搜索 TPH6400ENH,L1Q 共 4 条相关记录
Digi-Key
| 图片 | 品牌型号 | 描述 | 价格（含税） | 库存 | 关键参数 |
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 | 授权代理品牌 | +5000： ￥8.018566 +10000： ￥7.70534 +25000： ￥7.517405 | |||
 | 授权代理品牌 | +1： ￥18.534036 +10： ￥16.606496 +25： ￥15.662496 +100： ￥12.216401 +250： ￥11.902805 | 系列： U-MOSVIII-H 工作温度： 150°C (TJ) 安装类型： Surface Mount 封装/外壳： 8-PowerVDFN 供应商器件封装： 8-SOP Advance (5x5) | ||
 | 授权代理品牌 | 1+: | 系列： U-MOSVIII-H 工作温度： 150°C (TJ) 安装类型： Surface Mount 封装/外壳： 8-PowerVDFN 供应商器件封装： 8-SOP Advance (5x5) |
Mouser
| 图片 | 品牌型号 | 描述 | 价格（含税） | 库存 | 关键参数 |
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| TPH6400ENH,L1Q 授权代理品牌 | +： ￥ +： ￥ +： ￥ +： ￥ +： ￥ |
TPH6400ENH,L1Q参数规格
| 属性 | 参数值 |
|---|---|
| 品牌: | Toshiba Semiconductor and Storage |
| 包装: | 剪切带（CT）,卷带（TR） |
| 封装/外壳: | * |
| 系列: | U-MOSVIII-H |
| 零件状态: | 在售 |
| FET 类型: | N 通道 |
| 技术: | MOSFET（金属氧化物） |
| 漏源电压（Vdss）: | 200 V |
| 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id): | 13A（Ta） |
| 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）: | 10V |
| 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）: | 64 毫欧 6.5A，10V |
| 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）: | 4V 300µA |
| 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）: | 11.2 nC 10 V |
| Vgs（最大值）: | ±20V |
| 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）: | 1100 pF 100 V |
| FET 功能: | - |
| 功率耗散（最大值）: | 1.6W（Ta），57W（Tc） |
| 工作温度: | 150°C（TJ） |
| 安装类型: | 表面贴装型 |
| 供应商器件封装: | 8-SOP Advance（5x5） |
| 封装/外壳: | 8-PowerVDFN |
| 温度: | 150°C（TJ） |