类型： NPN

集射极击穿电压(Vceo)： 100V

集电极电流(Ic)： 5A

功率(Pd)： 65W

集电极截止电流(Icbo@Vcb)： 200uA@100V

集电极-发射极饱和电压((VCE(sat)@Ic,Ib)： 4V@5A,20mA

直流电流增益(hFE@Vce,Ic)： 1000@3V,3A

工作温度： -65℃~+150℃@(Tj)

品牌： onsemi

包装： 管件

封装/外壳： *

系列：

零件状态： 停产

晶体管类型： NPN - 达林顿

电流 - 集电极 (Ic)（最大值）： 5 A

电压 - 集射极击穿（最大值）： 100 V

不同 Ib、Ic 时 Vce 饱和压降（最大值）： 4V 20mA，5A

电流 - 集电极截止（最大值）： 500µA

不同 Ic、Vce 时 DC 电流增益 (hFE)（最小值）： 1000 3A，3V

功率 - 最大值： 2 W

频率 - 跃迁： -

工作温度： -65°C # 150°C（TJ）

安装类型： 通孔

封装/外壳： TO-220-3

供应商器件封装： TO-220

温度： -65°C # 150°C（TJ）

品牌： STMicroelectronics

包装： 管件

封装/外壳： *

系列：

零件状态： 在售

晶体管类型： NPN - 达林顿

电流 - 集电极 (Ic)（最大值）： 5 A

电压 - 集射极击穿（最大值）： 100 V

不同 Ib、Ic 时 Vce 饱和压降（最大值）： 4V 20mA，5A

电流 - 集电极截止（最大值）： 500µA

不同 Ic、Vce 时 DC 电流增益 (hFE)（最小值）： 1000 3A，3V

功率 - 最大值： 2 W

频率 - 跃迁： -

工作温度： 150°C（TJ）

安装类型： 通孔

封装/外壳： TO-220-3

供应商器件封装： TO-220

温度： 150°C（TJ）