TPH8R80ANH,L1Q厂家价格_数据手册

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自营现货库存

图片	品牌型号	描述	价格（含税）	库存	关键参数
	TPH8R80ANH,L1Q Toshiba(东芝) 授权代理品牌	MOSFET N CH 100V 32A 8-SOP 下载数据手册晶体管-FET，MOSFET-单个	+1：￥11.943506 +200：￥4.76429 +500：￥4.611308 +1000：￥4.534817	库存： 1000 + 国内：1~2 天立即购买	品牌： Toshiba Semiconductor and Storage 包装：剪切带（CT）,卷带（TR）封装/外壳： * 系列： U-MOSVIII-H 零件状态：在售 FET 类型： N 通道技术： MOSFET（金属氧化物）漏源电压（Vdss）： 100 V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 32A（Tc）驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）： 10V 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 8.8 毫欧 16A，10V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 4V 500µA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 33 nC 10 V Vgs（最大值）： ±20V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 2800 pF 50 V FET 功能： - 功率耗散（最大值）： 1.6W（Ta），61W（Tc）工作温度： 150°C（TJ）安装类型：表面贴装型供应商器件封装： 8-SOP Advance（5x5）封装/外壳： 8-PowerVDFN 温度： 150°C（TJ）

自营国内现货

图片	品牌型号	描述	价格（含税）	库存	关键参数
	TPH8R80ANH,L1Q Toshiba(东芝) 授权代理品牌	MOSFET N CH 100V 32A 8-SOP 下载数据手册晶体管-FET，MOSFET-单个	+5000：￥4.120389	库存： 1000 + 国内：1~2 天立即购买	品牌： Toshiba Semiconductor and Storage 包装：剪切带（CT）,卷带（TR）封装/外壳： * 系列： U-MOSVIII-H 零件状态：在售 FET 类型： N 通道技术： MOSFET（金属氧化物）漏源电压（Vdss）： 100 V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 32A（Tc）驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）： 10V 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 8.8 毫欧 16A，10V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 4V 500µA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 33 nC 10 V Vgs（最大值）： ±20V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 2800 pF 50 V FET 功能： - 功率耗散（最大值）： 1.6W（Ta），61W（Tc）工作温度： 150°C（TJ）安装类型：表面贴装型供应商器件封装： 8-SOP Advance（5x5）封装/外壳： 8-PowerVDFN 温度： 150°C（TJ）

Digi-Key

品牌型号	描述	价格（含税）	库存	关键参数
TPH8R80ANH,L1Q Toshiba(东芝) 授权代理品牌	MOSFET N CH 100V 32A 8-SOP 下载数据手册晶体管-FET，MOSFET-单个	+5000：￥10.938524	库存： 0 货期：7~10 天联系客服	品牌： Toshiba Semiconductor and Storage 包装：剪切带（CT）,卷带（TR）封装/外壳： * 系列： U-MOSVIII-H 零件状态：在售 FET 类型： N 通道技术： MOSFET（金属氧化物）漏源电压（Vdss）： 100 V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 32A（Tc）驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）： 10V 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 8.8 毫欧 16A，10V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 4V 500µA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 33 nC 10 V Vgs（最大值）： ±20V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 2800 pF 50 V FET 功能： - 功率耗散（最大值）： 1.6W（Ta），61W（Tc）工作温度： 150°C（TJ）安装类型：表面贴装型供应商器件封装： 8-SOP Advance（5x5）封装/外壳： 8-PowerVDFN 温度： 150°C（TJ）
TPH8R80ANH,L1Q Toshiba(东芝) 授权代理品牌	MOSFET N CH 100V 32A 8-SOP 下载数据手册晶体管-FET，MOSFET-单个	+1：￥25.854693 +10：￥21.066221 +100：￥14.949826 +500：￥13.388754	库存： 0 货期：7~10 天联系客服	系列： U-MOSVIII-H 工作温度： 150°C (TJ) 安装类型： Surface Mount 封装/外壳： 8-PowerVDFN 供应商器件封装： 8-SOP Advance (5x5)
TPH8R80ANH,L1Q Toshiba(东芝) 授权代理品牌	MOSFET N CH 100V 32A 8-SOP 下载数据手册晶体管-FET，MOSFET-单个	+1：￥25.854693 +10：￥21.066221 +100：￥14.949826 +500：￥13.388754	库存： 0 货期：7~10 天联系客服	系列： U-MOSVIII-H 工作温度： 150°C (TJ) 安装类型： Surface Mount 封装/外壳： 8-PowerVDFN 供应商器件封装： 8-SOP Advance (5x5)

Mouser

图片	品牌型号	描述	价格（含税）	库存	关键参数
	TPH8R80ANH,L1Q Toshiba(东芝) 授权代理品牌	MOSFET N CH 100V 32A 8-SOP 下载数据手册未分类	+1：￥27.527603 +10：￥22.386906 +25：￥21.226103 +100：￥15.886413 +250：￥15.836664	库存： 0 货期：7~10 天联系客服	品牌： Toshiba Semiconductor and Storage 包装：剪切带（CT）,卷带（TR）封装/外壳： * 系列： U-MOSVIII-H 零件状态：在售 FET 类型： N 通道技术： MOSFET（金属氧化物）漏源电压（Vdss）： 100 V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 32A（Tc）驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）： 10V 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 8.8 毫欧 16A，10V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 4V 500µA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 33 nC 10 V Vgs（最大值）： ±20V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 2800 pF 50 V FET 功能： - 功率耗散（最大值）： 1.6W（Ta），61W（Tc）工作温度： 150°C（TJ）安装类型：表面贴装型供应商器件封装： 8-SOP Advance（5x5）封装/外壳： 8-PowerVDFN 温度： 150°C（TJ）

艾睿

图片	品牌型号	描述	价格（含税）	库存	关键参数
	TPH8R80ANH,L1Q Toshiba 授权代理品牌	Trans MOSFET N-CH Si 100V 59A 8-Pin SOP Advance T/R 下载数据手册未分类	+5000：￥16.488445 +10000：￥16.415698 +15000：￥16.341405 +20000：￥16.267112 +25000：￥16.191271	库存： 0 货期：7~10 天联系客服	暂无参数

TPH8R80ANH,L1Q参数规格

属性	参数值
品牌:	Toshiba Semiconductor and Storage
包装:	剪切带（CT）,卷带（TR）
封装/外壳:	*
系列:	U-MOSVIII-H
零件状态:	在售
FET 类型:	N 通道
技术:	MOSFET（金属氧化物）
漏源电压（Vdss）:	100 V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):	32A（Tc）
驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:	10V
不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:	8.8 毫欧 16A，10V
不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:	4V 500µA
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）:	33 nC 10 V
Vgs（最大值）:	±20V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:	2800 pF 50 V
FET 功能:	-
功率耗散（最大值）:	1.6W（Ta），61W（Tc）
工作温度:	150°C（TJ）
安装类型:	表面贴装型
供应商器件封装:	8-SOP Advance（5x5）
封装/外壳:	8-PowerVDFN
温度:	150°C（TJ）