TPN1R603PL,L1Q厂家价格_数据手册

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自营现货库存

图片	品牌型号	描述	价格（含税）	库存	关键参数
	TPN1R603PL,L1Q Toshiba(东芝) 授权代理品牌	X35 PB-F POWER MOSFET TRANSISTOR 下载数据手册晶体管-FET，MOSFET-单个	+1：￥5.660326 +10：￥5.540126 +30：￥5.452708 +100：￥5.376217	库存： 1000 + 国内：1~2 天立即购买	品牌： Toshiba Semiconductor and Storage 包装：剪切带（CT）,卷带（TR）封装/外壳： * 系列： U-MOSIX-H 零件状态：在售 FET 类型： N 通道技术： MOSFET（金属氧化物）漏源电压（Vdss）： 30 V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 80A（Tc）驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）： 4.5V，10V 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 1.6 毫欧 40A，10V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 2.1V 300µA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 41 nC 10 V Vgs（最大值）： ±20V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 3900 pF 15 V FET 功能： - 功率耗散（最大值）： 104W（Tc）工作温度： 175°C 安装类型：表面贴装型供应商器件封装： 8-TSON Advance（3.1x3.1）封装/外壳： 8-PowerVDFN 温度： 175°C

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	TPN1R603PL,L1Q Toshiba(东芝) 授权代理品牌	X35 PB-F POWER MOSFET TRANSISTOR 下载数据手册晶体管-FET，MOSFET-单个	+1：￥15.905208	库存： 1000 + 国内：1~2 天立即购买	品牌： Toshiba Semiconductor and Storage 包装：剪切带（CT）,卷带（TR）封装/外壳： * 系列： U-MOSIX-H 零件状态：在售 FET 类型： N 通道技术： MOSFET（金属氧化物）漏源电压（Vdss）： 30 V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 80A（Tc）驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）： 4.5V，10V 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 1.6 毫欧 40A，10V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 2.1V 300µA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 41 nC 10 V Vgs（最大值）： ±20V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 3900 pF 15 V FET 功能： - 功率耗散（最大值）： 104W（Tc）工作温度： 175°C 安装类型：表面贴装型供应商器件封装： 8-TSON Advance（3.1x3.1）封装/外壳： 8-PowerVDFN 温度： 175°C

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	TPN1R603PL,L1Q Toshiba(东芝) 授权代理品牌	X35 PB-F POWER MOSFET TRANSISTOR 下载数据手册晶体管-FET，MOSFET-单个	1+: 需询价	库存： 1000 + 国内：1~2 天立即购买	品牌： Toshiba Semiconductor and Storage 包装：剪切带（CT）,卷带（TR）封装/外壳： * 系列： U-MOSIX-H 零件状态：在售 FET 类型： N 通道技术： MOSFET（金属氧化物）漏源电压（Vdss）： 30 V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 80A（Tc）驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）： 4.5V，10V 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 1.6 毫欧 40A，10V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 2.1V 300µA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 41 nC 10 V Vgs（最大值）： ±20V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 3900 pF 15 V FET 功能： - 功率耗散（最大值）： 104W（Tc）工作温度： 175°C 安装类型：表面贴装型供应商器件封装： 8-TSON Advance（3.1x3.1）封装/外壳： 8-PowerVDFN 温度： 175°C

自营国内现货

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	TPN1R603PL,L1Q Toshiba(东芝) 授权代理品牌	MOSFET N-CH 30V 80A 8TSON 下载数据手册晶体管-FET，MOSFET-单个	+5000：￥1.99143 +10000：￥1.899481 +25000：￥1.895867	库存： 1000 + 国内：1~2 天立即购买	品牌： Toshiba Semiconductor and Storage 包装：剪切带（CT）,卷带（TR）封装/外壳： * 系列： U-MOSIX-H 零件状态：在售 FET 类型： N 通道技术： MOSFET（金属氧化物）漏源电压（Vdss）： 30 V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 80A（Tc）驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）： 4.5V，10V 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 1.6 毫欧 40A，10V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 2.1V 300µA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 41 nC 10 V Vgs（最大值）： ±20V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 3900 pF 15 V FET 功能： - 功率耗散（最大值）： 104W（Tc）工作温度： 175°C 安装类型：表面贴装型供应商器件封装： 8-TSON Advance（3.1x3.1）封装/外壳： 8-PowerVDFN 温度： 175°C

Digi-Key

品牌型号	描述	价格（含税）	库存	关键参数
TPN1R603PL,L1Q Toshiba(东芝) 授权代理品牌	X35 PB-F POWER MOSFET TRANSISTOR 下载数据手册晶体管-FET，MOSFET-单个	+5000：￥4.871566 +10000：￥4.646635 +25000：￥4.637794	库存： 0 货期：7~10 天联系客服	品牌： Toshiba Semiconductor and Storage 包装：剪切带（CT）,卷带（TR）封装/外壳： * 系列： U-MOSIX-H 零件状态：在售 FET 类型： N 通道技术： MOSFET（金属氧化物）漏源电压（Vdss）： 30 V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 80A（Tc）驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）： 4.5V，10V 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 1.6 毫欧 40A，10V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 2.1V 300µA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 41 nC 10 V Vgs（最大值）： ±20V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 3900 pF 15 V FET 功能： - 功率耗散（最大值）： 104W（Tc）工作温度： 175°C 安装类型：表面贴装型供应商器件封装： 8-TSON Advance（3.1x3.1）封装/外壳： 8-PowerVDFN 温度： 175°C
TPN1R603PL,L1Q Toshiba(东芝) 授权代理品牌	X35 PB-F POWER MOSFET TRANSISTOR 下载数据手册晶体管-FET，MOSFET-单个	+1：￥12.319134 +10：￥10.116184 +100：￥7.869754 +500：￥6.670305 +1000：￥5.43361	库存： 0 货期：7~10 天联系客服	系列： U-MOSIX-H 工作温度： 175°C 安装类型： Surface Mount 封装/外壳： 8-PowerVDFN 供应商器件封装： 8-TSON Advance (3.3x3.3)
TPN1R603PL,L1Q Toshiba(东芝) 授权代理品牌	X35 PB-F POWER MOSFET TRANSISTOR 下载数据手册晶体管-FET，MOSFET-单个	+1：￥12.319134 +10：￥10.116184 +100：￥7.869754 +500：￥6.670305 +1000：￥5.43361	库存： 0 货期：7~10 天联系客服	系列： U-MOSIX-H 工作温度： 175°C 安装类型： Surface Mount 封装/外壳： 8-PowerVDFN 供应商器件封装： 8-TSON Advance (3.3x3.3)

Mouser

图片	品牌型号	描述	价格（含税）	库存	关键参数
	TPN1R603PL,L1Q Toshiba(东芝) 授权代理品牌	X35 PB-F POWER MOSFET TRANSISTOR 下载数据手册晶体管	+1：￥14.122222 +10：￥11.596838 +100：￥9.021607 +500：￥7.659229 +1000：￥5.864876	库存： 0 货期：7~10 天联系客服	品牌： Toshiba Semiconductor and Storage 包装：剪切带（CT）,卷带（TR）封装/外壳： * 系列： U-MOSIX-H 零件状态：在售 FET 类型： N 通道技术： MOSFET（金属氧化物）漏源电压（Vdss）： 30 V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 80A（Tc）驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）： 4.5V，10V 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 1.6 毫欧 40A，10V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 2.1V 300µA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 41 nC 10 V Vgs（最大值）： ±20V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 3900 pF 15 V FET 功能： - 功率耗散（最大值）： 104W（Tc）工作温度： 175°C 安装类型：表面贴装型供应商器件封装： 8-TSON Advance（3.1x3.1）封装/外壳： 8-PowerVDFN 温度： 175°C

艾睿

图片	品牌型号	描述	价格（含税）	库存	关键参数
	TPN1R603PL,L1Q 授权代理品牌	Trans MOSFET N-CH Si 30V 188A 8-Pin TSON Advance T/R 下载数据手册未分类	+5000：￥4.192003 +10000：￥3.992111	库存： 0 货期：7~10 天联系客服	暂无参数

TPN1R603PL,L1Q参数规格

属性	参数值
品牌:	Toshiba Semiconductor and Storage
包装:	剪切带（CT）,卷带（TR）
封装/外壳:	*
系列:	U-MOSIX-H
零件状态:	在售
FET 类型:	N 通道
技术:	MOSFET（金属氧化物）
漏源电压（Vdss）:	30 V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):	80A（Tc）
驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:	4.5V，10V
不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:	1.6 毫欧 40A，10V
不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:	2.1V 300µA
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）:	41 nC 10 V
Vgs（最大值）:	±20V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:	3900 pF 15 V
FET 功能:	-
功率耗散（最大值）:	104W（Tc）
工作温度:	175°C
安装类型:	表面贴装型
供应商器件封装:	8-TSON Advance（3.1x3.1）
封装/外壳:	8-PowerVDFN
温度:	175°C