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自营现货库存

图片	品牌型号	描述	价格（含税）	库存	关键参数
	TP86R203NL,LQ Toshiba(东芝) 授权代理品牌	MOSFET N CH 30V 19A 8SOP 下载数据手册晶体管-FET，MOSFET-单个	+1：￥6.184835 +200：￥2.469563 +500：￥2.393072 +1000：￥2.349363	库存： 1000 + 国内：1~2 天立即购买	品牌： Toshiba Semiconductor and Storage 包装：剪切带（CT）,卷带（TR）封装/外壳： * 系列： U-MOSVIII-H 零件状态：在售 FET 类型： N 通道技术： MOSFET（金属氧化物）漏源电压（Vdss）： 30 V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 19A（Ta）驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）： 4.5V，10V 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 6.2 毫欧 9A，10V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 2.3V 200µA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 17 nC 10 V Vgs（最大值）： ±20V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 1400 pF 15 V FET 功能： - 功率耗散（最大值）： 1W（Tc）工作温度： 150°C（TJ）安装类型：表面贴装型供应商器件封装： 8-SOP 封装/外壳： 8-SOIC（0.154，3.90mm 宽）温度： 150°C（TJ）

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	TP86R203NL,LQ Toshiba(东芝) 授权代理品牌	MOSFET N CH 30V 19A 8SOP 下载数据手册晶体管-FET，MOSFET-单个	+1：￥8.65634	库存： 1000 + 国内：1~2 天立即购买	品牌： Toshiba Semiconductor and Storage 包装：剪切带（CT）,卷带（TR）封装/外壳： * 系列： U-MOSVIII-H 零件状态：在售 FET 类型： N 通道技术： MOSFET（金属氧化物）漏源电压（Vdss）： 30 V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 19A（Ta）驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）： 4.5V，10V 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 6.2 毫欧 9A，10V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 2.3V 200µA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 17 nC 10 V Vgs（最大值）： ±20V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 1400 pF 15 V FET 功能： - 功率耗散（最大值）： 1W（Tc）工作温度： 150°C（TJ）安装类型：表面贴装型供应商器件封装： 8-SOP 封装/外壳： 8-SOIC（0.154，3.90mm 宽）温度： 150°C（TJ）

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	TP86R203NL,LQ Toshiba(东芝) 授权代理品牌	MOSFET N CH 30V 19A 8SOP 下载数据手册晶体管-FET，MOSFET-单个	1+: 需询价	库存： 1000 + 国内：1~2 天立即购买	品牌： Toshiba Semiconductor and Storage 包装：剪切带（CT）,卷带（TR）封装/外壳： * 系列： U-MOSVIII-H 零件状态：在售 FET 类型： N 通道技术： MOSFET（金属氧化物）漏源电压（Vdss）： 30 V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 19A（Ta）驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）： 4.5V，10V 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 6.2 毫欧 9A，10V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 2.3V 200µA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 17 nC 10 V Vgs（最大值）： ±20V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 1400 pF 15 V FET 功能： - 功率耗散（最大值）： 1W（Tc）工作温度： 150°C（TJ）安装类型：表面贴装型供应商器件封装： 8-SOP 封装/外壳： 8-SOIC（0.154，3.90mm 宽）温度： 150°C（TJ）

自营国内现货

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	TP86R203NL,LQ Toshiba(东芝) 授权代理品牌	MOSFET N CH 30V 19A 8SOP 下载数据手册晶体管-FET，MOSFET-单个	+2500：￥2.023526 +5000：￥1.927214 +12500：￥1.890886	库存： 1000 + 国内：1~2 天立即购买	品牌： Toshiba Semiconductor and Storage 包装：剪切带（CT）,卷带（TR）封装/外壳： * 系列： U-MOSVIII-H 零件状态：在售 FET 类型： N 通道技术： MOSFET（金属氧化物）漏源电压（Vdss）： 30 V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 19A（Ta）驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）： 4.5V，10V 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 6.2 毫欧 9A，10V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 2.3V 200µA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 17 nC 10 V Vgs（最大值）： ±20V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 1400 pF 15 V FET 功能： - 功率耗散（最大值）： 1W（Tc）工作温度： 150°C（TJ）安装类型：表面贴装型供应商器件封装： 8-SOP 封装/外壳： 8-SOIC（0.154，3.90mm 宽）温度： 150°C（TJ）

Digi-Key

品牌型号	描述	价格（含税）	库存	关键参数
TP86R203NL,LQ Toshiba(东芝) 授权代理品牌	MOSFET N CH 30V 19A 8SOP 下载数据手册晶体管-FET，MOSFET-单个	+2500：￥4.950078 +5000：￥4.714476 +12500：￥4.625607	库存： 0 货期：7~10 天联系客服	品牌： Toshiba Semiconductor and Storage 包装：剪切带（CT）,卷带（TR）封装/外壳： * 系列： U-MOSVIII-H 零件状态：在售 FET 类型： N 通道技术： MOSFET（金属氧化物）漏源电压（Vdss）： 30 V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 19A（Ta）驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）： 4.5V，10V 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 6.2 毫欧 9A，10V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 2.3V 200µA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 17 nC 10 V Vgs（最大值）： ±20V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 1400 pF 15 V FET 功能： - 功率耗散（最大值）： 1W（Tc）工作温度： 150°C（TJ）安装类型：表面贴装型供应商器件封装： 8-SOP 封装/外壳： 8-SOIC（0.154，3.90mm 宽）温度： 150°C（TJ）
TP86R203NL,LQ Toshiba(东芝) 授权代理品牌	MOSFET N CH 30V 19A 8SOP 下载数据手册晶体管-FET，MOSFET-单个	+1：￥12.001574 +10：￥9.786998 +100：￥7.615285 +500：￥6.455132 +1000：￥5.258404	库存： 0 货期：7~10 天联系客服	系列： U-MOSVIII-H 工作温度： 150°C (TJ) 安装类型： Surface Mount 封装/外壳： 8-SOIC (0.154#, 3.90mm Width) 供应商器件封装： 8-SOP
TP86R203NL,LQ Toshiba(东芝) 授权代理品牌	MOSFET N CH 30V 19A 8SOP 下载数据手册晶体管-FET，MOSFET-单个	+1：￥12.001574 +10：￥9.786998 +100：￥7.615285 +500：￥6.455132 +1000：￥5.258404	库存： 0 货期：7~10 天联系客服	系列： U-MOSVIII-H 工作温度： 150°C (TJ) 安装类型： Surface Mount 封装/外壳： 8-SOIC (0.154#, 3.90mm Width) 供应商器件封装： 8-SOP

Mouser

图片	品牌型号	描述	价格（含税）	库存	关键参数
	TP86R203NL,LQ Toshiba(东芝) 授权代理品牌	MOSFET N CH 30V 19A 8SOP 下载数据手册晶体管	+1：￥13.890603 +10：￥11.521029 +100：￥8.971697 +500：￥7.598977 +1000：￥6.193576	库存： 0 货期：7~10 天联系客服	品牌： Toshiba Semiconductor and Storage 包装：剪切带（CT）,卷带（TR）封装/外壳： * 系列： U-MOSVIII-H 零件状态：在售 FET 类型： N 通道技术： MOSFET（金属氧化物）漏源电压（Vdss）： 30 V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 19A（Ta）驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）： 4.5V，10V 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 6.2 毫欧 9A，10V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 2.3V 200µA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 17 nC 10 V Vgs（最大值）： ±20V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 1400 pF 15 V FET 功能： - 功率耗散（最大值）： 1W（Tc）工作温度： 150°C（TJ）安装类型：表面贴装型供应商器件封装： 8-SOP 封装/外壳： 8-SOIC（0.154，3.90mm 宽）温度： 150°C（TJ）

艾睿

图片	品牌型号	描述	价格（含税）	库存	关键参数
	TP86R203NL,LQ Toshiba 授权代理品牌	Trans MOSFET N-CH Si 30V 19A 8-Pin SOP T/R 下载数据手册未分类	+2500：￥8.45459 +5000：￥8.36875 +10000：￥8.286029 +15000：￥8.203309 +20000：￥8.12059	库存： 0 货期：7~10 天联系客服	暂无参数

TP86R203NL,LQ参数规格

属性	参数值
品牌:	Toshiba Semiconductor and Storage
包装:	剪切带（CT）,卷带（TR）
封装/外壳:	*
系列:	U-MOSVIII-H
零件状态:	在售
FET 类型:	N 通道
技术:	MOSFET（金属氧化物）
漏源电压（Vdss）:	30 V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):	19A（Ta）
驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:	4.5V，10V
不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:	6.2 毫欧 9A，10V
不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:	2.3V 200µA
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）:	17 nC 10 V
Vgs（最大值）:	±20V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:	1400 pF 15 V
FET 功能:	-
功率耗散（最大值）:	1W（Tc）
工作温度:	150°C（TJ）
安装类型:	表面贴装型
供应商器件封装:	8-SOP
封装/外壳:	8-SOIC（0.154，3.90mm 宽）
温度:	150°C（TJ）