品牌： STMicroelectronics

包装： 管件

封装/外壳： *

系列：

零件状态： 在售

晶体管类型： 4 NPN 达林顿（双）

电流 - 集电极 (Ic)（最大值）： 1.75A

电压 - 集射极击穿（最大值）： 50V

不同 Ib、Ic 时 Vce 饱和压降（最大值）： 1.4V 2mA，1.25A

电流 - 集电极截止（最大值）： -

不同 Ic、Vce 时 DC 电流增益 (hFE)（最小值）： -

功率 - 最大值： 1W

频率 - 跃迁： -

工作温度： -20°C # 85°C（TA）

安装类型： 通孔

封装/外壳： 16-PowerDIP（0.300，7.62mm）

供应商器件封装： 16-PowerDIP（20x7.10）

温度： -20°C # 85°C（TA）

品牌： STMicroelectronics

包装： 管件

封装/外壳： *

系列：

零件状态： 在售

晶体管类型： 4 NPN 达林顿（双）

电流 - 集电极 (Ic)（最大值）： 1.75A

电压 - 集射极击穿（最大值）： 50V

不同 Ib、Ic 时 Vce 饱和压降（最大值）： 1.4V 2mA，1.25A

电流 - 集电极截止（最大值）： -

不同 Ic、Vce 时 DC 电流增益 (hFE)（最小值）： -

功率 - 最大值： 1W

频率 - 跃迁： -

工作温度： -20°C # 85°C（TA）

安装类型： 通孔

封装/外壳： 16-PowerDIP（0.300，7.62mm）

供应商器件封装： 16-PowerDIP（20x7.10）

温度： -20°C # 85°C（TA）

品牌： STMicroelectronics

包装： 管件

封装/外壳： *

系列：

零件状态： 在售

晶体管类型： 4 NPN 达林顿（双）

电流 - 集电极 (Ic)（最大值）： 1.75A

电压 - 集射极击穿（最大值）： 50V

不同 Ib、Ic 时 Vce 饱和压降（最大值）： 1.4V 2mA，1.25A

电流 - 集电极截止（最大值）： -

不同 Ic、Vce 时 DC 电流增益 (hFE)（最小值）： -

功率 - 最大值： 1W

频率 - 跃迁： -

工作温度： -20°C # 85°C（TA）

安装类型： 通孔

封装/外壳： 16-PowerDIP（0.300，7.62mm）

供应商器件封装： 16-PowerDIP（20x7.10）

温度： -20°C # 85°C（TA）