Packaging： Bulk

Package / Case： TO-220-3

Mounting Type： Through Hole

Transistor Type： PNP

Operating Temperature： -65°C # 150°C (TJ)

Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic： 700mV @ 125mA, 1A

Current - Collector Cutoff (Max)： 300µA

DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce： 40 @ 200mA, 4V

Frequency - Transition： 3MHz

Supplier Device Package： TO-220

Part Status： Active

Current - Collector (Ic) (Max)： 1 A

Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max)： 60 V

Power - Max： 30 W

品牌： STMicroelectronics

包装： 管件

封装/外壳： *

系列：

零件状态： 停产

晶体管类型： PNP

电流 - 集电极 (Ic)（最大值）： 1 A

电压 - 集射极击穿（最大值）： 60 V

不同 Ib、Ic 时 Vce 饱和压降（最大值）： 700mV 125mA，1A

电流 - 集电极截止（最大值）： 300µA

不同 Ic、Vce 时 DC 电流增益 (hFE)（最小值）： 15 1A，4V

功率 - 最大值： 2 W

频率 - 跃迁： -

工作温度： 150°C（TJ）

安装类型： 通孔

封装/外壳： TO-220-3

供应商器件封装： TO-220

温度： 150°C（TJ）

品牌： STMicroelectronics

包装： 管件

封装/外壳： *

系列：

零件状态： 停产

晶体管类型： PNP

电流 - 集电极 (Ic)（最大值）： 1 A

电压 - 集射极击穿（最大值）： 60 V

不同 Ib、Ic 时 Vce 饱和压降（最大值）： 700mV 125mA，1A

电流 - 集电极截止（最大值）： 300µA

不同 Ic、Vce 时 DC 电流增益 (hFE)（最小值）： 15 1A，4V

功率 - 最大值： 2 W

频率 - 跃迁： -

工作温度： 150°C（TJ）

安装类型： 通孔

封装/外壳： TO-220-3

供应商器件封装： TO-220

温度： 150°C（TJ）

Packaging： Bulk

Package / Case： TO-220-3

Mounting Type： Through Hole

Transistor Type： PNP

Operating Temperature： -65°C # 150°C (TJ)

Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic： 700mV @ 125mA, 1A

Current - Collector Cutoff (Max)： 300µA

DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce： 40 @ 200mA, 4V

Frequency - Transition： 3MHz

Supplier Device Package： TO-220

Part Status： Active

Current - Collector (Ic) (Max)： 1 A

Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max)： 60 V

Power - Max： 30 W