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图片	品牌型号	描述	价格（含税）	库存	关键参数
	TK20V60W5,LVQ Toshiba(东芝) 授权代理品牌	MOSFET N-CH 600V 20A 5DFN 下载数据手册晶体管-FET，MOSFET-单个	+1：￥19.09138	库存： 1000 + 国内：1~2 天立即购买	品牌： Toshiba Semiconductor and Storage 包装：剪切带（CT）,卷带（TR）封装/外壳： * 系列： DTMOSIV 零件状态：在售 FET 类型： N 通道技术： MOSFET（金属氧化物）漏源电压（Vdss）： 600 V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 20A（Ta）驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）： 10V 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 190 毫欧 10A，10V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 4.5V 1mA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 55 nC 10 V Vgs（最大值）： ±30V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 1800 pF 300 V FET 功能： - 功率耗散（最大值）： 156W（Tc）工作温度： 150°C（TJ）安装类型：表面贴装型供应商器件封装： 4-DFN-EP（8x8）封装/外壳： 4-VSFN 裸露焊盘温度： 150°C（TJ）

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图片	品牌型号	描述	价格（含税）	库存	关键参数
	TK20V60W5,LVQ Toshiba(东芝) 授权代理品牌	MOSFET N-CH 600V 20A 5DFN 下载数据手册晶体管-FET，MOSFET-单个	+2500：￥8.439765 +5000：￥8.097074	库存： 1000 + 国内：1~2 天立即购买	品牌： Toshiba Semiconductor and Storage 包装：剪切带（CT）,卷带（TR）封装/外壳： * 系列： DTMOSIV 零件状态：在售 FET 类型： N 通道技术： MOSFET（金属氧化物）漏源电压（Vdss）： 600 V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 20A（Ta）驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）： 10V 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 190 毫欧 10A，10V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 4.5V 1mA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 55 nC 10 V Vgs（最大值）： ±30V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 1800 pF 300 V FET 功能： - 功率耗散（最大值）： 156W（Tc）工作温度： 150°C（TJ）安装类型：表面贴装型供应商器件封装： 4-DFN-EP（8x8）封装/外壳： 4-VSFN 裸露焊盘温度： 150°C（TJ）

Digi-Key

品牌型号	描述	价格（含税）	库存	关键参数
TK20V60W5,LVQ Toshiba(东芝) 授权代理品牌	MOSFET N-CH 600V 20A 5DFN 下载数据手册晶体管-FET，MOSFET-单个	+2500：￥20.645902 +5000：￥19.807589	库存： 0 货期：7~10 天联系客服	品牌： Toshiba Semiconductor and Storage 包装：剪切带（CT）,卷带（TR）封装/外壳： * 系列： DTMOSIV 零件状态：在售 FET 类型： N 通道技术： MOSFET（金属氧化物）漏源电压（Vdss）： 600 V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 20A（Ta）驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）： 10V 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 190 毫欧 10A，10V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 4.5V 1mA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 55 nC 10 V Vgs（最大值）： ±30V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 1800 pF 300 V FET 功能： - 功率耗散（最大值）： 156W（Tc）工作温度： 150°C（TJ）安装类型：表面贴装型供应商器件封装： 4-DFN-EP（8x8）封装/外壳： 4-VSFN 裸露焊盘温度： 150°C（TJ）
TK20V60W5,LVQ Toshiba(东芝) 授权代理品牌	MOSFET N-CH 600V 20A 5DFN 下载数据手册晶体管-FET，MOSFET-单个	+1：￥42.437178 +10：￥35.607222 +100：￥28.808699 +500：￥25.607192 +1000：￥21.926161	库存： 0 货期：7~10 天联系客服	系列： DTMOSIV 工作温度： 150°C (TJ) 安装类型： Surface Mount 封装/外壳： 4-VSFN Exposed Pad 供应商器件封装： 4-DFN-EP (8x8)
TK20V60W5,LVQ Toshiba(东芝) 授权代理品牌	MOSFET N-CH 600V 20A 5DFN 下载数据手册晶体管-FET，MOSFET-单个	+1：￥42.437178 +10：￥35.607222 +100：￥28.808699 +500：￥25.607192 +1000：￥21.926161	库存： 0 货期：7~10 天联系客服	系列： DTMOSIV 工作温度： 150°C (TJ) 安装类型： Surface Mount 封装/外壳： 4-VSFN Exposed Pad 供应商器件封装： 4-DFN-EP (8x8)

Mouser

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	TK20V60W5,LVQ Toshiba(东芝) 授权代理品牌	MOSFET N-CH 600V 20A 5DFN 下载数据手册晶体管	+1：￥48.348514 +10：￥40.671555 +25：￥38.3848 +100：￥32.831255 +250：￥31.034519	库存： 0 货期：7~10 天联系客服	品牌： Toshiba Semiconductor and Storage 包装：剪切带（CT）,卷带（TR）封装/外壳： * 系列： DTMOSIV 零件状态：在售 FET 类型： N 通道技术： MOSFET（金属氧化物）漏源电压（Vdss）： 600 V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 20A（Ta）驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）： 10V 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 190 毫欧 10A，10V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 4.5V 1mA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 55 nC 10 V Vgs（最大值）： ±30V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 1800 pF 300 V FET 功能： - 功率耗散（最大值）： 156W（Tc）工作温度： 150°C（TJ）安装类型：表面贴装型供应商器件封装： 4-DFN-EP（8x8）封装/外壳： 4-VSFN 裸露焊盘温度： 150°C（TJ）

TK20V60W5,LVQ参数规格

属性	参数值
品牌:	Toshiba Semiconductor and Storage
包装:	剪切带（CT）,卷带（TR）
封装/外壳:	*
系列:	DTMOSIV
零件状态:	在售
FET 类型:	N 通道
技术:	MOSFET（金属氧化物）
漏源电压（Vdss）:	600 V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):	20A（Ta）
驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:	10V
不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:	190 毫欧 10A，10V
不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:	4.5V 1mA
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）:	55 nC 10 V
Vgs（最大值）:	±30V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:	1800 pF 300 V
FET 功能:	-
功率耗散（最大值）:	156W（Tc）
工作温度:	150°C（TJ）
安装类型:	表面贴装型
供应商器件封装:	4-DFN-EP（8x8）
封装/外壳:	4-VSFN 裸露焊盘
温度:	150°C（TJ）