锐单电子商城 , 一站式电子元器件采购平台!
  • 电话:400-990-0325

搜索 TPH4R003NL,L1Q5 条相关记录
自营 国内现货
图片品牌型号描述价格(含税)库存关键参数
TPH4R003NL,L1Q_晶体管-FET,MOSFET-单个
授权代理品牌
+5000:

¥2.62137

+10000:

¥2.500383

+25000:

¥2.419726

库存: 1000 +

国内:1~2 天

品牌: Toshiba Semiconductor and Storage

包装: Digi-Reel®,Cut Tape (CT),Tape & Reel (TR)

封装/外壳: *

系列: U-MOSVIII-H

零件状态: Active

FET 类型: N-Channel

技术: MOSFET (Metal Oxide)

漏源电压(Vdss): 30 V

25°C 时电流 - 连续漏极 (Id): 40A (Tc)

驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On): 4.5V, 10V

不同 Id、Vgs 时导通电阻(最大值): 4mOhm 20A, 10V

不同 Id 时 Vgs(th)(最大值): 2.3V 200µA

不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)(最大值): 14.8 nC 10 V

Vgs(最大值): ±20V

不同 Vds 时输入电容 (Ciss)(最大值): 1400 pF 15 V

FET 功能: -

功率耗散(最大值): 1.6W (Ta), 36W (Tc)

工作温度: 150°C (TJ)

安装类型: Surface Mount

供应商器件封装: 8-SOP Advance (5x5)

封装/外壳: 8-PowerVDFN

温度: 150°C (TJ)

Digi-Key
图片品牌型号描述价格(含税)库存关键参数
TPH4R003NL,L1Q_晶体管-FET,MOSFET-单个
授权代理品牌
+5000:

¥4.529718

+10000:

¥4.320654

+25000:

¥4.181279

库存: 0

货期:7~10 天

品牌: Toshiba Semiconductor and Storage

包装: Digi-Reel®,Cut Tape (CT),Tape & Reel (TR)

封装/外壳: *

系列: U-MOSVIII-H

零件状态: Active

FET 类型: N-Channel

技术: MOSFET (Metal Oxide)

漏源电压(Vdss): 30 V

25°C 时电流 - 连续漏极 (Id): 40A (Tc)

驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On): 4.5V, 10V

不同 Id、Vgs 时导通电阻(最大值): 4mOhm 20A, 10V

不同 Id 时 Vgs(th)(最大值): 2.3V 200µA

不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)(最大值): 14.8 nC 10 V

Vgs(最大值): ±20V

不同 Vds 时输入电容 (Ciss)(最大值): 1400 pF 15 V

FET 功能: -

功率耗散(最大值): 1.6W (Ta), 36W (Tc)

工作温度: 150°C (TJ)

安装类型: Surface Mount

供应商器件封装: 8-SOP Advance (5x5)

封装/外壳: 8-PowerVDFN

温度: 150°C (TJ)

TPH4R003NL,L1Q_晶体管-FET,MOSFET-单个
授权代理品牌
+1:

¥11.491102

+10:

¥10.280212

+25:

¥9.756317

+100:

¥7.317238

+250:

¥7.24755

库存: 0

货期:7~10 天

系列: U-MOSVIII-H

工作温度: 150°C (TJ)

安装类型: Surface Mount

封装/外壳: 8-PowerVDFN

供应商器件封装: 8-SOP Advance (5x5)

TPH4R003NL,L1Q_晶体管-FET,MOSFET-单个
授权代理品牌

库存: 0

货期:7~10 天

系列: U-MOSVIII-H

工作温度: 150°C (TJ)

安装类型: Surface Mount

封装/外壳: 8-PowerVDFN

供应商器件封装: 8-SOP Advance (5x5)

Mouser
图片品牌型号描述价格(含税)库存关键参数
TPH4R003NL,L1Q_晶体管
TPH4R003NL,L1Q
授权代理品牌

MOSFET N-CH 30V 63A 8SOP

晶体管

+:

+:

+:

+:

+:

库存: 0

货期:7~10 天

品牌: Toshiba Semiconductor and Storage

包装: Digi-Reel®,Cut Tape (CT),Tape & Reel (TR)

封装/外壳: *

系列: U-MOSVIII-H

零件状态: Active

FET 类型: N-Channel

技术: MOSFET (Metal Oxide)

漏源电压(Vdss): 30 V

25°C 时电流 - 连续漏极 (Id): 40A (Tc)

驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On): 4.5V, 10V

不同 Id、Vgs 时导通电阻(最大值): 4mOhm 20A, 10V

不同 Id 时 Vgs(th)(最大值): 2.3V 200µA

不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)(最大值): 14.8 nC 10 V

Vgs(最大值): ±20V

不同 Vds 时输入电容 (Ciss)(最大值): 1400 pF 15 V

FET 功能: -

功率耗散(最大值): 1.6W (Ta), 36W (Tc)

工作温度: 150°C (TJ)

安装类型: Surface Mount

供应商器件封装: 8-SOP Advance (5x5)

封装/外壳: 8-PowerVDFN

温度: 150°C (TJ)

TPH4R003NL,L1Q参数规格

属性 参数值
品牌: Toshiba Semiconductor and Storage
包装: Digi-Reel®,Cut Tape (CT),Tape & Reel (TR)
封装/外壳: *
系列: U-MOSVIII-H
零件状态: Active
FET 类型: N-Channel
技术: MOSFET (Metal Oxide)
漏源电压(Vdss): 30 V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id): 40A (Tc)
驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On): 4.5V, 10V
不同 Id、Vgs 时导通电阻(最大值): 4mOhm 20A, 10V
不同 Id 时 Vgs(th)(最大值): 2.3V 200µA
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)(最大值): 14.8 nC 10 V
Vgs(最大值): ±20V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)(最大值): 1400 pF 15 V
FET 功能: -
功率耗散(最大值): 1.6W (Ta), 36W (Tc)
工作温度: 150°C (TJ)
安装类型: Surface Mount
供应商器件封装: 8-SOP Advance (5x5)
封装/外壳: 8-PowerVDFN
温度: 150°C (TJ)