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图片 | 品牌型号 | 描述 | 价格(含税) | 库存 | 关键参数 |
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TPH4R003NL,L1Q 授权代理品牌 | +: ¥ +: ¥ +: ¥ +: ¥ +: ¥ |
TPH4R003NL,L1Q参数规格
属性 | 参数值 |
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品牌: | Toshiba Semiconductor and Storage |
包装: | Digi-Reel®,Cut Tape (CT),Tape & Reel (TR) |
封装/外壳: | * |
系列: | U-MOSVIII-H |
零件状态: | Active |
FET 类型: | N-Channel |
技术: | MOSFET (Metal Oxide) |
漏源电压(Vdss): | 30 V |
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id): | 40A (Tc) |
驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On): | 4.5V, 10V |
不同 Id、Vgs 时导通电阻(最大值): | 4mOhm 20A, 10V |
不同 Id 时 Vgs(th)(最大值): | 2.3V 200µA |
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)(最大值): | 14.8 nC 10 V |
Vgs(最大值): | ±20V |
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)(最大值): | 1400 pF 15 V |
FET 功能: | - |
功率耗散(最大值): | 1.6W (Ta), 36W (Tc) |
工作温度: | 150°C (TJ) |
安装类型: | Surface Mount |
供应商器件封装: | 8-SOP Advance (5x5) |
封装/外壳: | 8-PowerVDFN |
温度: | 150°C (TJ) |