TPN4R806PL,L1Q厂家价格_数据手册

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图片	品牌型号	描述	价格（含税）	库存	关键参数
	TPN4R806PL,L1Q Toshiba(东芝) 授权代理品牌	X35 PB-F POWER MOSFET TRANSISTOR 下载数据手册晶体管-FET，MOSFET-单个	+5000：￥2.501928	库存： 1000 + 国内：1~2 天立即购买	品牌： Toshiba Semiconductor and Storage 包装：剪切带（CT）,卷带（TR）封装/外壳： * 系列： U-MOSIX-H 零件状态：在售 FET 类型： N 通道技术： MOSFET（金属氧化物）漏源电压（Vdss）： 60 V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 72A（Tc）驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）： 4.5V，10V 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 3.5 毫欧 36A，10V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 2.5V 300µA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 29 nC 10 V Vgs（最大值）： ±20V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 2770 pF 30 V FET 功能： - 功率耗散（最大值）： 630mW（Ta），104W（Tc）工作温度： 175°C 安装类型：表面贴装型供应商器件封装： 8-TSON Advance（3.1x3.1）封装/外壳： 8-PowerVDFN 温度： 175°C

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品牌型号	描述	价格（含税）	库存	关键参数
TPN4R806PL,L1Q Toshiba(东芝) 授权代理品牌	X35 PB-F POWER MOSFET TRANSISTOR 下载数据手册晶体管-FET，MOSFET-单个	+5000：￥6.120379	库存： 0 货期：7~10 天联系客服	品牌： Toshiba Semiconductor and Storage 包装：剪切带（CT）,卷带（TR）封装/外壳： * 系列： U-MOSIX-H 零件状态：在售 FET 类型： N 通道技术： MOSFET（金属氧化物）漏源电压（Vdss）： 60 V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 72A（Tc）驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）： 4.5V，10V 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 3.5 毫欧 36A，10V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 2.5V 300µA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 29 nC 10 V Vgs（最大值）： ±20V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 2770 pF 30 V FET 功能： - 功率耗散（最大值）： 630mW（Ta），104W（Tc）工作温度： 175°C 安装类型：表面贴装型供应商器件封装： 8-TSON Advance（3.1x3.1）封装/外壳： 8-PowerVDFN 温度： 175°C
TPN4R806PL,L1Q Toshiba(东芝) 授权代理品牌	X35 PB-F POWER MOSFET TRANSISTOR 下载数据手册晶体管-FET，MOSFET-单个	+1：￥14.875919 +10：￥13.246651 +25：￥12.569443 +100：￥10.322471 +500：￥8.527726	库存： 0 货期：7~10 天联系客服	系列： U-MOSIX-H 工作温度： 175°C 安装类型： Surface Mount 封装/外壳： 8-PowerVDFN 供应商器件封装： 8-TSON Advance (3.3x3.3)
TPN4R806PL,L1Q Toshiba(东芝) 授权代理品牌	X35 PB-F POWER MOSFET TRANSISTOR 下载数据手册晶体管-FET，MOSFET-单个	1+: 需询价	库存： 0 货期：7~10 天联系客服	系列： U-MOSIX-H 工作温度： 175°C 安装类型： Surface Mount 封装/外壳： 8-PowerVDFN 供应商器件封装： 8-TSON Advance (3.3x3.3)

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图片	品牌型号	描述	价格（含税）	库存	关键参数
	TPN4R806PL,L1Q Toshiba(东芝) 授权代理品牌	X35 PB-F POWER MOSFET TRANSISTOR 下载数据手册晶体管	+：￥ +：￥ +：￥ +：￥	库存： 0 货期：7~10 天联系客服	品牌： Toshiba Semiconductor and Storage 包装：剪切带（CT）,卷带（TR）封装/外壳： * 系列： U-MOSIX-H 零件状态：在售 FET 类型： N 通道技术： MOSFET（金属氧化物）漏源电压（Vdss）： 60 V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 72A（Tc）驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）： 4.5V，10V 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 3.5 毫欧 36A，10V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 2.5V 300µA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 29 nC 10 V Vgs（最大值）： ±20V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 2770 pF 30 V FET 功能： - 功率耗散（最大值）： 630mW（Ta），104W（Tc）工作温度： 175°C 安装类型：表面贴装型供应商器件封装： 8-TSON Advance（3.1x3.1）封装/外壳： 8-PowerVDFN 温度： 175°C

TPN4R806PL,L1Q参数规格

属性	参数值
品牌:	Toshiba Semiconductor and Storage
包装:	剪切带（CT）,卷带（TR）
封装/外壳:	*
系列:	U-MOSIX-H
零件状态:	在售
FET 类型:	N 通道
技术:	MOSFET（金属氧化物）
漏源电压（Vdss）:	60 V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):	72A（Tc）
驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:	4.5V，10V
不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:	3.5 毫欧 36A，10V
不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:	2.5V 300µA
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）:	29 nC 10 V
Vgs（最大值）:	±20V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:	2770 pF 30 V
FET 功能:	-
功率耗散（最大值）:	630mW（Ta），104W（Tc）
工作温度:	175°C
安装类型:	表面贴装型
供应商器件封装:	8-TSON Advance（3.1x3.1）
封装/外壳:	8-PowerVDFN
温度:	175°C