搜索 TK33S10N1Z,LQ 共 4 条相关记录
Digi-Key
| 图片 | 品牌型号 | 描述 | 价格（含税） | 库存 | 关键参数 |
|---|---|---|---|---|---|
 | 授权代理品牌 | +2000： ￥9.218112 +6000： ￥8.380102 +10000： ￥7.993328 +50000： ￥7.735479 | |||
 | 授权代理品牌 | +1： ￥21.251316 +10： ￥19.012843 +25： ￥18.049451 +100： ￥13.537088 +250： ￥13.408163 | 系列： U-MOSVIII-H 工作温度： 175°C (TJ) 安装类型： Surface Mount 封装/外壳： TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 供应商器件封装： DPAK+ | ||
 | 授权代理品牌 | 1+: | 系列： U-MOSVIII-H 工作温度： 175°C (TJ) 安装类型： Surface Mount 封装/外壳： TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 供应商器件封装： DPAK+ |
Mouser
| 图片 | 品牌型号 | 描述 | 价格（含税） | 库存 | 关键参数 |
|---|---|---|---|---|---|
| TK33S10N1Z,LQ 授权代理品牌 | +： ￥ +： ￥ +： ￥ +： ￥ +： ￥ |
TK33S10N1Z,LQ参数规格
| 属性 | 参数值 |
|---|---|
| 品牌: | Toshiba Semiconductor and Storage |
| 包装: | 剪切带（CT）,卷带（TR） |
| 封装/外壳: | * |
| 系列: | U-MOSVIII-H |
| 零件状态: | 在售 |
| FET 类型: | N 通道 |
| 技术: | MOSFET（金属氧化物） |
| 漏源电压（Vdss）: | 100 V |
| 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id): | 33A（Ta） |
| 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）: | 10V |
| 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）: | 9.7 毫欧 16.5A，10V |
| 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）: | 4V 500µA |
| 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）: | 28 nC 10 V |
| Vgs（最大值）: | ±20V |
| 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）: | 2050 pF 10 V |
| FET 功能: | - |
| 功率耗散（最大值）: | 125W（Tc） |
| 工作温度: | 175°C（TJ） |
| 安装类型: | 表面贴装型 |
| 供应商器件封装: | DPAK+ |
| 封装/外壳: | TO-252-3，DPak（2 引线 + 接片），SC-63 |
| 温度: | 175°C（TJ） |