 | | TRANS NPN 60V 3A TO-220 双极性晶体管 | | | 品牌: STMicroelectronics 包装: 管件 封装/外壳: * 系列: 零件状态: 在售 晶体管类型: NPN 电流 - 集电极 (Ic)(最大值): 3 A 电压 - 集射极击穿(最大值): 60 V 不同 Ib、Ic 时 Vce 饱和压降(最大值): 1.2V 375mA,3A 电流 - 集电极截止(最大值): 300µA 不同 Ic、Vce 时 DC 电流增益 (hFE)(最小值): 10 3A,4V 功率 - 最大值: 2 W 频率 - 跃迁: - 工作温度: 150°C(TJ) 安装类型: 通孔 封装/外壳: TO-220-3 供应商器件封装: TO-220 温度: 150°C(TJ) |
 | | TRANS NPN 60V 3A TO-220 双极性晶体管 | | | 品牌: onsemi 包装: 管件,散装 封装/外壳: * 系列: 零件状态: 停产 晶体管类型: NPN 电流 - 集电极 (Ic)(最大值): 3 A 电压 - 集射极击穿(最大值): 60 V 不同 Ib、Ic 时 Vce 饱和压降(最大值): 1.2V 375mA,3A 电流 - 集电极截止(最大值): 300µA 不同 Ic、Vce 时 DC 电流增益 (hFE)(最小值): 10 3A,4V 功率 - 最大值: 2 W 频率 - 跃迁: 3MHz 工作温度: 150°C(TJ) 安装类型: 通孔 封装/外壳: TO-220-3 供应商器件封装: TO-220-3 温度: 150°C(TJ) |
 | TIP31A | POWER BIPOLAR TRANSISTOR 双极性晶体管 | | | 品牌: onsemi 包装: 管件,散装 封装/外壳: * 系列: 零件状态: 停产 晶体管类型: NPN 电流 - 集电极 (Ic)(最大值): 3 A 电压 - 集射极击穿(最大值): 60 V 不同 Ib、Ic 时 Vce 饱和压降(最大值): 1.2V 375mA,3A 电流 - 集电极截止(最大值): 300µA 不同 Ic、Vce 时 DC 电流增益 (hFE)(最小值): 10 3A,4V 功率 - 最大值: 2 W 频率 - 跃迁: 3MHz 工作温度: 150°C(TJ) 安装类型: 通孔 封装/外壳: TO-220-3 供应商器件封装: TO-220-3 温度: 150°C(TJ) |
 | | | | | 品牌: NTE Electronics, Inc 包装: Bag 封装/外壳: * 系列: 零件状态: Active 晶体管类型: NPN 电流 - 集电极 (Ic)(最大值): 3 A 电压 - 集射极击穿(最大值): 60 V 不同 Ib、Ic 时 Vce 饱和压降(最大值): 1.2V 375mA, 3A 电流 - 集电极截止(最大值): 300µA 不同 Ic、Vce 时 DC 电流增益 (hFE)(最小值): 10 3A, 4V 功率 - 最大值: 2 W 频率 - 跃迁: - 工作温度: 150°C (TJ) 安装类型: Through Hole 封装/外壳: TO-220-3 供应商器件封装: TO-220 温度: 150°C (TJ) |
![TIP31A_未分类]() | TIP31A | TO 220 1.0 AMP SILICON TRANSISTO 未分类 | | | Packaging: Bulk Package / Case: TO-220-3 Mounting Type: Through Hole Transistor Type: NPN Operating Temperature: -65°C # 150°C (TJ) Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 1.2V @ 375mA, 3A Current - Collector Cutoff (Max): 300µA DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 25 @ 1A, 4V Frequency - Transition: 3MHz Supplier Device Package: TO-220 Part Status: Active Current - Collector (Ic) (Max): 3 A Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 60 V Power - Max: 40 W |