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图片	品牌型号	描述	价格（含税）	库存	关键参数
	TP2104K1-G 美国微芯(MICROCHIP) 授权代理品牌	场效应管(MOSFET) TP2104K1-G SOT-23 下载数据手册未分类	+1：￥8.013104 +10：￥5.342029 +30：￥4.451711	库存： 1000 + 国内：1~2 天立即购买	暂无参数

自营现货库存

图片	品牌型号	描述	价格（含税）	库存	关键参数
	TP2104K1-G Microchip Technology(微芯) 授权代理品牌	MOSFET P-CH 40V 160MA TO236AB 下载数据手册未分类	+1：￥9.09552 +10：￥7.782656 +30：￥7.068458 +100：￥6.249231 +500：￥5.892133	库存： 1000 + 国内：1~2 天立即购买	品牌： Microchip Technology 包装：剪切带（CT）,卷带（TR）封装/外壳： * 系列：零件状态：在售 FET 类型： P 通道技术： MOSFET（金属氧化物）漏源电压（Vdss）： 40 V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 160mA（Tj）驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）： 4.5V，10V 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 6 欧姆 500mA，10V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 2V 1mA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： - Vgs（最大值）： ±20V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 60 pF 25 V FET 功能： - 功率耗散（最大值）： 360mW（Ta）工作温度： -55°C # 150°C 安装类型：表面贴装型供应商器件封装： TO-236AB（SOT23）封装/外壳： TO-236-3，SC-59，SOT-23-3 温度： -55°C # 150°C

图片	品牌型号	描述	价格（含税）	库存	关键参数
	TP2104K1-G Microchip Technology(微芯) 授权代理品牌	MOSFET P-CH 40V 160MA TO236AB 下载数据手册晶体管-FET，MOSFET-单个	+1：￥7.641392	库存： 1000 + 国内：1~2 天立即购买	品牌： Microchip Technology 包装：剪切带（CT）,卷带（TR）封装/外壳： * 系列：零件状态：在售 FET 类型： P 通道技术： MOSFET（金属氧化物）漏源电压（Vdss）： 40 V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 160mA（Tj）驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）： 4.5V，10V 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 6 欧姆 500mA，10V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 2V 1mA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： - Vgs（最大值）： ±20V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 60 pF 25 V FET 功能： - 功率耗散（最大值）： 360mW（Ta）工作温度： -55°C # 150°C 安装类型：表面贴装型供应商器件封装： TO-236AB（SOT23）封装/外壳： TO-236-3，SC-59，SOT-23-3 温度： -55°C # 150°C

自营国内现货

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	TP2104K1-G Microchip Technology(微芯) 授权代理品牌	MOSFET P-CH 40V 160MA TO236AB 下载数据手册晶体管-FET，MOSFET-单个	+3000：￥3.304294	库存： 1000 + 国内：1~2 天立即购买	品牌： Microchip Technology 包装：剪切带（CT）,卷带（TR）封装/外壳： * 系列：零件状态：在售 FET 类型： P 通道技术： MOSFET（金属氧化物）漏源电压（Vdss）： 40 V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 160mA（Tj）驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）： 4.5V，10V 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 6 欧姆 500mA，10V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 2V 1mA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： - Vgs（最大值）： ±20V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 60 pF 25 V FET 功能： - 功率耗散（最大值）： 360mW（Ta）工作温度： -55°C # 150°C 安装类型：表面贴装型供应商器件封装： TO-236AB（SOT23）封装/外壳： TO-236-3，SC-59，SOT-23-3 温度： -55°C # 150°C

Digi-Key

品牌型号	描述	价格（含税）	库存	关键参数
TP2104K1-G Microchip Technology(微芯) 授权代理品牌	MOSFET P-CH 40V 160MA TO236AB 下载数据手册晶体管-FET，MOSFET-单个	+3000：￥8.083178	库存： 0 货期：7~10 天联系客服	品牌： Microchip Technology 包装：剪切带（CT）,卷带（TR）封装/外壳： * 系列：零件状态：在售 FET 类型： P 通道技术： MOSFET（金属氧化物）漏源电压（Vdss）： 40 V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 160mA（Tj）驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）： 4.5V，10V 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 6 欧姆 500mA，10V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 2V 1mA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： - Vgs（最大值）： ±20V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 60 pF 25 V FET 功能： - 功率耗散（最大值）： 360mW（Ta）工作温度： -55°C # 150°C 安装类型：表面贴装型供应商器件封装： TO-236AB（SOT23）封装/外壳： TO-236-3，SC-59，SOT-23-3 温度： -55°C # 150°C
TP2104K1-G Microchip Technology(微芯) 授权代理品牌	MOSFET P-CH 40V 160MA TO236AB 下载数据手册晶体管-FET，MOSFET-单个	+1：￥10.733401 +25：￥9.143267 +100：￥8.083178	库存： 0 货期：7~10 天联系客服	系列： - 工作温度： -55°C # 150°C 安装类型： Surface Mount 封装/外壳： TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 供应商器件封装： TO-236AB (SOT23)
TP2104K1-G Microchip Technology(微芯) 授权代理品牌	MOSFET P-CH 40V 160MA TO236AB 下载数据手册晶体管-FET，MOSFET-单个	+1：￥10.733401 +25：￥9.143267 +100：￥8.083178	库存： 0 货期：7~10 天联系客服	系列： - 工作温度： -55°C # 150°C 安装类型： Surface Mount 封装/外壳： TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 供应商器件封装： TO-236AB (SOT23)

Mouser

图片	品牌型号	描述	价格（含税）	库存	关键参数
	TP2104K1-G Microchip Technology(微芯) 授权代理品牌	MOSFET P-CH 40V 160MA TO236AB 下载数据手册未分类	+1：￥11.747922 +10：￥11.734261 +25：￥9.999395 +100：￥8.838262 +3000：￥8.824603	库存： 0 货期：7~10 天联系客服	品牌： Microchip Technology 包装：剪切带（CT）,卷带（TR）封装/外壳： * 系列：零件状态：在售 FET 类型： P 通道技术： MOSFET（金属氧化物）漏源电压（Vdss）： 40 V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 160mA（Tj）驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）： 4.5V，10V 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 6 欧姆 500mA，10V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 2V 1mA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： - Vgs（最大值）： ±20V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 60 pF 25 V FET 功能： - 功率耗散（最大值）： 360mW（Ta）工作温度： -55°C # 150°C 安装类型：表面贴装型供应商器件封装： TO-236AB（SOT23）封装/外壳： TO-236-3，SC-59，SOT-23-3 温度： -55°C # 150°C

艾睿

图片	品牌型号	描述	价格（含税）	库存	关键参数
	TP2104K1-G 授权代理品牌	Trans MOSFET P-CH Si 40V 0.16A 3-Pin SOT-23 T/R 下载数据手册未分类	+1：￥11.021136 +10：￥10.911195 +25：￥8.359729 +100：￥8.078453 +250：￥7.006181	库存： 0 货期：7~10 天联系客服	暂无参数

TP2104K1-G参数规格

属性	参数值
品牌:	Microchip Technology
包装:	剪切带（CT）,卷带（TR）
封装/外壳:	*
系列:
零件状态:	在售
FET 类型:	P 通道
技术:	MOSFET（金属氧化物）
漏源电压（Vdss）:	40 V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):	160mA（Tj）
驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:	4.5V，10V
不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:	6 欧姆 500mA，10V
不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:	2V 1mA
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）:	-
Vgs（最大值）:	±20V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:	60 pF 25 V
FET 功能:	-
功率耗散（最大值）:	360mW（Ta）
工作温度:	-55°C # 150°C
安装类型:	表面贴装型
供应商器件封装:	TO-236AB（SOT23）
封装/外壳:	TO-236-3，SC-59，SOT-23-3
温度:	-55°C # 150°C