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图片	品牌型号	描述	价格（含税）	库存	关键参数
	TK28N65W5,S1F Toshiba(东芝) 授权代理品牌	X35 PB-F POWER MOSFET TRANSISTOR 下载数据手册晶体管-FET，MOSFET-单个	+1：￥37.496476 +30：￥29.705153 +120：￥25.462443 +510：￥22.63327 +1020：￥19.379663	库存： 1000 + 国内：1~2 天立即购买	品牌： Toshiba Semiconductor and Storage 包装：管件封装/外壳： * 系列：零件状态：在售 FET 类型： N 通道技术： MOSFET（金属氧化物）漏源电压（Vdss）： 650 V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 27.6A（Ta）驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）： 10V 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 130 毫欧 13.8A，10V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 4.5V 1.6mA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 90 nC 10 V Vgs（最大值）： ±30V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 3000 pF 300 V FET 功能： - 功率耗散（最大值）： 230W（Tc）工作温度： 150°C 安装类型：通孔供应商器件封装： TO-247 封装/外壳： TO-247-3 温度： 150°C

Digi-Key

图片	品牌型号	描述	价格（含税）	库存	关键参数
	TK28N65W5,S1F Toshiba(东芝) 授权代理品牌	X35 PB-F POWER MOSFET TRANSISTOR 下载数据手册晶体管-FET，MOSFET-单个	+1：￥91.726315 +30：￥72.666673 +120：￥62.287882 +510：￥55.366975 +1020：￥47.407789	库存： 0 货期：7~10 天联系客服	品牌： Toshiba Semiconductor and Storage 包装：管件封装/外壳： * 系列：零件状态：在售 FET 类型： N 通道技术： MOSFET（金属氧化物）漏源电压（Vdss）： 650 V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 27.6A（Ta）驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）： 10V 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 130 毫欧 13.8A，10V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 4.5V 1.6mA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 90 nC 10 V Vgs（最大值）： ±30V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 3000 pF 300 V FET 功能： - 功率耗散（最大值）： 230W（Tc）工作温度： 150°C 安装类型：通孔供应商器件封装： TO-247 封装/外壳： TO-247-3 温度： 150°C

Mouser

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	TK28N65W5,S1F Toshiba(东芝) 授权代理品牌	X35 PB-F POWER MOSFET TRANSISTOR 下载数据手册晶体管	+1：￥104.856959 +10：￥96.5272 +30：￥82.970927 +120：￥68.924667 +270：￥67.944697	库存： 0 货期：7~10 天联系客服	品牌： Toshiba Semiconductor and Storage 包装：管件封装/外壳： * 系列：零件状态：在售 FET 类型： N 通道技术： MOSFET（金属氧化物）漏源电压（Vdss）： 650 V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 27.6A（Ta）驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）： 10V 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 130 毫欧 13.8A，10V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 4.5V 1.6mA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 90 nC 10 V Vgs（最大值）： ±30V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 3000 pF 300 V FET 功能： - 功率耗散（最大值）： 230W（Tc）工作温度： 150°C 安装类型：通孔供应商器件封装： TO-247 封装/外壳： TO-247-3 温度： 150°C

艾睿

图片	品牌型号	描述	价格（含税）	库存	关键参数
	TK28N65W5,S1F 授权代理品牌	Trans MOSFET N-CH Si 650V 27.6A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube 下载数据手册未分类	+30：￥57.5115 +100：￥49.330249 +250：￥47.345616 +500：￥45.289595 +1000：￥40.34943	库存： 0 货期：7~10 天联系客服	暂无参数

TK28N65W5,S1F参数规格

属性	参数值
品牌:	Toshiba Semiconductor and Storage
包装:	管件
封装/外壳:	*
系列:
零件状态:	在售
FET 类型:	N 通道
技术:	MOSFET（金属氧化物）
漏源电压（Vdss）:	650 V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):	27.6A（Ta）
驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:	10V
不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:	130 毫欧 13.8A，10V
不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:	4.5V 1.6mA
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）:	90 nC 10 V
Vgs（最大值）:	±30V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:	3000 pF 300 V
FET 功能:	-
功率耗散（最大值）:	230W（Tc）
工作温度:	150°C
安装类型:	通孔
供应商器件封装:	TO-247
封装/外壳:	TO-247-3
温度:	150°C