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Digi-Key
图片品牌型号描述价格(含税)库存关键参数
TPCP8901(TE85L,F,M_双极晶体管预偏置
授权代理品牌

X35 PB-F POWER MOSFET TRANSISTOR

双极晶体管预偏置

+3000:

¥2.613203

库存: 0

货期:7~10 天

品牌: Toshiba Semiconductor and Storage

包装: 卷带(TR)

封装/外壳: *

系列:

零件状态: 停产

晶体管类型: NPN,PNP

电流 - 集电极 (Ic)(最大值): 1A,800mA

电压 - 集射极击穿(最大值): 50V

不同 Ib、Ic 时 Vce 饱和压降(最大值): 170mV 6mA, 300mA, 200mV 10mA, 300mA

电流 - 集电极截止(最大值): 100nA(ICBO)

不同 Ic、Vce 时 DC 电流增益 (hFE)(最小值): 400 100mA,2V / 200 100mA,2V

功率 - 最大值: 1.48W

频率 - 跃迁: -

工作温度: 150°C(TJ)

安装类型: 表面贴装型

封装/外壳: 8-SMD,扁平引线

供应商器件封装: PS-8

温度: 150°C(TJ)

Mouser
图片品牌型号描述价格(含税)库存关键参数
TPCP8901(TE85L,F,M_晶体管
TPCP8901(TE85L,F,M
授权代理品牌

X35 PB-F POWER MOSFET TRANSISTOR

晶体管

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库存: 0

货期:7~10 天

品牌: Toshiba Semiconductor and Storage

包装: 卷带(TR)

封装/外壳: *

系列:

零件状态: 停产

晶体管类型: NPN,PNP

电流 - 集电极 (Ic)(最大值): 1A,800mA

电压 - 集射极击穿(最大值): 50V

不同 Ib、Ic 时 Vce 饱和压降(最大值): 170mV 6mA, 300mA, 200mV 10mA, 300mA

电流 - 集电极截止(最大值): 100nA(ICBO)

不同 Ic、Vce 时 DC 电流增益 (hFE)(最小值): 400 100mA,2V / 200 100mA,2V

功率 - 最大值: 1.48W

频率 - 跃迁: -

工作温度: 150°C(TJ)

安装类型: 表面贴装型

封装/外壳: 8-SMD,扁平引线

供应商器件封装: PS-8

温度: 150°C(TJ)

TPCP8901(TE85L,F,M参数规格

属性 参数值
品牌: Toshiba Semiconductor and Storage
包装: 卷带(TR)
封装/外壳: *
系列:
零件状态: 停产
晶体管类型: NPN,PNP
电流 - 集电极 (Ic)(最大值): 1A,800mA
电压 - 集射极击穿(最大值): 50V
不同 Ib、Ic 时 Vce 饱和压降(最大值): 170mV 6mA, 300mA, 200mV 10mA, 300mA
电流 - 集电极截止(最大值): 100nA(ICBO)
不同 Ic、Vce 时 DC 电流增益 (hFE)(最小值): 400 100mA,2V / 200 100mA,2V
功率 - 最大值: 1.48W
频率 - 跃迁: -
工作温度: 150°C(TJ)
安装类型: 表面贴装型
封装/外壳: 8-SMD,扁平引线
供应商器件封装: PS-8
温度: 150°C(TJ)