品牌： Vishay General Semiconductor - Diodes Division

包装： 剪切带（CT）,卷带（TR）

封装/外壳： *

系列：

零件状态： 在售

二极管类型： 标准

电压 - DC 反向 (Vr)（最大值）： 1000 V

电流 - 平均整流 (Io)： 3A

不同 If 时电压 - 正向 (Vf)： 1.7 V 3 A

速度： 快速恢复 =< 500ns，> 200mA（Io）

反向恢复时间 (trr)： 75 ns

不同 Vr 时电流 - 反向泄漏： 10 µA 1000 V

不同 Vr、F 时电容： 36pF 4V，1MHz

安装类型： 通孔

封装/外壳： DO-201AD，轴向

供应商器件封装： DO-201AD

工作温度 - 结： -55°C # 150°C

温度：

品牌： Vishay General Semiconductor - Diodes Division

包装： 剪切带（CT）,卷带（TR）

封装/外壳： *

系列：

零件状态： 在售

二极管类型： 标准

电压 - DC 反向 (Vr)（最大值）： 1000 V

电流 - 平均整流 (Io)： 3A

不同 If 时电压 - 正向 (Vf)： 1.7 V 3 A

速度： 快速恢复 =< 500ns，> 200mA（Io）

反向恢复时间 (trr)： 75 ns

不同 Vr 时电流 - 反向泄漏： 10 µA 1000 V

不同 Vr、F 时电容： 36pF 4V，1MHz

安装类型： 通孔

封装/外壳： DO-201AD，轴向

供应商器件封装： DO-201AD

工作温度 - 结： -55°C # 150°C

温度：

品牌： Vishay General Semiconductor - Diodes Division

包装： 剪切带（CT）,卷带（TR）

封装/外壳： *

系列：

零件状态： 在售

二极管类型： 标准

电压 - DC 反向 (Vr)（最大值）： 1000 V

电流 - 平均整流 (Io)： 3A

不同 If 时电压 - 正向 (Vf)： 1.7 V 3 A

速度： 快速恢复 =< 500ns，> 200mA（Io）

反向恢复时间 (trr)： 75 ns

不同 Vr 时电流 - 反向泄漏： 10 µA 1000 V

不同 Vr、F 时电容： 36pF 4V，1MHz

安装类型： 通孔

封装/外壳： DO-201AD，轴向

供应商器件封装： DO-201AD

工作温度 - 结： -55°C # 150°C

温度：

品牌： Vishay General Semiconductor - Diodes Division

包装： 剪切带（CT）,卷带（TR）

封装/外壳： *

系列：

零件状态： 在售

二极管类型： 标准

电压 - DC 反向 (Vr)（最大值）： 1000 V

电流 - 平均整流 (Io)： 3A

不同 If 时电压 - 正向 (Vf)： 1.7 V 3 A

速度： 快速恢复 =< 500ns，> 200mA（Io）

反向恢复时间 (trr)： 75 ns

不同 Vr 时电流 - 反向泄漏： 10 µA 1000 V

不同 Vr、F 时电容： 36pF 4V，1MHz

安装类型： 通孔

封装/外壳： DO-201AD，轴向

供应商器件封装： DO-201AD

工作温度 - 结： -55°C # 150°C

温度：

品牌： Vishay General Semiconductor - Diodes Division

包装： 剪切带（CT）,卷带（TR）

封装/外壳： *

系列：

零件状态： 在售

二极管类型： 标准

电压 - DC 反向 (Vr)（最大值）： 1000 V

电流 - 平均整流 (Io)： 3A

不同 If 时电压 - 正向 (Vf)： 1.7 V 3 A

速度： 快速恢复 =< 500ns，> 200mA（Io）

反向恢复时间 (trr)： 75 ns

不同 Vr 时电流 - 反向泄漏： 10 µA 1000 V

不同 Vr、F 时电容： 36pF 4V，1MHz

安装类型： 通孔

封装/外壳： DO-201AD，轴向

供应商器件封装： DO-201AD

工作温度 - 结： -55°C # 150°C

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封装/外壳： *

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电压 - DC 反向 (Vr)（最大值）： 1000 V

电流 - 平均整流 (Io)： 3A

不同 If 时电压 - 正向 (Vf)： 1.7 V 3 A

速度： 快速恢复 =< 500ns，> 200mA（Io）

反向恢复时间 (trr)： 75 ns

不同 Vr 时电流 - 反向泄漏： 10 µA 1000 V

不同 Vr、F 时电容： 36pF 4V，1MHz

安装类型： 通孔

封装/外壳： DO-201AD，轴向

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二极管类型： 标准

电压 - DC 反向 (Vr)（最大值）： 1000 V

电流 - 平均整流 (Io)： 3A

不同 If 时电压 - 正向 (Vf)： 1.7 V 3 A

速度： 快速恢复 =< 500ns，> 200mA（Io）

反向恢复时间 (trr)： 75 ns

不同 Vr 时电流 - 反向泄漏： 10 µA 1000 V

不同 Vr、F 时电容： 36pF 4V，1MHz

安装类型： 通孔

封装/外壳： DO-201AD，轴向

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工作温度 - 结： -55°C # 150°C

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封装/外壳： *

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二极管类型： 标准

电压 - DC 反向 (Vr)（最大值）： 1000 V

电流 - 平均整流 (Io)： 3A

不同 If 时电压 - 正向 (Vf)： 1.7 V 3 A

速度： 快速恢复 =< 500ns，> 200mA（Io）

反向恢复时间 (trr)： 75 ns

不同 Vr 时电流 - 反向泄漏： 10 µA 1000 V

不同 Vr、F 时电容： 36pF 4V，1MHz

安装类型： 通孔

封装/外壳： DO-201AD，轴向

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工作温度 - 结： -55°C # 150°C

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品牌： Vishay General Semiconductor - Diodes Division

包装： 剪切带（CT）,卷带（TR）

封装/外壳： *

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零件状态： 在售

二极管类型： 标准

电压 - DC 反向 (Vr)（最大值）： 1000 V

电流 - 平均整流 (Io)： 3A

不同 If 时电压 - 正向 (Vf)： 1.7 V 3 A

速度： 快速恢复 =< 500ns，> 200mA（Io）

反向恢复时间 (trr)： 75 ns

不同 Vr 时电流 - 反向泄漏： 10 µA 1000 V

不同 Vr、F 时电容： 36pF 4V，1MHz

安装类型： 通孔

封装/外壳： DO-201AD，轴向

供应商器件封装： DO-201AD

工作温度 - 结： -55°C # 150°C

温度：

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包装： 剪切带（CT）,卷带（TR）

封装/外壳： *

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二极管类型： 标准

电压 - DC 反向 (Vr)（最大值）： 1000 V

电流 - 平均整流 (Io)： 3A

不同 If 时电压 - 正向 (Vf)： 1.7 V 3 A

速度： 快速恢复 =< 500ns，> 200mA（Io）

反向恢复时间 (trr)： 75 ns

不同 Vr 时电流 - 反向泄漏： 10 µA 1000 V

不同 Vr、F 时电容： 36pF 4V，1MHz

安装类型： 通孔

封装/外壳： DO-201AD，轴向

供应商器件封装： DO-201AD

工作温度 - 结： -55°C # 150°C

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