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	US1M-E3/61T Vishay(威世) 授权代理品牌	DIODE GEN PURP 1KV 1A DO214AC 下载数据手册二极管整流器	+10：￥0.273299 +100：￥0.248151 +500：￥0.223003 +1000：￥0.197855 +2000：￥0.181086	库存： 1000 + 国内：1~2 天立即购买	品牌： Vishay General Semiconductor - Diodes Division 包装：剪切带（CT）,卷带（TR）封装/外壳： * 系列：零件状态：在售二极管类型：标准电压 - DC 反向 (Vr)（最大值）： 1000 V 电流 - 平均整流 (Io)： 1A 不同 If 时电压 - 正向 (Vf)： 1.7 V 1 A 速度：快速恢复 =< 500ns，> 200mA（Io）反向恢复时间 (trr)： 75 ns 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏： 10 µA 1000 V 不同 Vr、F 时电容： 10pF 4V，1MHz 安装类型：表面贴装型封装/外壳： DO-214AC，SMA 供应商器件封装： DO-214AC（SMA）工作温度 - 结： -55°C # 150°C 温度：

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	US1M-E3/61T Vishay(威世) 授权代理品牌	快恢复/超快恢复二极管 US1M-E3/61T SMA 下载数据手册未分类	+20：￥0.634161 +100：￥0.428582 +500：￥0.314358 +1800：￥0.228448 +3600：￥0.216953	库存： 1000 + 国内：1~2 天立即购买	暂无参数

图片	品牌型号	描述	价格（含税）	库存	关键参数
	US1M-E3/61T Vishay(威世) 授权代理品牌	DIODE GEN PURP 1KV 1A DO214AC 下载数据手册二极管整流器	+1：￥0.332024	库存： 1000 + 国内：1~2 天立即购买	品牌： Vishay General Semiconductor - Diodes Division 包装：剪切带（CT）,卷带（TR）封装/外壳： * 系列：零件状态：在售二极管类型：标准电压 - DC 反向 (Vr)（最大值）： 1000 V 电流 - 平均整流 (Io)： 1A 不同 If 时电压 - 正向 (Vf)： 1.7 V 1 A 速度：快速恢复 =< 500ns，> 200mA（Io）反向恢复时间 (trr)： 75 ns 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏： 10 µA 1000 V 不同 Vr、F 时电容： 10pF 4V，1MHz 安装类型：表面贴装型封装/外壳： DO-214AC，SMA 供应商器件封装： DO-214AC（SMA）工作温度 - 结： -55°C # 150°C 温度：

图片	品牌型号	描述	价格（含税）	库存	关键参数
	US1M-E3/61T Vishay(威世) 授权代理品牌	DIODE GEN PURP 1KV 1A DO214AC 下载数据手册未分类	1+: 需询价	库存： 1000 + 国内：1~2 天立即购买	品牌： Vishay General Semiconductor - Diodes Division 包装：剪切带（CT）,卷带（TR）封装/外壳： * 系列：零件状态：在售二极管类型：标准电压 - DC 反向 (Vr)（最大值）： 1000 V 电流 - 平均整流 (Io)： 1A 不同 If 时电压 - 正向 (Vf)： 1.7 V 1 A 速度：快速恢复 =< 500ns，> 200mA（Io）反向恢复时间 (trr)： 75 ns 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏： 10 µA 1000 V 不同 Vr、F 时电容： 10pF 4V，1MHz 安装类型：表面贴装型封装/外壳： DO-214AC，SMA 供应商器件封装： DO-214AC（SMA）工作温度 - 结： -55°C # 150°C 温度：
	US1M-E3/61T Vishay(威世) 授权代理品牌	DIODE GEN PURP 1KV 1A DO214AC 下载数据手册未分类	1+: 需询价	库存： 1000 + 国内：1~2 天立即购买	品牌： Vishay General Semiconductor - Diodes Division 包装：剪切带（CT）,卷带（TR）封装/外壳： * 系列：零件状态：在售二极管类型：标准电压 - DC 反向 (Vr)（最大值）： 1000 V 电流 - 平均整流 (Io)： 1A 不同 If 时电压 - 正向 (Vf)： 1.7 V 1 A 速度：快速恢复 =< 500ns，> 200mA（Io）反向恢复时间 (trr)： 75 ns 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏： 10 µA 1000 V 不同 Vr、F 时电容： 10pF 4V，1MHz 安装类型：表面贴装型封装/外壳： DO-214AC，SMA 供应商器件封装： DO-214AC（SMA）工作温度 - 结： -55°C # 150°C 温度：
	US1M-E3/61T Vishay(威世) 授权代理品牌	DIODE GEN PURP 1KV 1A DO214AC 下载数据手册未分类	+10：￥0.316197 +100：￥0.295117 +300：￥0.260441 +1000：￥0.233038 +5000：￥0.221338	库存： 1000 + 国内：1~2 天立即购买	品牌： Vishay General Semiconductor - Diodes Division 包装：剪切带（CT）,卷带（TR）封装/外壳： * 系列：零件状态：在售二极管类型：标准电压 - DC 反向 (Vr)（最大值）： 1000 V 电流 - 平均整流 (Io)： 1A 不同 If 时电压 - 正向 (Vf)： 1.7 V 1 A 速度：快速恢复 =< 500ns，> 200mA（Io）反向恢复时间 (trr)： 75 ns 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏： 10 µA 1000 V 不同 Vr、F 时电容： 10pF 4V，1MHz 安装类型：表面贴装型封装/外壳： DO-214AC，SMA 供应商器件封装： DO-214AC（SMA）工作温度 - 结： -55°C # 150°C 温度：
	US1M-E3/61T Vishay(威世) 授权代理品牌	DIODE GEN PURP 1KV 1A DO214AC 下载数据手册未分类	+1800：￥0.458807	库存： 1000 + 国内：1~2 天立即购买	品牌： Vishay General Semiconductor - Diodes Division 包装：剪切带（CT）,卷带（TR）封装/外壳： * 系列：零件状态：在售二极管类型：标准电压 - DC 反向 (Vr)（最大值）： 1000 V 电流 - 平均整流 (Io)： 1A 不同 If 时电压 - 正向 (Vf)： 1.7 V 1 A 速度：快速恢复 =< 500ns，> 200mA（Io）反向恢复时间 (trr)： 75 ns 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏： 10 µA 1000 V 不同 Vr、F 时电容： 10pF 4V，1MHz 安装类型：表面贴装型封装/外壳： DO-214AC，SMA 供应商器件封装： DO-214AC（SMA）工作温度 - 结： -55°C # 150°C 温度：
	US1M-E3/61T General(通用电缆) 授权代理品牌	US1M-E3/61T GENERAL SEMICONDUCTOR (VISHAY) 下载数据手册未分类	+1800：￥0.898839 +5400：￥0.865953 +18000：￥0.830981 +36000：￥0.811103 +72000：￥0.775149	库存： 1000 + 国内：1~2 天立即购买	暂无参数
	US1M-E3/61T Vishay(威世) 授权代理品牌	DIODE GEN PURP 1KV 1A DO214AC 下载数据手册未分类	+5400：￥0.606916 +18000：￥0.601884	库存： 1000 + 国内：1~2 天立即购买	品牌： Vishay General Semiconductor - Diodes Division 包装：剪切带（CT）,卷带（TR）封装/外壳： * 系列：零件状态：在售二极管类型：标准电压 - DC 反向 (Vr)（最大值）： 1000 V 电流 - 平均整流 (Io)： 1A 不同 If 时电压 - 正向 (Vf)： 1.7 V 1 A 速度：快速恢复 =< 500ns，> 200mA（Io）反向恢复时间 (trr)： 75 ns 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏： 10 µA 1000 V 不同 Vr、F 时电容： 10pF 4V，1MHz 安装类型：表面贴装型封装/外壳： DO-214AC，SMA 供应商器件封装： DO-214AC（SMA）工作温度 - 结： -55°C # 150°C 温度：

自营国内现货

图片	品牌型号	描述	价格（含税）	库存	关键参数
	US1M-E3/61T Vishay(威世) 授权代理品牌	DIODE GEN PURP 1KV 1A DO214AC 下载数据手册二极管整流器	+1800：￥0.677543 +3600：￥0.62376 +5400：￥0.597869 +9000：￥0.538082 +45000：￥0.530078	库存： 1000 + 国内：1~2 天立即购买	品牌： Vishay General Semiconductor - Diodes Division 包装：剪切带（CT）,卷带（TR）封装/外壳： * 系列：零件状态：在售二极管类型：标准电压 - DC 反向 (Vr)（最大值）： 1000 V 电流 - 平均整流 (Io)： 1A 不同 If 时电压 - 正向 (Vf)： 1.7 V 1 A 速度：快速恢复 =< 500ns，> 200mA（Io）反向恢复时间 (trr)： 75 ns 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏： 10 µA 1000 V 不同 Vr、F 时电容： 10pF 4V，1MHz 安装类型：表面贴装型封装/外壳： DO-214AC，SMA 供应商器件封装： DO-214AC（SMA）工作温度 - 结： -55°C # 150°C 温度：

US1M-E3/61T参数规格

属性	参数值
品牌:	Vishay General Semiconductor - Diodes Division
包装:	剪切带（CT）,卷带（TR）
封装/外壳:	*
系列:
零件状态:	在售
二极管类型:	标准
电压 - DC 反向 (Vr)（最大值）:	1000 V
电流 - 平均整流 (Io):	1A
不同 If 时电压 - 正向 (Vf):	1.7 V 1 A
速度:	快速恢复 =< 500ns，> 200mA（Io）
反向恢复时间 (trr):	75 ns
不同 Vr 时电流 - 反向泄漏:	10 µA 1000 V
不同 Vr、F 时电容:	10pF 4V，1MHz
安装类型:	表面贴装型
封装/外壳:	DO-214AC，SMA
供应商器件封装:	DO-214AC（SMA）
工作温度 - 结:	-55°C # 150°C
温度: