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	US1GHE3_A/H Vishay(威世) 授权代理品牌	DIODE GEN PURP 400V 1A DO214AC 下载数据手册二极管整流器	+10：￥1.471723 +200：￥0.995225 +500：￥0.730598 +1800：￥0.529375 +3600：￥0.502997	库存： 1000 + 国内：1~2 天立即购买	品牌： Vishay General Semiconductor - Diodes Division 包装：剪切带（CT）,卷带（TR）封装/外壳： * 系列： Automotive, AEC-Q101 零件状态：在售二极管类型：标准电压 - DC 反向 (Vr)（最大值）： 400 V 电流 - 平均整流 (Io)： 1A 不同 If 时电压 - 正向 (Vf)： 1 V 1 A 速度：快速恢复 =< 500ns，> 200mA（Io）反向恢复时间 (trr)： 50 ns 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏： 10 µA 400 V 不同 Vr、F 时电容： 15pF 4V，1MHz 安装类型：表面贴装型封装/外壳： DO-214AC，SMA 供应商器件封装： DO-214AC（SMA）工作温度 - 结： -55°C # 150°C 温度：

自营现货库存

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	US1GHE3_A/H Vishay(威世) 授权代理品牌	DIODE GEN PURP 400V 1A DO214AC 下载数据手册二极管整流器	+5：￥2.171357 +50：￥1.744757 +150：￥1.561944 +500：￥1.333892 +1800：￥1.181566	库存： 1000 + 国内：1~2 天立即购买	品牌： Vishay General Semiconductor - Diodes Division 包装：剪切带（CT）,卷带（TR）封装/外壳： * 系列： Automotive, AEC-Q101 零件状态：在售二极管类型：标准电压 - DC 反向 (Vr)（最大值）： 400 V 电流 - 平均整流 (Io)： 1A 不同 If 时电压 - 正向 (Vf)： 1 V 1 A 速度：快速恢复 =< 500ns，> 200mA（Io）反向恢复时间 (trr)： 50 ns 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏： 10 µA 400 V 不同 Vr、F 时电容： 15pF 4V，1MHz 安装类型：表面贴装型封装/外壳： DO-214AC，SMA 供应商器件封装： DO-214AC（SMA）工作温度 - 结： -55°C # 150°C 温度：

图片	品牌型号	描述	价格（含税）	库存	关键参数
	US1GHE3_A/H Vishay(威世) 授权代理品牌	DIODE GEN PURP 400V 1A DO214AC 下载数据手册二极管整流器	+1800：￥0.491759 +3600：￥0.487592 +5400：￥0.479257	库存： 1000 + 国内：1~2 天立即购买	品牌： Vishay General Semiconductor - Diodes Division 包装：剪切带（CT）,卷带（TR）封装/外壳： * 系列： Automotive, AEC-Q101 零件状态：在售二极管类型：标准电压 - DC 反向 (Vr)（最大值）： 400 V 电流 - 平均整流 (Io)： 1A 不同 If 时电压 - 正向 (Vf)： 1 V 1 A 速度：快速恢复 =< 500ns，> 200mA（Io）反向恢复时间 (trr)： 50 ns 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏： 10 µA 400 V 不同 Vr、F 时电容： 15pF 4V，1MHz 安装类型：表面贴装型封装/外壳： DO-214AC，SMA 供应商器件封装： DO-214AC（SMA）工作温度 - 结： -55°C # 150°C 温度：
	US1GHE3_A/H Vishay(威世) 授权代理品牌	DIODE GEN PURP 400V 1A DO214AC 下载数据手册二极管整流器	+1：￥0.812422 +50：￥0.540727 +1800：￥0.490254	库存： 1000 + 国内：1~2 天立即购买	品牌： Vishay General Semiconductor - Diodes Division 包装：剪切带（CT）,卷带（TR）封装/外壳： * 系列： Automotive, AEC-Q101 零件状态：在售二极管类型：标准电压 - DC 反向 (Vr)（最大值）： 400 V 电流 - 平均整流 (Io)： 1A 不同 If 时电压 - 正向 (Vf)： 1 V 1 A 速度：快速恢复 =< 500ns，> 200mA（Io）反向恢复时间 (trr)： 50 ns 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏： 10 µA 400 V 不同 Vr、F 时电容： 15pF 4V，1MHz 安装类型：表面贴装型封装/外壳： DO-214AC，SMA 供应商器件封装： DO-214AC（SMA）工作温度 - 结： -55°C # 150°C 温度：
	US1GHE3_A/H Vishay(威世) 授权代理品牌	DIODE GEN PURP 400V 1A DO214AC 下载数据手册二极管整流器	+1800：￥0.420681 +3600：￥0.417208 +5400：￥0.410031	库存： 1000 + 国内：1~2 天立即购买	品牌： Vishay General Semiconductor - Diodes Division 包装：剪切带（CT）,卷带（TR）封装/外壳： * 系列： Automotive, AEC-Q101 零件状态：在售二极管类型：标准电压 - DC 反向 (Vr)（最大值）： 400 V 电流 - 平均整流 (Io)： 1A 不同 If 时电压 - 正向 (Vf)： 1 V 1 A 速度：快速恢复 =< 500ns，> 200mA（Io）反向恢复时间 (trr)： 50 ns 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏： 10 µA 400 V 不同 Vr、F 时电容： 15pF 4V，1MHz 安装类型：表面贴装型封装/外壳： DO-214AC，SMA 供应商器件封装： DO-214AC（SMA）工作温度 - 结： -55°C # 150°C 温度：
	US1GHE3_A/H 华轩阳电子(华轩阳电子) 授权代理品牌	US1GHE3_A/H HXY MOSFET/深圳华轩阳电子下载数据手册未分类	+2000：￥0.966964 +4000：￥0.950757 +6000：￥0.926563 +20000：￥0.846108	库存： 1000 + 国内：1~2 天立即购买	暂无参数

图片	品牌型号	描述	价格（含税）	库存	关键参数
	US1GHE3_A/H Vishay(威世) 授权代理品牌	DIODE GEN PURP 400V 1A DO214AC 下载数据手册	1+: 需询价	库存： 1000 + 国内：1~2 天立即购买	品牌： Vishay General Semiconductor - Diodes Division 包装：剪切带（CT）,卷带（TR）封装/外壳： * 系列： Automotive, AEC-Q101 零件状态：在售二极管类型：标准电压 - DC 反向 (Vr)（最大值）： 400 V 电流 - 平均整流 (Io)： 1A 不同 If 时电压 - 正向 (Vf)： 1 V 1 A 速度：快速恢复 =< 500ns，> 200mA（Io）反向恢复时间 (trr)： 50 ns 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏： 10 µA 400 V 不同 Vr、F 时电容： 15pF 4V，1MHz 安装类型：表面贴装型封装/外壳： DO-214AC，SMA 供应商器件封装： DO-214AC（SMA）工作温度 - 结： -55°C # 150°C 温度：

自营国内现货

图片	品牌型号	描述	价格（含税）	库存	关键参数
	US1GHE3_A/H Vishay(威世) 授权代理品牌	DIODE GEN PURP 400V 1A DO214AC 下载数据手册二极管整流器	+1800：￥0.77004 +3600：￥0.704687 +5400：￥0.671042 +9000：￥0.63308 +12600：￥0.610504	库存： 1000 + 国内：1~2 天立即购买	品牌： Vishay General Semiconductor - Diodes Division 包装：剪切带（CT）,卷带（TR）封装/外壳： * 系列： Automotive, AEC-Q101 零件状态：在售二极管类型：标准电压 - DC 反向 (Vr)（最大值）： 400 V 电流 - 平均整流 (Io)： 1A 不同 If 时电压 - 正向 (Vf)： 1 V 1 A 速度：快速恢复 =< 500ns，> 200mA（Io）反向恢复时间 (trr)： 50 ns 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏： 10 µA 400 V 不同 Vr、F 时电容： 15pF 4V，1MHz 安装类型：表面贴装型封装/外壳： DO-214AC，SMA 供应商器件封装： DO-214AC（SMA）工作温度 - 结： -55°C # 150°C 温度：

Digi-Key

图片	品牌型号	描述	价格（含税）	库存	关键参数
	US1GHE3_A/H Vishay(威世) 授权代理品牌	DIODE GEN PURP 400V 1A DO214AC 下载数据手册二极管整流器	+1800：￥1.483356 +3600：￥1.438072 +5400：￥1.414207 +9000：￥1.384527	库存： 0 货期：7~10 天联系客服	品牌： Vishay General Semiconductor - Diodes Division 包装：剪切带（CT）,卷带（TR）封装/外壳： * 系列： Automotive, AEC-Q101 零件状态：在售二极管类型：标准电压 - DC 反向 (Vr)（最大值）： 400 V 电流 - 平均整流 (Io)： 1A 不同 If 时电压 - 正向 (Vf)： 1 V 1 A 速度：快速恢复 =< 500ns，> 200mA（Io）反向恢复时间 (trr)： 50 ns 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏： 10 µA 400 V 不同 Vr、F 时电容： 15pF 4V，1MHz 安装类型：表面贴装型封装/外壳： DO-214AC，SMA 供应商器件封装： DO-214AC（SMA）工作温度 - 结： -55°C # 150°C 温度：
	US1GHE3_A/H Vishay(威世) 授权代理品牌	DIODE GEN PURP 400V 1A DO214AC 下载数据手册二极管整流器	+1：￥3.977646 +10：￥2.600768 +100：￥2.437073	库存： 0 货期：7~10 天联系客服	包装： Cut Tape (CT) Alternate Packaging 系列： Automotive, AEC-Q101 安装类型： Surface Mount 工作温度-结： -55°C # 150°C 封装/外壳： DO-214AC, SMA 供应商器件封装： DO-214AC (SMA)

US1GHE3_A/H参数规格

属性	参数值
品牌:	Vishay General Semiconductor - Diodes Division
包装:	剪切带（CT）,卷带（TR）
封装/外壳:	*
系列:	Automotive, AEC-Q101
零件状态:	在售
二极管类型:	标准
电压 - DC 反向 (Vr)（最大值）:	400 V
电流 - 平均整流 (Io):	1A
不同 If 时电压 - 正向 (Vf):	1 V 1 A
速度:	快速恢复 =< 500ns，> 200mA（Io）
反向恢复时间 (trr):	50 ns
不同 Vr 时电流 - 反向泄漏:	10 µA 400 V
不同 Vr、F 时电容:	15pF 4V，1MHz
安装类型:	表面贴装型
封装/外壳:	DO-214AC，SMA
供应商器件封装:	DO-214AC（SMA）
工作温度 - 结:	-55°C # 150°C
温度: