晶体管类型： NPN

集射极击穿电压(Vceo)： -

集电极电流(Ic)： 1A

功率(Pd)： 2W

集电极截止电流(Icbo)： -

集电极-发射极饱和电压(VCE(sat)@Ic,Ib)： 240mV@750mA,150mA

直流电流增益(hFE@Ic,Vce)： 15.5@750mA,5V

特征频率(fT)： -

工作温度： +150℃@(Tj)

品牌： WeEn Semiconductors

包装： 带盒（TB）

封装/外壳： *

系列：

零件状态： 在售

晶体管类型： NPN

电流 - 集电极 (Ic)（最大值）： 1 A

电压 - 集射极击穿（最大值）： 700 V

不同 Ib、Ic 时 Vce 饱和压降（最大值）： 1V 150mA，750mA

电流 - 集电极截止（最大值）： 100µA

不同 Ic、Vce 时 DC 电流增益 (hFE)（最小值）： 14 100mA，5V

功率 - 最大值： 2 W

频率 - 跃迁： -

工作温度： 150°C

安装类型： 通孔

封装/外壳： TO-226-3，TO-92-3（TO-226AA）（成形引线）

供应商器件封装： TO-92-3

温度： 150°C

品牌： WeEn Semiconductors

包装： 带盒（TB）

封装/外壳： *

系列：

零件状态： 在售

晶体管类型： NPN

电流 - 集电极 (Ic)（最大值）： 1 A

电压 - 集射极击穿（最大值）： 700 V

不同 Ib、Ic 时 Vce 饱和压降（最大值）： 1V 150mA，750mA

电流 - 集电极截止（最大值）： 100µA

不同 Ic、Vce 时 DC 电流增益 (hFE)（最小值）： 14 100mA，5V

功率 - 最大值： 2 W

频率 - 跃迁： -

工作温度： 150°C

安装类型： 通孔

封装/外壳： TO-226-3，TO-92-3（TO-226AA）（成形引线）

供应商器件封装： TO-92-3

温度： 150°C