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图片	品牌型号	描述	价格（含税）	库存	关键参数
	TPH7R204PL,LQ Toshiba(东芝) 授权代理品牌	X35 PB-F POWER MOSFET TRANSISTOR 下载数据手册晶体管-FET，MOSFET-单个	+3000：￥1.37861 +6000：￥1.306011 +9000：￥1.209291 +30000：￥1.197318	库存： 1000 + 国内：1~2 天立即购买	品牌： Toshiba Semiconductor and Storage 包装：剪切带（CT）,卷带（TR）封装/外壳： * 系列： U-MOSIX-H 零件状态：在售 FET 类型： N 通道技术： MOSFET（金属氧化物）漏源电压（Vdss）： 40 V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 48A（Tc）驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）： 4.5V，10V 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 9.7 毫欧 15A，4.5V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 2.4V 200µA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 24 nC 10 V Vgs（最大值）： ±20V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 2040 pF 20 V FET 功能： - 功率耗散（最大值）： 69W（Tc）工作温度： 175°C（TJ）安装类型：表面贴装型供应商器件封装： 8-SOP Advance（5x5）封装/外壳： 8-PowerVDFN 温度： 175°C（TJ）

Digi-Key

品牌型号	描述	价格（含税）	库存	关键参数
TPH7R204PL,LQ Toshiba(东芝) 授权代理品牌	X35 PB-F POWER MOSFET TRANSISTOR 下载数据手册晶体管-FET，MOSFET-单个	+3000：￥3.372444 +6000：￥3.194849 +9000：￥2.958246 +30000：￥2.928956	库存： 0 货期：7~10 天联系客服	品牌： Toshiba Semiconductor and Storage 包装：剪切带（CT）,卷带（TR）封装/外壳： * 系列： U-MOSIX-H 零件状态：在售 FET 类型： N 通道技术： MOSFET（金属氧化物）漏源电压（Vdss）： 40 V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 48A（Tc）驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）： 4.5V，10V 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 9.7 毫欧 15A，4.5V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 2.4V 200µA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 24 nC 10 V Vgs（最大值）： ±20V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 2040 pF 20 V FET 功能： - 功率耗散（最大值）： 69W（Tc）工作温度： 175°C（TJ）安装类型：表面贴装型供应商器件封装： 8-SOP Advance（5x5）封装/外壳： 8-PowerVDFN 温度： 175°C（TJ）
TPH7R204PL,LQ Toshiba(东芝) 授权代理品牌	X35 PB-F POWER MOSFET TRANSISTOR 下载数据手册晶体管-FET，MOSFET-单个	+1：￥8.858304 +10：￥7.686724 +100：￥5.324985 +500：￥4.449156 +1000：￥3.786497	库存： 0 货期：7~10 天联系客服	系列： U-MOSIX-H 工作温度： 175°C (TJ) 安装类型： Surface Mount 封装/外壳： 8-PowerVDFN 供应商器件封装： 8-SOP Advance (5x5)
TPH7R204PL,LQ Toshiba(东芝) 授权代理品牌	X35 PB-F POWER MOSFET TRANSISTOR 下载数据手册晶体管-FET，MOSFET-单个	+1：￥8.858304 +10：￥7.686724 +100：￥5.324985 +500：￥4.449156 +1000：￥3.786497	库存： 0 货期：7~10 天联系客服	系列： U-MOSIX-H 工作温度： 175°C (TJ) 安装类型： Surface Mount 封装/外壳： 8-PowerVDFN 供应商器件封装： 8-SOP Advance (5x5)

Mouser

图片	品牌型号	描述	价格（含税）	库存	关键参数
	TPH7R204PL,LQ Toshiba(东芝) 授权代理品牌	X35 PB-F POWER MOSFET TRANSISTOR 下载数据手册未分类	+1：￥9.146401 +10：￥7.954104 +100：￥5.667503 +500：￥4.834526 +1000：￥4.197546	库存： 0 货期：7~10 天联系客服	品牌： Toshiba Semiconductor and Storage 包装：剪切带（CT）,卷带（TR）封装/外壳： * 系列： U-MOSIX-H 零件状态：在售 FET 类型： N 通道技术： MOSFET（金属氧化物）漏源电压（Vdss）： 40 V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 48A（Tc）驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）： 4.5V，10V 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 9.7 毫欧 15A，4.5V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 2.4V 200µA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 24 nC 10 V Vgs（最大值）： ±20V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 2040 pF 20 V FET 功能： - 功率耗散（最大值）： 69W（Tc）工作温度： 175°C（TJ）安装类型：表面贴装型供应商器件封装： 8-SOP Advance（5x5）封装/外壳： 8-PowerVDFN 温度： 175°C（TJ）

艾睿

图片	品牌型号	描述	价格（含税）	库存	关键参数
	TPH7R204PL,LQ Toshiba 授权代理品牌	Trans MOSFET N-CH Si 40V 72A 8-Pin SOP Advance T/R 下载数据手册未分类	+3000：￥3.25237 +6000：￥3.119779 +9000：￥3.069862	库存： 0 货期：7~10 天联系客服	暂无参数
	TPH7R204PL,LQ Toshiba 授权代理品牌	Trans MOSFET N-CH Si 40V 72A 8-Pin SOP Advance T/R 下载数据手册未分类	+1：￥7.036661 +10：￥6.300392 +100：￥4.791981 +500：￥4.166464 +1000：￥3.664181	库存： 0 货期：7~10 天联系客服	暂无参数

TPH7R204PL,LQ参数规格

属性	参数值
品牌:	Toshiba Semiconductor and Storage
包装:	剪切带（CT）,卷带（TR）
封装/外壳:	*
系列:	U-MOSIX-H
零件状态:	在售
FET 类型:	N 通道
技术:	MOSFET（金属氧化物）
漏源电压（Vdss）:	40 V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):	48A（Tc）
驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:	4.5V，10V
不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:	9.7 毫欧 15A，4.5V
不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:	2.4V 200µA
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）:	24 nC 10 V
Vgs（最大值）:	±20V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:	2040 pF 20 V
FET 功能:	-
功率耗散（最大值）:	69W（Tc）
工作温度:	175°C（TJ）
安装类型:	表面贴装型
供应商器件封装:	8-SOP Advance（5x5）
封装/外壳:	8-PowerVDFN
温度:	175°C（TJ）