TK49N65W5,S1F厂家价格_数据手册_参数规格-锐单商城

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自营现货库存

图片	品牌型号	描述	价格（含税）	库存	关键参数
	TK49N65W5,S1F Toshiba(东芝) 授权代理品牌	X35 PB-F POWER MOSFET TRANSISTOR 下载数据手册晶体管-FET，MOSFET-单个	+1：￥123.095697 +210：￥49.118079 +510：￥47.478988 +990：￥46.67037	库存： 1000 + 国内：1~2 天立即购买	品牌： Toshiba Semiconductor and Storage 包装：管件封装/外壳： * 系列：零件状态：在售 FET 类型： N 通道技术： MOSFET（金属氧化物）漏源电压（Vdss）： 650 V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 49.2A（Ta）驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）： 10V 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 57 毫欧 24.6A，10V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 4.5V 2.5mA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 185 nC 10 V Vgs（最大值）： ±30V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 6500 pF 300 V FET 功能： - 功率耗散（最大值）： 400W（Tc）工作温度： 150°C 安装类型：通孔供应商器件封装： TO-247 封装/外壳： TO-247-3 温度： 150°C

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	TK49N65W5,S1F Toshiba(东芝) 授权代理品牌	X35 PB-F POWER MOSFET TRANSISTOR 下载数据手册晶体管-FET，MOSFET-单个	+1：￥33.653004	库存： 1000 + 国内：1~2 天立即购买	品牌： Toshiba Semiconductor and Storage 包装：管件封装/外壳： * 系列：零件状态：在售 FET 类型： N 通道技术： MOSFET（金属氧化物）漏源电压（Vdss）： 650 V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 49.2A（Ta）驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）： 10V 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 57 毫欧 24.6A，10V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 4.5V 2.5mA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 185 nC 10 V Vgs（最大值）： ±30V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 6500 pF 300 V FET 功能： - 功率耗散（最大值）： 400W（Tc）工作温度： 150°C 安装类型：通孔供应商器件封装： TO-247 封装/外壳： TO-247-3 温度： 150°C

自营国内现货

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	TK49N65W5,S1F Toshiba(东芝) 授权代理品牌	X35 PB-F POWER MOSFET TRANSISTOR 下载数据手册晶体管-FET，MOSFET-单个	+1：￥66.36602 +30：￥52.981914 +120：￥47.40425 +510：￥41.827169 +1020：￥37.644476	库存： 1000 + 国内：1~2 天立即购买	品牌： Toshiba Semiconductor and Storage 包装：管件封装/外壳： * 系列：零件状态：在售 FET 类型： N 通道技术： MOSFET（金属氧化物）漏源电压（Vdss）： 650 V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 49.2A（Ta）驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）： 10V 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 57 毫欧 24.6A，10V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 4.5V 2.5mA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 185 nC 10 V Vgs（最大值）： ±30V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 6500 pF 300 V FET 功能： - 功率耗散（最大值）： 400W（Tc）工作温度： 150°C 安装类型：通孔供应商器件封装： TO-247 封装/外壳： TO-247-3 温度： 150°C

Digi-Key

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	TK49N65W5,S1F Toshiba(东芝) 授权代理品牌	X35 PB-F POWER MOSFET TRANSISTOR 下载数据手册晶体管-FET，MOSFET-单个	+1：￥162.348869 +30：￥129.6078 +120：￥115.963355 +510：￥102.320339 +1020：￥92.088363	库存： 0 货期：7~10 天联系客服	品牌： Toshiba Semiconductor and Storage 包装：管件封装/外壳： * 系列：零件状态：在售 FET 类型： N 通道技术： MOSFET（金属氧化物）漏源电压（Vdss）： 650 V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 49.2A（Ta）驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）： 10V 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 57 毫欧 24.6A，10V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 4.5V 2.5mA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 185 nC 10 V Vgs（最大值）： ±30V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 6500 pF 300 V FET 功能： - 功率耗散（最大值）： 400W（Tc）工作温度： 150°C 安装类型：通孔供应商器件封装： TO-247 封装/外壳： TO-247-3 温度： 150°C

Mouser

图片	品牌型号	描述	价格（含税）	库存	关键参数
	TK49N65W5,S1F Toshiba(东芝) 授权代理品牌	X35 PB-F POWER MOSFET TRANSISTOR 下载数据手册晶体管	+1：￥185.588325 +30：￥148.209497 +120：￥132.702996	库存： 0 货期：7~10 天联系客服	品牌： Toshiba Semiconductor and Storage 包装：管件封装/外壳： * 系列：零件状态：在售 FET 类型： N 通道技术： MOSFET（金属氧化物）漏源电压（Vdss）： 650 V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 49.2A（Ta）驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）： 10V 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 57 毫欧 24.6A，10V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 4.5V 2.5mA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 185 nC 10 V Vgs（最大值）： ±30V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 6500 pF 300 V FET 功能： - 功率耗散（最大值）： 400W（Tc）工作温度： 150°C 安装类型：通孔供应商器件封装： TO-247 封装/外壳： TO-247-3 温度： 150°C

艾睿

图片	品牌型号	描述	价格（含税）	库存	关键参数
	TK49N65W5,S1F 授权代理品牌	MOSFETs Silicon N-Channel MOS 下载数据手册未分类	+1：￥67.763055 +10：￥65.992592 +25：￥65.021691 +50：￥64.307796 +100：￥61.323709	库存： 0 货期：7~10 天联系客服	暂无参数
	TK49N65W5,S1F Toshiba 授权代理品牌	MOSFETs Silicon N-Channel MOS 下载数据手册未分类	+30：￥115.265984 +100：￥104.197707 +120：￥103.153234 +500：￥96.761694 +510：￥95.686044	库存： 0 货期：7~10 天联系客服	暂无参数

TK49N65W5,S1F参数规格

属性	参数值
品牌:	Toshiba Semiconductor and Storage
包装:	管件
封装/外壳:	*
系列:
零件状态:	在售
FET 类型:	N 通道
技术:	MOSFET（金属氧化物）
漏源电压（Vdss）:	650 V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):	49.2A（Ta）
驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:	10V
不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:	57 毫欧 24.6A，10V
不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:	4.5V 2.5mA
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）:	185 nC 10 V
Vgs（最大值）:	±30V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:	6500 pF 300 V
FET 功能:	-
功率耗散（最大值）:	400W（Tc）
工作温度:	150°C
安装类型:	通孔
供应商器件封装:	TO-247
封装/外壳:	TO-247-3
温度:	150°C