TPHR6503PL,L1Q厂家价格_数据手册

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自营现货库存

图片	品牌型号	描述	价格（含税）	库存	关键参数
	TPHR6503PL,L1Q Toshiba(东芝) 授权代理品牌	MOSFET N-CH 30V 150A 8SOP 下载数据手册晶体管-FET，MOSFET-单个	+1：￥15.899178 +200：￥6.348744 +500：￥6.130198 +1000：￥6.031853	库存： 1000 + 国内：1~2 天立即购买	品牌： Toshiba Semiconductor and Storage 包装：剪切带（CT）,卷带（TR）封装/外壳： * 系列： U-MOSIX-H 零件状态：在售 FET 类型： N 通道技术： MOSFET（金属氧化物）漏源电压（Vdss）： 30 V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 150A（Tc）驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）： 4.5V，10V 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 0.65 毫欧 50A，10V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 2.1V 1mA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 110 nC 10 V Vgs（最大值）： ±20V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 10000 pF 15 V FET 功能： - 功率耗散（最大值）： 960mW（Ta），170W（Tc）工作温度： 175°C 安装类型：表面贴装型供应商器件封装： 8-SOP Advance（5x5）封装/外壳： 8-PowerVDFN 温度： 175°C

自营国内现货

图片	品牌型号	描述	价格（含税）	库存	关键参数
	TPHR6503PL,L1Q Toshiba(东芝) 授权代理品牌	MOSFET N-CH 30V 150A 8SOP 下载数据手册晶体管-FET，MOSFET-单个	+5000：￥6.208738 +10000：￥6.003223	库存： 1000 + 国内：1~2 天立即购买	品牌： Toshiba Semiconductor and Storage 包装：剪切带（CT）,卷带（TR）封装/外壳： * 系列： U-MOSIX-H 零件状态：在售 FET 类型： N 通道技术： MOSFET（金属氧化物）漏源电压（Vdss）： 30 V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 150A（Tc）驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）： 4.5V，10V 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 0.65 毫欧 50A，10V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 2.1V 1mA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 110 nC 10 V Vgs（最大值）： ±20V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 10000 pF 15 V FET 功能： - 功率耗散（最大值）： 960mW（Ta），170W（Tc）工作温度： 175°C 安装类型：表面贴装型供应商器件封装： 8-SOP Advance（5x5）封装/外壳： 8-PowerVDFN 温度： 175°C

Digi-Key

品牌型号	描述	价格（含税）	库存	关键参数
TPHR6503PL,L1Q Toshiba(东芝) 授权代理品牌	MOSFET N-CH 30V 150A 8SOP 下载数据手册晶体管-FET，MOSFET-单个	+5000：￥10.728679 +10000：￥10.373549	库存： 0 货期：7~10 天联系客服	品牌： Toshiba Semiconductor and Storage 包装：剪切带（CT）,卷带（TR）封装/外壳： * 系列： U-MOSIX-H 零件状态：在售 FET 类型： N 通道技术： MOSFET（金属氧化物）漏源电压（Vdss）： 30 V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 150A（Tc）驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）： 4.5V，10V 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 0.65 毫欧 50A，10V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 2.1V 1mA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 110 nC 10 V Vgs（最大值）： ±20V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 10000 pF 15 V FET 功能： - 功率耗散（最大值）： 960mW（Ta），170W（Tc）工作温度： 175°C 安装类型：表面贴装型供应商器件封装： 8-SOP Advance（5x5）封装/外壳： 8-PowerVDFN 温度： 175°C
TPHR6503PL,L1Q Toshiba(东芝) 授权代理品牌	MOSFET N-CH 30V 150A 8SOP 下载数据手册晶体管-FET，MOSFET-单个	+1：￥24.672223 +10：￥20.535265 +100：￥16.344725 +500：￥13.829903 +1000：￥11.734508	库存： 0 货期：7~10 天联系客服	系列： U-MOSIX-H 工作温度： 175°C 安装类型： Surface Mount 封装/外壳： 8-PowerVDFN 供应商器件封装： 8-SOP Advance (5x5)
TPHR6503PL,L1Q Toshiba(东芝) 授权代理品牌	MOSFET N-CH 30V 150A 8SOP 下载数据手册晶体管-FET，MOSFET-单个	+1：￥24.672223 +10：￥20.535265 +100：￥16.344725 +500：￥13.829903 +1000：￥11.734508	库存： 0 货期：7~10 天联系客服	系列： U-MOSIX-H 工作温度： 175°C 安装类型： Surface Mount 封装/外壳： 8-PowerVDFN 供应商器件封装： 8-SOP Advance (5x5)

Mouser

图片	品牌型号	描述	价格（含税）	库存	关键参数
	TPHR6503PL,L1Q Toshiba(东芝) 授权代理品牌	MOSFET N-CH 30V 150A 8SOP 下载数据手册未分类	+1：￥31.368853 +10：￥25.982282 +100：￥20.75414 +250：￥19.169855 +500：￥17.268713	库存： 0 货期：7~10 天联系客服	品牌： Toshiba Semiconductor and Storage 包装：剪切带（CT）,卷带（TR）封装/外壳： * 系列： U-MOSIX-H 零件状态：在售 FET 类型： N 通道技术： MOSFET（金属氧化物）漏源电压（Vdss）： 30 V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 150A（Tc）驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）： 4.5V，10V 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 0.65 毫欧 50A，10V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 2.1V 1mA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 110 nC 10 V Vgs（最大值）： ±20V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 10000 pF 15 V FET 功能： - 功率耗散（最大值）： 960mW（Ta），170W（Tc）工作温度： 175°C 安装类型：表面贴装型供应商器件封装： 8-SOP Advance（5x5）封装/外壳： 8-PowerVDFN 温度： 175°C

TPHR6503PL,L1Q参数规格

属性	参数值
品牌:	Toshiba Semiconductor and Storage
包装:	剪切带（CT）,卷带（TR）
封装/外壳:	*
系列:	U-MOSIX-H
零件状态:	在售
FET 类型:	N 通道
技术:	MOSFET（金属氧化物）
漏源电压（Vdss）:	30 V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):	150A（Tc）
驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:	4.5V，10V
不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:	0.65 毫欧 50A，10V
不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:	2.1V 1mA
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）:	110 nC 10 V
Vgs（最大值）:	±20V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:	10000 pF 15 V
FET 功能:	-
功率耗散（最大值）:	960mW（Ta），170W（Tc）
工作温度:	175°C
安装类型:	表面贴装型
供应商器件封装:	8-SOP Advance（5x5）
封装/外壳:	8-PowerVDFN
温度:	175°C