 | | TRANS PNP 100V 3A TO220AB 双极性晶体管 | | | 系列: - 工作温度: -65°C # 150°C (TJ) 安装类型: Through Hole 封装/外壳: TO-220-3 供应商器件封装: TO-220AB |
 | | TRANS PNP 100V 3A TO-220 双极性晶体管 | | | 品牌: STMicroelectronics 包装: Tube 封装/外壳: * 系列: 零件状态: Active 晶体管类型: PNP 电流 - 集电极 (Ic)(最大值): 3 A 电压 - 集射极击穿(最大值): 100 V 不同 Ib、Ic 时 Vce 饱和压降(最大值): 1.2V 375mA, 3A 电流 - 集电极截止(最大值): 300µA 不同 Ic、Vce 时 DC 电流增益 (hFE)(最小值): 10 3A, 4V 功率 - 最大值: 2 W 频率 - 跃迁: - 工作温度: 150°C (TJ) 安装类型: Through Hole 封装/外壳: TO-220-3 供应商器件封装: TO-220 温度: 150°C (TJ) |
![TIP32C_null]() | TIP32C | 3A, 100V, PNP SILICON TRANSISTOR | | | 品牌: Harris Corporation 包装: Tube 封装/外壳: * 系列: 零件状态: Obsolete 晶体管类型: PNP 电流 - 集电极 (Ic)(最大值): 3 A 电压 - 集射极击穿(最大值): 100 V 不同 Ib、Ic 时 Vce 饱和压降(最大值): 1.2V 375mA, 3A 电流 - 集电极截止(最大值): 300µA 不同 Ic、Vce 时 DC 电流增益 (hFE)(最小值): 10 3A, 4V 功率 - 最大值: 2 W 频率 - 跃迁: 3MHz 工作温度: -65°C ~ 150°C (TJ) 安装类型: Through Hole 封装/外壳: TO-220-3 供应商器件封装: TO-220-3 温度: -65°C ~ 150°C (TJ) |
 | TIP32C | 3A, 100V, PNP SILICON TRANSISTOR 双极性晶体管 | | | 系列: - 工作温度: -65°C # 150°C (TJ) 安装类型: Through Hole 封装/外壳: TO-220-3 供应商器件封装: TO-220AB |
 | | | | | 品牌: NTE Electronics, Inc 包装: Bag 封装/外壳: * 系列: 零件状态: Active 晶体管类型: PNP 电流 - 集电极 (Ic)(最大值): 3 A 电压 - 集射极击穿(最大值): 100 V 不同 Ib、Ic 时 Vce 饱和压降(最大值): 1.2V 375mA, 3A 电流 - 集电极截止(最大值): 300µA 不同 Ic、Vce 时 DC 电流增益 (hFE)(最小值): 10 3A, 4V 功率 - 最大值: 2 W 频率 - 跃迁: 3MHz 工作温度: -65°C # 150°C (TJ) 安装类型: Through Hole 封装/外壳: TO-220-3 供应商器件封装: TO-220 温度: -65°C # 150°C (TJ) |
![TIP32C_null]() | TIP32C | TO 220 1.0 AMP SILICON TRANSISTO | | | 品牌: Solid State Inc. 包装: Bulk 封装/外壳: * 系列: 零件状态: Active 晶体管类型: PNP 电流 - 集电极 (Ic)(最大值): 3 A 电压 - 集射极击穿(最大值): 100 V 不同 Ib、Ic 时 Vce 饱和压降(最大值): 1.2V 375mA, 3A 电流 - 集电极截止(最大值): 300µA 不同 Ic、Vce 时 DC 电流增益 (hFE)(最小值): 25 1A, 4V 功率 - 最大值: 40 W 频率 - 跃迁: 3MHz 工作温度: -65°C # 150°C (TJ) 安装类型: Through Hole 封装/外壳: TO-220-3 供应商器件封装: TO-220 温度: -65°C # 150°C (TJ) |