品牌： Taiwan Semiconductor Corporation

包装： 管件

封装/外壳： *

系列：

零件状态： 停产

晶体管类型： NPN

电流 - 集电极 (Ic)（最大值）： 3 A

电压 - 集射极击穿（最大值）： 400 V

不同 Ib、Ic 时 Vce 饱和压降（最大值）： 1V 200mA，1A

电流 - 集电极截止（最大值）： 10µA

不同 Ic、Vce 时 DC 电流增益 (hFE)（最小值）： 24 425mA，2V

功率 - 最大值： -

频率 - 跃迁： -

工作温度： 150°C（TJ）

安装类型： 通孔

封装/外壳： TO-225AA，TO-126-3

供应商器件封装： TO-126

温度： 150°C（TJ）

品牌： Taiwan Semiconductor Corporation

包装： 管件

封装/外壳： *

系列：

零件状态： 停产

晶体管类型： NPN

电流 - 集电极 (Ic)（最大值）： 3 A

电压 - 集射极击穿（最大值）： 400 V

不同 Ib、Ic 时 Vce 饱和压降（最大值）： 1V 200mA，1A

电流 - 集电极截止（最大值）： 10µA

不同 Ic、Vce 时 DC 电流增益 (hFE)（最小值）： 24 425mA，2V

功率 - 最大值： -

频率 - 跃迁： -

工作温度： 150°C（TJ）

安装类型： 通孔

封装/外壳： TO-225AA，TO-126-3

供应商器件封装： TO-126

温度： 150°C（TJ）

品牌： Taiwan Semiconductor Corporation

包装： 管件

封装/外壳： *

系列：

零件状态： 停产

晶体管类型： NPN

电流 - 集电极 (Ic)（最大值）： 3 A

电压 - 集射极击穿（最大值）： 400 V

不同 Ib、Ic 时 Vce 饱和压降（最大值）： 1V 200mA，1A

电流 - 集电极截止（最大值）： 10µA

不同 Ic、Vce 时 DC 电流增益 (hFE)（最小值）： 24 425mA，2V

功率 - 最大值： -

频率 - 跃迁： -

工作温度： 150°C（TJ）

安装类型： 通孔

封装/外壳： TO-225AA，TO-126-3

供应商器件封装： TO-126

温度： 150°C（TJ）