TK40P03M1(T6RSS-Q)厂家价格_数据手册

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	TK40P03M1(T6RSS-Q) Toshiba(东芝) 授权代理品牌	MOSFET N-CH 30V 40A 3DP 2-7K1A 下载数据手册晶体管-FET，MOSFET-单个	1+: 需询价	库存： 1000 + 国内：1~2 天立即购买	品牌： Toshiba Semiconductor and Storage 包装：卷带（TR）封装/外壳： * 系列： U-MOSVI-H 零件状态：最后售卖 FET 类型： N 通道技术： MOSFET（金属氧化物）漏源电压（Vdss）： 30 V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 40A（Ta）驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）： 4.5V，10V 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 10.8 毫欧 20A，10V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 2.3V 100µA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 17.5 nC 10 V Vgs（最大值）： ±20V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 1150 pF 10 V FET 功能： - 功率耗散（最大值）： - 工作温度： - 安装类型：表面贴装型供应商器件封装： D-Pak 封装/外壳： TO-252-3，DPak（2 引线 + 接片），SC-63 温度： -

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	TK40P03M1(T6RSS-Q) Toshiba(东芝) 授权代理品牌	MOSFET N-CH 30V 40A 3DP 2-7K1A 下载数据手册晶体管-FET，MOSFET-单个	1+: 需询价	库存： 0 货期：7~10 天联系客服	品牌： Toshiba Semiconductor and Storage 包装：卷带（TR）封装/外壳： * 系列： U-MOSVI-H 零件状态：最后售卖 FET 类型： N 通道技术： MOSFET（金属氧化物）漏源电压（Vdss）： 30 V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 40A（Ta）驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）： 4.5V，10V 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 10.8 毫欧 20A，10V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 2.3V 100µA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 17.5 nC 10 V Vgs（最大值）： ±20V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 1150 pF 10 V FET 功能： - 功率耗散（最大值）： - 工作温度： - 安装类型：表面贴装型供应商器件封装： D-Pak 封装/外壳： TO-252-3，DPak（2 引线 + 接片），SC-63 温度： -

Mouser

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	TK40P03M1(T6RSS-Q) Toshiba(东芝) 授权代理品牌	MOSFET N-CH 30V 40A 3DP 2-7K1A 下载数据手册晶体管	+：￥ +：￥ +：￥ +：￥ +：￥	库存： 0 货期：7~10 天联系客服	品牌： Toshiba Semiconductor and Storage 包装：卷带（TR）封装/外壳： * 系列： U-MOSVI-H 零件状态：最后售卖 FET 类型： N 通道技术： MOSFET（金属氧化物）漏源电压（Vdss）： 30 V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 40A（Ta）驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）： 4.5V，10V 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 10.8 毫欧 20A，10V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 2.3V 100µA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 17.5 nC 10 V Vgs（最大值）： ±20V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 1150 pF 10 V FET 功能： - 功率耗散（最大值）： - 工作温度： - 安装类型：表面贴装型供应商器件封装： D-Pak 封装/外壳： TO-252-3，DPak（2 引线 + 接片），SC-63 温度： -

TK40P03M1(T6RSS-Q)参数规格

属性	参数值
品牌:	Toshiba Semiconductor and Storage
包装:	卷带（TR）
封装/外壳:	*
系列:	U-MOSVI-H
零件状态:	最后售卖
FET 类型:	N 通道
技术:	MOSFET（金属氧化物）
漏源电压（Vdss）:	30 V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):	40A（Ta）
驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:	4.5V，10V
不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:	10.8 毫欧 20A，10V
不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:	2.3V 100µA
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）:	17.5 nC 10 V
Vgs（最大值）:	±20V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:	1150 pF 10 V
FET 功能:	-
功率耗散（最大值）:	-
工作温度:	-
安装类型:	表面贴装型
供应商器件封装:	D-Pak
封装/外壳:	TO-252-3，DPak（2 引线 + 接片），SC-63
温度:	-