TK110P10PL,RQ厂家价格_数据手册_参数规格-锐单商城

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图片	品牌型号	描述	价格（含税）	库存	关键参数
	TK110P10PL,RQ Toshiba(东芝) 授权代理品牌	X35 PB-F POWER MOSFET TRANSISTOR 下载数据手册晶体管-FET，MOSFET-单个	1+: 需询价	库存： 1000 + 国内：1~2 天立即购买	品牌： Toshiba Semiconductor and Storage 包装：剪切带（CT）,卷带（TR）封装/外壳： * 系列：零件状态：在售 FET 类型： N 通道技术： MOSFET（金属氧化物）漏源电压（Vdss）： 100 V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 40A（Tc）驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）： 4.5V，10V 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 10.6 毫欧 20A，10V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 2.5V 300µA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 33 nC 10 V Vgs（最大值）： ±20V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 2040 pF 50 V FET 功能： - 功率耗散（最大值）： 75W（Tc）工作温度： 175°C 安装类型：表面贴装型供应商器件封装： DPAK 封装/外壳： TO-252-3，DPak（2 引线 + 接片），SC-63 温度： 175°C

自营国内现货

图片	品牌型号	描述	价格（含税）	库存	关键参数
	TK110P10PL,RQ Toshiba(东芝) 授权代理品牌	X35 PB-F POWER MOSFET TRANSISTOR 下载数据手册晶体管-FET，MOSFET-单个	+2500：￥2.271885 +5000：￥2.158289 +12500：￥2.077164 +25000：￥2.055515	库存： 1000 + 国内：1~2 天立即购买	品牌： Toshiba Semiconductor and Storage 包装：剪切带（CT）,卷带（TR）封装/外壳： * 系列：零件状态：在售 FET 类型： N 通道技术： MOSFET（金属氧化物）漏源电压（Vdss）： 100 V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 40A（Tc）驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）： 4.5V，10V 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 10.6 毫欧 20A，10V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 2.5V 300µA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 33 nC 10 V Vgs（最大值）： ±20V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 2040 pF 50 V FET 功能： - 功率耗散（最大值）： 75W（Tc）工作温度： 175°C 安装类型：表面贴装型供应商器件封装： DPAK 封装/外壳： TO-252-3，DPak（2 引线 + 接片），SC-63 温度： 175°C

Digi-Key

品牌型号	描述	价格（含税）	库存	关键参数
TK110P10PL,RQ Toshiba(东芝) 授权代理品牌	X35 PB-F POWER MOSFET TRANSISTOR 下载数据手册晶体管-FET，MOSFET-单个	+2500：￥5.557634 +5000：￥5.279746 +12500：￥5.081293 +25000：￥5.028335	库存： 0 货期：7~10 天联系客服	品牌： Toshiba Semiconductor and Storage 包装：剪切带（CT）,卷带（TR）封装/外壳： * 系列：零件状态：在售 FET 类型： N 通道技术： MOSFET（金属氧化物）漏源电压（Vdss）： 100 V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 40A（Tc）驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）： 4.5V，10V 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 10.6 毫欧 20A，10V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 2.5V 300µA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 33 nC 10 V Vgs（最大值）： ±20V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 2040 pF 50 V FET 功能： - 功率耗散（最大值）： 75W（Tc）工作温度： 175°C 安装类型：表面贴装型供应商器件封装： DPAK 封装/外壳： TO-252-3，DPak（2 引线 + 接片），SC-63 温度： 175°C
TK110P10PL,RQ Toshiba(东芝) 授权代理品牌	X35 PB-F POWER MOSFET TRANSISTOR 下载数据手册晶体管-FET，MOSFET-单个	+1：￥13.102798 +10：￥11.710625 +100：￥9.131013 +500：￥7.542572 +1000：￥5.954676	库存： 0 货期：7~10 天联系客服	系列： * 工作温度： - 安装类型： - 封装/外壳： - 供应商器件封装： -
TK110P10PL,RQ Toshiba(东芝) 授权代理品牌	X35 PB-F POWER MOSFET TRANSISTOR 下载数据手册晶体管-FET，MOSFET-单个	+1：￥13.102798 +10：￥11.710625 +100：￥9.131013 +500：￥7.542572 +1000：￥5.954676	库存： 0 货期：7~10 天联系客服	系列： * 工作温度： - 安装类型： - 封装/外壳： - 供应商器件封装： -

Mouser

图片	品牌型号	描述	价格（含税）	库存	关键参数
	TK110P10PL,RQ Toshiba(东芝) 授权代理品牌	X35 PB-F POWER MOSFET TRANSISTOR 下载数据手册未分类	+1：￥14.872147 +10：￥12.322637 +100：￥9.593352 +500：￥8.122481 +1000：￥6.618924	库存： 0 货期：7~10 天联系客服	品牌： Toshiba Semiconductor and Storage 包装：剪切带（CT）,卷带（TR）封装/外壳： * 系列：零件状态：在售 FET 类型： N 通道技术： MOSFET（金属氧化物）漏源电压（Vdss）： 100 V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 40A（Tc）驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）： 4.5V，10V 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 10.6 毫欧 20A，10V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 2.5V 300µA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 33 nC 10 V Vgs（最大值）： ±20V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 2040 pF 50 V FET 功能： - 功率耗散（最大值）： 75W（Tc）工作温度： 175°C 安装类型：表面贴装型供应商器件封装： DPAK 封装/外壳： TO-252-3，DPak（2 引线 + 接片），SC-63 温度： 175°C

艾睿

图片	品牌型号	描述	价格（含税）	库存	关键参数
	TK110P10PL,RQ Toshiba 授权代理品牌	Trans MOSFET N-CH Si 100V 40A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R 下载数据手册未分类	+2500：￥9.042059 +5000：￥8.951529 +10000：￥8.862559 +15000：￥8.773592 +20000：￥8.686184	库存： 0 货期：7~10 天联系客服	暂无参数

TK110P10PL,RQ参数规格

属性	参数值
品牌:	Toshiba Semiconductor and Storage
包装:	剪切带（CT）,卷带（TR）
封装/外壳:	*
系列:
零件状态:	在售
FET 类型:	N 通道
技术:	MOSFET（金属氧化物）
漏源电压（Vdss）:	100 V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):	40A（Tc）
驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:	4.5V，10V
不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:	10.6 毫欧 20A，10V
不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:	2.5V 300µA
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）:	33 nC 10 V
Vgs（最大值）:	±20V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:	2040 pF 50 V
FET 功能:	-
功率耗散（最大值）:	75W（Tc）
工作温度:	175°C
安装类型:	表面贴装型
供应商器件封装:	DPAK
封装/外壳:	TO-252-3，DPak（2 引线 + 接片），SC-63
温度:	175°C