	描述	价格（含税）	库存	关键参数
	US1J-E3/5AT Vishay(威世) 授权代理品牌	DIODE GEN PURP 600V 1A DO214AC 下载数据手册二极管整流器	+5：￥1.358467 +50：￥0.905564 +150：￥0.754677	库存： 1000 + 国内：1~2 天立即购买	品牌： Vishay General Semiconductor - Diodes Division 包装：剪切带（CT）,卷带（TR）封装/外壳： * 系列：零件状态：在售二极管类型：标准电压 - DC 反向 (Vr)（最大值）： 600 V 电流 - 平均整流 (Io)： 1A 不同 If 时电压 - 正向 (Vf)： 1.7 V 1 A 速度：快速恢复 =< 500ns，> 200mA（Io）反向恢复时间 (trr)： 75 ns 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏： 10 µA 600 V 不同 Vr、F 时电容： 10pF 4V，1MHz 安装类型：表面贴装型封装/外壳： DO-214AC，SMA 供应商器件封装： DO-214AC（SMA）工作温度 - 结： -55°C # 150°C 温度：

自营现货库存

图片	品牌型号	描述	价格（含税）	库存	关键参数
	US1J-E3/5AT Vishay(威世) 授权代理品牌	DIODE GEN PURP 600V 1A DO214AC 下载数据手册未分类	+5：￥0.730269 +50：￥0.584281 +150：￥0.511178	库存： 1000 + 国内：1~2 天立即购买	品牌： Vishay General Semiconductor - Diodes Division 包装：剪切带（CT）,卷带（TR）封装/外壳： * 系列：零件状态：在售二极管类型：标准电压 - DC 反向 (Vr)（最大值）： 600 V 电流 - 平均整流 (Io)： 1A 不同 If 时电压 - 正向 (Vf)： 1.7 V 1 A 速度：快速恢复 =< 500ns，> 200mA（Io）反向恢复时间 (trr)： 75 ns 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏： 10 µA 600 V 不同 Vr、F 时电容： 10pF 4V，1MHz 安装类型：表面贴装型封装/外壳： DO-214AC，SMA 供应商器件封装： DO-214AC（SMA）工作温度 - 结： -55°C # 150°C 温度：

图片	品牌型号	描述	价格（含税）	库存	关键参数
	US1J-E3/5AT 华轩阳电子(华轩阳电子) 授权代理品牌	US1J-E3/5AT HXY MOSFET/深圳华轩阳电子下载数据手册未分类	+2000：￥0.318347 +6000：￥0.313137 +10000：￥0.30515	库存： 1000 + 国内：1~2 天立即购买	暂无参数

图片	品牌型号	描述	价格（含税）	库存	关键参数
	US1J-E3/5AT Vishay(威世) 授权代理品牌	DIODE GEN PURP 600V 1A DO214AC 下载数据手册二极管整流器	1+: 需询价	库存： 1000 + 国内：1~2 天立即购买	品牌： Vishay General Semiconductor - Diodes Division 包装：剪切带（CT）,卷带（TR）封装/外壳： * 系列：零件状态：在售二极管类型：标准电压 - DC 反向 (Vr)（最大值）： 600 V 电流 - 平均整流 (Io)： 1A 不同 If 时电压 - 正向 (Vf)： 1.7 V 1 A 速度：快速恢复 =< 500ns，> 200mA（Io）反向恢复时间 (trr)： 75 ns 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏： 10 µA 600 V 不同 Vr、F 时电容： 10pF 4V，1MHz 安装类型：表面贴装型封装/外壳： DO-214AC，SMA 供应商器件封装： DO-214AC（SMA）工作温度 - 结： -55°C # 150°C 温度：

自营国内现货

图片	品牌型号	描述	价格（含税）	库存	关键参数
	US1J-E3/5AT Vishay(威世) 授权代理品牌	DIODE GEN PURP 600V 1A DO214AC 下载数据手册二极管整流器	+7500：￥0.558359 +15000：￥0.502523 +37500：￥0.495047 +52500：￥0.465261	库存： 1000 + 国内：1~2 天立即购买	品牌： Vishay General Semiconductor - Diodes Division 包装：剪切带（CT）,卷带（TR）封装/外壳： * 系列：零件状态：在售二极管类型：标准电压 - DC 反向 (Vr)（最大值）： 600 V 电流 - 平均整流 (Io)： 1A 不同 If 时电压 - 正向 (Vf)： 1.7 V 1 A 速度：快速恢复 =< 500ns，> 200mA（Io）反向恢复时间 (trr)： 75 ns 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏： 10 µA 600 V 不同 Vr、F 时电容： 10pF 4V，1MHz 安装类型：表面贴装型封装/外壳： DO-214AC，SMA 供应商器件封装： DO-214AC（SMA）工作温度 - 结： -55°C # 150°C 温度：

Digi-Key

图片	品牌型号	描述	价格（含税）	库存	关键参数
	US1J-E3/5AT Vishay(威世) 授权代理品牌	DIODE GEN PURP 600V 1A DO214AC 下载数据手册二极管整流器	+7500：￥1.406863 +15000：￥1.302986 +22500：￥1.249746 +37500：￥1.206605	库存： 0 货期：7~10 天联系客服	品牌： Vishay General Semiconductor - Diodes Division 包装：剪切带（CT）,卷带（TR）封装/外壳： * 系列：零件状态：在售二极管类型：标准电压 - DC 反向 (Vr)（最大值）： 600 V 电流 - 平均整流 (Io)： 1A 不同 If 时电压 - 正向 (Vf)： 1.7 V 1 A 速度：快速恢复 =< 500ns，> 200mA（Io）反向恢复时间 (trr)： 75 ns 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏： 10 µA 600 V 不同 Vr、F 时电容： 10pF 4V，1MHz 安装类型：表面贴装型封装/外壳： DO-214AC，SMA 供应商器件封装： DO-214AC（SMA）工作温度 - 结： -55°C # 150°C 温度：
	US1J-E3/5AT Vishay(威世) 授权代理品牌	DIODE GEN PURP 600V 1A DO214AC 下载数据手册二极管整流器	+1：￥7.802304 +10：￥4.834369 +100：￥3.071966 +500：￥2.306729 +1000：￥2.059809	库存： 0 货期：7~10 天联系客服	包装： Cut Tape (CT) Alternate Packaging 系列： - 安装类型： Surface Mount 工作温度-结： -55°C # 150°C 封装/外壳： DO-214AC, SMA 供应商器件封装： DO-214AC (SMA)
	US1J-E3/5AT Vishay(威世) 授权代理品牌	DIODE GEN PURP 600V 1A DO214AC 下载数据手册二极管整流器	+1：￥7.802304 +10：￥4.834369 +100：￥3.071966 +500：￥2.306729 +1000：￥2.059809	库存： 0 货期：7~10 天联系客服	包装： Digi-Reel® Alternate Packaging 系列： - 安装类型： Surface Mount 工作温度-结： -55°C # 150°C 封装/外壳： DO-214AC, SMA 供应商器件封装： DO-214AC (SMA)

Mouser

图片	品牌型号	描述	价格（含税）	库存	关键参数
	US1J-E3/5AT Vishay(威世) 授权代理品牌	DIODE GEN PURP 600V 1A DO214AC 下载数据手册未分类	+1：￥5.804012 +10：￥3.930147 +100：￥2.10603 +1000：￥1.608543 +2500：￥1.193969	库存： 0 货期：7~10 天联系客服	品牌： Vishay General Semiconductor - Diodes Division 包装：剪切带（CT）,卷带（TR）封装/外壳： * 系列：零件状态：在售二极管类型：标准电压 - DC 反向 (Vr)（最大值）： 600 V 电流 - 平均整流 (Io)： 1A 不同 If 时电压 - 正向 (Vf)： 1.7 V 1 A 速度：快速恢复 =< 500ns，> 200mA（Io）反向恢复时间 (trr)： 75 ns 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏： 10 µA 600 V 不同 Vr、F 时电容： 10pF 4V，1MHz 安装类型：表面贴装型封装/外壳： DO-214AC，SMA 供应商器件封装： DO-214AC（SMA）工作温度 - 结： -55°C # 150°C 温度：

艾睿

图片	品牌型号	描述	价格（含税）	库存	关键参数
	US1J-E3/5AT Vishay 授权代理品牌	Rectifier Diode Switching 600V 1A 75ns 2-Pin SMA T/R 下载数据手册未分类	+7500：￥0.769245 +15000：￥0.47981	库存： 0 货期：7~10 天联系客服	暂无参数

US1J-E3/5AT参数规格

属性	参数值
品牌:	Vishay General Semiconductor - Diodes Division
包装:	剪切带（CT）,卷带（TR）
封装/外壳:	*
系列:
零件状态:	在售
二极管类型:	标准
电压 - DC 反向 (Vr)（最大值）:	600 V
电流 - 平均整流 (Io):	1A
不同 If 时电压 - 正向 (Vf):	1.7 V 1 A
速度:	快速恢复 =< 500ns，> 200mA（Io）
反向恢复时间 (trr):	75 ns
不同 Vr 时电流 - 反向泄漏:	10 µA 600 V
不同 Vr、F 时电容:	10pF 4V，1MHz
安装类型:	表面贴装型
封装/外壳:	DO-214AC，SMA
供应商器件封装:	DO-214AC（SMA）
工作温度 - 结:	-55°C # 150°C
温度: