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图片品牌型号描述价格(含税)库存关键参数
US6T7TR_未分类
US6T7TR
授权代理品牌

TRANS PNP 30V 1.5A TUMT6

未分类

+5:

¥0.873115

+50:

¥0.804852

+100:

¥0.797256

库存: 1000 +

国内:1~2 天

品牌: Rohm Semiconductor

包装: 剪切带(CT),卷带(TR)

封装/外壳: *

系列:

零件状态: 在售

晶体管类型: PNP

电流 - 集电极 (Ic)(最大值): 1.5 A

电压 - 集射极击穿(最大值): 30 V

不同 Ib、Ic 时 Vce 饱和压降(最大值): 370mV 50mA,1A

电流 - 集电极截止(最大值): 100nA(ICBO)

不同 Ic、Vce 时 DC 电流增益 (hFE)(最小值): 270 100mA,2V

功率 - 最大值: 1 W

频率 - 跃迁: 280MHz

工作温度: 150°C(TJ)

安装类型: 表面贴装型

封装/外壳: 6-SMD,扁平引线

供应商器件封装: TUMT6

温度: 150°C(TJ)

自营 国内现货
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US6T7TR_双极性晶体管
授权代理品牌

TRANS PNP 30V 1.5A TUMT6

双极性晶体管

+3000:

¥1.32857

库存: 1000 +

国内:1~2 天

品牌: Rohm Semiconductor

包装: 剪切带(CT),卷带(TR)

封装/外壳: *

系列:

零件状态: 在售

晶体管类型: PNP

电流 - 集电极 (Ic)(最大值): 1.5 A

电压 - 集射极击穿(最大值): 30 V

不同 Ib、Ic 时 Vce 饱和压降(最大值): 370mV 50mA,1A

电流 - 集电极截止(最大值): 100nA(ICBO)

不同 Ic、Vce 时 DC 电流增益 (hFE)(最小值): 270 100mA,2V

功率 - 最大值: 1 W

频率 - 跃迁: 280MHz

工作温度: 150°C(TJ)

安装类型: 表面贴装型

封装/外壳: 6-SMD,扁平引线

供应商器件封装: TUMT6

温度: 150°C(TJ)

Digi-Key
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US6T7TR_双极性晶体管
授权代理品牌

TRANS PNP 30V 1.5A TUMT6

双极性晶体管

+3000:

¥3.250035

库存: 0

货期:7~10 天

品牌: Rohm Semiconductor

包装: 剪切带(CT),卷带(TR)

封装/外壳: *

系列:

零件状态: 在售

晶体管类型: PNP

电流 - 集电极 (Ic)(最大值): 1.5 A

电压 - 集射极击穿(最大值): 30 V

不同 Ib、Ic 时 Vce 饱和压降(最大值): 370mV 50mA,1A

电流 - 集电极截止(最大值): 100nA(ICBO)

不同 Ic、Vce 时 DC 电流增益 (hFE)(最小值): 270 100mA,2V

功率 - 最大值: 1 W

频率 - 跃迁: 280MHz

工作温度: 150°C(TJ)

安装类型: 表面贴装型

封装/外壳: 6-SMD,扁平引线

供应商器件封装: TUMT6

温度: 150°C(TJ)

US6T7TR_双极性晶体管
授权代理品牌

TRANS PNP 30V 1.5A TUMT6

双极性晶体管

库存: 0

货期:7~10 天

系列: -

工作温度: 150°C (TJ)

安装类型: Surface Mount

封装/外壳: 6-SMD, Flat Leads

供应商器件封装: TUMT6

US6T7TR_双极性晶体管
授权代理品牌

TRANS PNP 30V 1.5A TUMT6

双极性晶体管

库存: 0

货期:7~10 天

系列: -

工作温度: 150°C (TJ)

安装类型: Surface Mount

封装/外壳: 6-SMD, Flat Leads

供应商器件封装: TUMT6

Mouser
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US6T7TR_晶体管
US6T7TR
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TRANS PNP 30V 1.5A TUMT6

晶体管

+3000:

¥3.970254

+6000:

¥3.725176

+9000:

¥3.512776

+24000:

¥3.447422

库存: 0

货期:7~10 天

品牌: Rohm Semiconductor

包装: 剪切带(CT),卷带(TR)

封装/外壳: *

系列:

零件状态: 在售

晶体管类型: PNP

电流 - 集电极 (Ic)(最大值): 1.5 A

电压 - 集射极击穿(最大值): 30 V

不同 Ib、Ic 时 Vce 饱和压降(最大值): 370mV 50mA,1A

电流 - 集电极截止(最大值): 100nA(ICBO)

不同 Ic、Vce 时 DC 电流增益 (hFE)(最小值): 270 100mA,2V

功率 - 最大值: 1 W

频率 - 跃迁: 280MHz

工作温度: 150°C(TJ)

安装类型: 表面贴装型

封装/外壳: 6-SMD,扁平引线

供应商器件封装: TUMT6

温度: 150°C(TJ)

US6T7TR_未分类
US6T7TR
授权代理品牌

雙極結晶體管 - BJT

未分类

库存: 0

货期:7~10 天

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US6T7TR参数规格

属性 参数值
品牌: Rohm Semiconductor
包装: 剪切带(CT),卷带(TR)
封装/外壳: *
系列:
零件状态: 在售
晶体管类型: PNP
电流 - 集电极 (Ic)(最大值): 1.5 A
电压 - 集射极击穿(最大值): 30 V
不同 Ib、Ic 时 Vce 饱和压降(最大值): 370mV 50mA,1A
电流 - 集电极截止(最大值): 100nA(ICBO)
不同 Ic、Vce 时 DC 电流增益 (hFE)(最小值): 270 100mA,2V
功率 - 最大值: 1 W
频率 - 跃迁: 280MHz
工作温度: 150°C(TJ)
安装类型: 表面贴装型
封装/外壳: 6-SMD,扁平引线
供应商器件封装: TUMT6
温度: 150°C(TJ)