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品牌型号	描述	价格（含税）	库存	关键参数
UJ3C065080B3 UnitedSiC(碳化硅（SiC）功率半导体制造商) 授权代理品牌	MOSFET N-CH 650V 25A TO263 下载数据手册晶体管-FET，MOSFET-单个	+800：￥58.392318 +1600：￥52.553148 +2400：￥49.244171	库存： 0 货期：7~10 天联系客服	品牌： UnitedSiC 包装：剪切带（CT）,卷带（TR）封装/外壳： * 系列：零件状态：在售 FET 类型： N 通道技术： - 漏源电压（Vdss）： 650 V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 25A（Tc）驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）： 12V 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 111 毫欧 20A，12V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 6V 10mA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 51 nC 15 V Vgs（最大值）： ±25V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 1500 pF 100 V FET 功能： - 功率耗散（最大值）： 115W（Tc）工作温度： -55°C # 175°C（TJ）安装类型：表面贴装型供应商器件封装： TO-263（D2Pak）封装/外壳： TO-263-3，D²Pak（2 引线 + 接片），TO-263AB 温度： -55°C # 175°C（TJ）
UJ3C065080B3 UnitedSiC(碳化硅（SiC）功率半导体制造商) 授权代理品牌	MOSFET N-CH 650V 25A TO263 下载数据手册晶体管-FET，MOSFET-单个	+1：￥92.700973 +10：￥79.415486 +100：￥66.178333	库存： 0 货期：7~10 天联系客服	系列： - 工作温度： -55°C # 175°C (TJ) 安装类型： Surface Mount 封装/外壳： TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB 供应商器件封装： TO-263 (D2Pak)
UJ3C065080B3 UnitedSiC(碳化硅（SiC）功率半导体制造商) 授权代理品牌	MOSFET N-CH 650V 25A TO263 下载数据手册晶体管-FET，MOSFET-单个	+1：￥92.700973 +10：￥79.415486 +100：￥66.178333	库存： 0 货期：7~10 天联系客服	系列： - 工作温度： -55°C # 175°C (TJ) 安装类型： Surface Mount 封装/外壳： TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB 供应商器件封装： TO-263 (D2Pak)

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图片	品牌型号	描述	价格（含税）	库存	关键参数
	UJ3C065080B3 UnitedSiC(碳化硅（SiC）功率半导体制造商) 授权代理品牌	MOSFET N-CH 650V 25A TO263 下载数据手册未分类	+1：￥103.809761 +10：￥93.74171 +100：￥77.687253 +500：￥62.040958 +800：￥61.904903	库存： 0 货期：7~10 天联系客服	品牌： UnitedSiC 包装：剪切带（CT）,卷带（TR）封装/外壳： * 系列：零件状态：在售 FET 类型： N 通道技术： - 漏源电压（Vdss）： 650 V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 25A（Tc）驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）： 12V 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 111 毫欧 20A，12V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 6V 10mA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 51 nC 15 V Vgs（最大值）： ±25V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 1500 pF 100 V FET 功能： - 功率耗散（最大值）： 115W（Tc）工作温度： -55°C # 175°C（TJ）安装类型：表面贴装型供应商器件封装： TO-263（D2Pak）封装/外壳： TO-263-3，D²Pak（2 引线 + 接片），TO-263AB 温度： -55°C # 175°C（TJ）

UJ3C065080B3参数规格

属性	参数值
品牌:	UnitedSiC
包装:	剪切带（CT）,卷带（TR）
封装/外壳:	*
系列:
零件状态:	在售
FET 类型:	N 通道
技术:	-
漏源电压（Vdss）:	650 V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):	25A（Tc）
驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:	12V
不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:	111 毫欧 20A，12V
不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:	6V 10mA
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）:	51 nC 15 V
Vgs（最大值）:	±25V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:	1500 pF 100 V
FET 功能:	-
功率耗散（最大值）:	115W（Tc）
工作温度:	-55°C # 175°C（TJ）
安装类型:	表面贴装型
供应商器件封装:	TO-263（D2Pak）
封装/外壳:	TO-263-3，D²Pak（2 引线 + 接片），TO-263AB
温度:	-55°C # 175°C（TJ）