搜索 TPH1R405PL,L1Q 共 4 条相关记录
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图片 | 品牌型号 | 描述 | 价格(含税) | 库存 | 关键参数 |
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TPH1R405PL,L1Q 授权代理品牌 | +1: ¥21.496648 +10: ¥19.183718 +100: ¥14.966021 +500: ¥12.408192 +1000: ¥9.795941 |
TPH1R405PL,L1Q参数规格
属性 | 参数值 |
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品牌: | Toshiba Semiconductor and Storage |
包装: | 剪切带(CT),卷带(TR) |
封装/外壳: | * |
系列: | U-MOSIX-H |
零件状态: | 在售 |
FET 类型: | N 通道 |
技术: | MOSFET(金属氧化物) |
漏源电压(Vdss): | 45 V |
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id): | 120A(Tc) |
驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On): | 4.5V,10V |
不同 Id、Vgs 时导通电阻(最大值): | 1.4 毫欧 50A,10V |
不同 Id 时 Vgs(th)(最大值): | 2.4V 500µA |
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)(最大值): | 74 nC 10 V |
Vgs(最大值): | ±20V |
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)(最大值): | 6300 pF 22.5 V |
FET 功能: | - |
功率耗散(最大值): | 960mW(Ta),132W(Tc) |
工作温度: | 175°C |
安装类型: | 表面贴装型 |
供应商器件封装: | 8-SOP Advance(5x5) |
封装/外壳: | 8-PowerVDFN |
温度: | 175°C |