TSM2N7002KCX RFG厂家价格_数据手册

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自营现货库存

图片	品牌型号	描述	价格（含税）	库存	关键参数
	TSM2N7002KCX RFG Taiwan Semiconductor Corporation(台湾集成电路制造) 授权代理品牌	MOSFET N-CH 60V 300MA SOT23 下载数据手册晶体管-FET，MOSFET-单个	+10：￥0.34086 +100：￥0.273027 +300：￥0.239111 +3000：￥0.213674 +6000：￥0.193324	库存： 1000 + 国内：1~2 天立即购买	品牌： Taiwan Semiconductor Corporation 包装：剪切带（CT）,卷带（TR）封装/外壳： * 系列：零件状态：停产 FET 类型： N 通道技术： MOSFET（金属氧化物）漏源电压（Vdss）： 60 V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 300mA（Ta）驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）： 4.5V，10V 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 2 欧姆 300mA，10V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 2.5V 250µA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 0.4 nC 4.5 V Vgs（最大值）： ±20V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 30 pF 25 V FET 功能： - 功率耗散（最大值）： 300mW（Ta）工作温度： -55°C # 150°C（TJ）安装类型：表面贴装型供应商器件封装： SOT-23 封装/外壳： TO-236-3，SC-59，SOT-23-3 温度： -55°C # 150°C（TJ）

自营国内现货

图片	品牌型号	描述	价格（含税）	库存	关键参数
	TSM2N7002KCX RFG Taiwan Semiconductor Corporation(台湾集成电路制造) 授权代理品牌	MOSFET N-CH 60V 300MA SOT23 下载数据手册晶体管-FET，MOSFET-单个	+201000：￥0.469707	库存： 1000 + 国内：1~2 天立即购买	品牌： Taiwan Semiconductor Corporation 包装：剪切带（CT）,卷带（TR）封装/外壳： * 系列：零件状态：停产 FET 类型： N 通道技术： MOSFET（金属氧化物）漏源电压（Vdss）： 60 V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 300mA（Ta）驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）： 4.5V，10V 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 2 欧姆 300mA，10V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 2.5V 250µA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 0.4 nC 4.5 V Vgs（最大值）： ±20V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 30 pF 25 V FET 功能： - 功率耗散（最大值）： 300mW（Ta）工作温度： -55°C # 150°C（TJ）安装类型：表面贴装型供应商器件封装： SOT-23 封装/外壳： TO-236-3，SC-59，SOT-23-3 温度： -55°C # 150°C（TJ）

Digi-Key

品牌型号	描述	价格（含税）	库存	关键参数
TSM2N7002KCX RFG Taiwan Semiconductor Corporation(台湾集成电路制造) 授权代理品牌	MOSFET N-CH 60V 300MA SOT23 下载数据手册晶体管-FET，MOSFET-单个	+201000：￥1.149028	库存： 0 货期：7~10 天联系客服	品牌： Taiwan Semiconductor Corporation 包装：剪切带（CT）,卷带（TR）封装/外壳： * 系列：零件状态：停产 FET 类型： N 通道技术： MOSFET（金属氧化物）漏源电压（Vdss）： 60 V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 300mA（Ta）驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）： 4.5V，10V 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 2 欧姆 300mA，10V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 2.5V 250µA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 0.4 nC 4.5 V Vgs（最大值）： ±20V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 30 pF 25 V FET 功能： - 功率耗散（最大值）： 300mW（Ta）工作温度： -55°C # 150°C（TJ）安装类型：表面贴装型供应商器件封装： SOT-23 封装/外壳： TO-236-3，SC-59，SOT-23-3 温度： -55°C # 150°C（TJ）
TSM2N7002KCX RFG Taiwan Semiconductor Corporation(台湾集成电路制造) 授权代理品牌	MOSFET N-CH 60V 300MA SOT23 下载数据手册晶体管-FET，MOSFET-单个	+1：￥7.429049	库存： 0 货期：7~10 天联系客服	系列： - 工作温度： -55°C # 150°C (TJ) 安装类型： Surface Mount 封装/外壳： TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 供应商器件封装： SOT-23
TSM2N7002KCX RFG Taiwan Semiconductor Corporation(台湾集成电路制造) 授权代理品牌	MOSFET N-CH 60V 300MA SOT23 下载数据手册晶体管-FET，MOSFET-单个	+1：￥7.429049	库存： 0 货期：7~10 天联系客服	系列： - 工作温度： -55°C # 150°C (TJ) 安装类型： Surface Mount 封装/外壳： TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 供应商器件封装： SOT-23

Mouser

图片	品牌型号	描述	价格（含税）	库存	关键参数
	TSM2N7002KCX RFG Taiwan Semiconductor Corporation(台湾集成电路制造) 授权代理品牌	MOSFET N-CH 60V 300MA SOT23 下载数据手册未分类	+1：￥6.984058 +10：￥5.668456 +100：￥3.865595 +1000：￥2.257638 +3000：￥1.900316	库存： 0 货期：7~10 天联系客服	品牌： Taiwan Semiconductor Corporation 包装：剪切带（CT）,卷带（TR）封装/外壳： * 系列：零件状态：停产 FET 类型： N 通道技术： MOSFET（金属氧化物）漏源电压（Vdss）： 60 V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 300mA（Ta）驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）： 4.5V，10V 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 2 欧姆 300mA，10V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 2.5V 250µA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 0.4 nC 4.5 V Vgs（最大值）： ±20V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 30 pF 25 V FET 功能： - 功率耗散（最大值）： 300mW（Ta）工作温度： -55°C # 150°C（TJ）安装类型：表面贴装型供应商器件封装： SOT-23 封装/外壳： TO-236-3，SC-59，SOT-23-3 温度： -55°C # 150°C（TJ）

艾睿

图片	品牌型号	描述	价格（含税）	库存	关键参数
	TSM2N7002KCX RFG 授权代理品牌	Trans MOSFET N-CH 60V 0.3A 3-Pin SOT-23 T/R 下载数据手册未分类	+12000：￥1.42766	库存： 0 货期：7~10 天联系客服	暂无参数

TSM2N7002KCX RFG参数规格

属性	参数值
品牌:	Taiwan Semiconductor Corporation
包装:	剪切带（CT）,卷带（TR）
封装/外壳:	*
系列:
零件状态:	停产
FET 类型:	N 通道
技术:	MOSFET（金属氧化物）
漏源电压（Vdss）:	60 V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):	300mA（Ta）
驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:	4.5V，10V
不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:	2 欧姆 300mA，10V
不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:	2.5V 250µA
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）:	0.4 nC 4.5 V
Vgs（最大值）:	±20V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:	30 pF 25 V
FET 功能:	-
功率耗散（最大值）:	300mW（Ta）
工作温度:	-55°C # 150°C（TJ）
安装类型:	表面贴装型
供应商器件封装:	SOT-23
封装/外壳:	TO-236-3，SC-59，SOT-23-3
温度:	-55°C # 150°C（TJ）