TK4A50D(STA4,Q,M)厂家价格_数据手册

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图片	品牌型号	描述	价格（含税）	库存	关键参数
	TK4A50D(STA4,Q,M) Toshiba(东芝) 授权代理品牌	MOSFET N-CH 500V 4A TO-220SIS 下载数据手册晶体管-FET，MOSFET-单个	+1：￥5.293015 +10：￥4.651096 +100：￥3.563775 +500：￥2.817236 +1000：￥2.253811	库存： 1000 + 国内：1~2 天立即购买	品牌： Toshiba Semiconductor and Storage 包装：管件封装/外壳： * 系列： π-MOSVII 零件状态：在售 FET 类型： N 通道技术： MOSFET（金属氧化物）漏源电压（Vdss）： 500 V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 4A（Ta）驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）： 10V 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 2 欧姆 2A，10V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 4.4V 1mA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 9 nC 10 V Vgs（最大值）： ±30V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 380 pF 25 V FET 功能： - 功率耗散（最大值）： 30W（Tc）工作温度： 150°C（TJ）安装类型：通孔供应商器件封装： TO-220SIS 封装/外壳： TO-220-3 整包温度： 150°C（TJ）

Digi-Key

图片	品牌型号	描述	价格（含税）	库存	关键参数
	TK4A50D(STA4,Q,M) Toshiba(东芝) 授权代理品牌	MOSFET N-CH 500V 4A TO-220SIS 下载数据手册晶体管-FET，MOSFET-单个	+1：￥12.948116 +10：￥11.377813 +100：￥8.717939 +500：￥6.891704 +1000：￥5.513418	库存： 0 货期：7~10 天联系客服	品牌： Toshiba Semiconductor and Storage 包装：管件封装/外壳： * 系列： π-MOSVII 零件状态：在售 FET 类型： N 通道技术： MOSFET（金属氧化物）漏源电压（Vdss）： 500 V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 4A（Ta）驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）： 10V 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 2 欧姆 2A，10V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 4.4V 1mA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 9 nC 10 V Vgs（最大值）： ±30V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 380 pF 25 V FET 功能： - 功率耗散（最大值）： 30W（Tc）工作温度： 150°C（TJ）安装类型：通孔供应商器件封装： TO-220SIS 封装/外壳： TO-220-3 整包温度： 150°C（TJ）

Mouser

图片	品牌型号	描述	价格（含税）	库存	关键参数
	TK4A50D(STA4,Q,M) Toshiba(东芝) 授权代理品牌	MOSFET N-CH 500V 4A TO-220SIS 下载数据手册晶体管	+1：￥15.149082 +10：￥13.601595 +100：￥10.425174 +500：￥8.063221 +1000：￥5.847872	库存： 0 货期：7~10 天联系客服	品牌： Toshiba Semiconductor and Storage 包装：管件封装/外壳： * 系列： π-MOSVII 零件状态：在售 FET 类型： N 通道技术： MOSFET（金属氧化物）漏源电压（Vdss）： 500 V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 4A（Ta）驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）： 10V 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 2 欧姆 2A，10V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 4.4V 1mA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 9 nC 10 V Vgs（最大值）： ±30V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 380 pF 25 V FET 功能： - 功率耗散（最大值）： 30W（Tc）工作温度： 150°C（TJ）安装类型：通孔供应商器件封装： TO-220SIS 封装/外壳： TO-220-3 整包温度： 150°C（TJ）

艾睿

图片	品牌型号	描述	价格（含税）	库存	关键参数
	TK4A50D(STA4,Q,M) 授权代理品牌	Trans MOSFET N-CH Si 500V 4A 3-Pin(3+Tab) TO-220SIS 下载数据手册未分类	+50：￥7.48391 +100：￥7.408218 +250：￥7.333903 +500：￥7.260964 +1000：￥7.188023	库存： 0 货期：7~10 天联系客服	暂无参数

TK4A50D(STA4,Q,M)参数规格

属性	参数值
品牌:	Toshiba Semiconductor and Storage
包装:	管件
封装/外壳:	*
系列:	π-MOSVII
零件状态:	在售
FET 类型:	N 通道
技术:	MOSFET（金属氧化物）
漏源电压（Vdss）:	500 V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):	4A（Ta）
驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:	10V
不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:	2 欧姆 2A，10V
不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:	4.4V 1mA
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）:	9 nC 10 V
Vgs（最大值）:	±30V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:	380 pF 25 V
FET 功能:	-
功率耗散（最大值）:	30W（Tc）
工作温度:	150°C（TJ）
安装类型:	通孔
供应商器件封装:	TO-220SIS
封装/外壳:	TO-220-3 整包
温度:	150°C（TJ）