品牌： Rohm Semiconductor

包装： 卷带（TR）

封装/外壳： *

系列：

零件状态： 停产

FET 类型： 2 个 P 沟道（双）

FET 功能： 标准

漏源电压（Vdss）： 12V

25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 2.5A

不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 61 毫欧 2.5A，4.5V

不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 1V 1mA

不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 13nC 4.5V

不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 1350pF 6V

功率 - 最大值： 1.25W

工作温度： 150°C（TJ）

安装类型： 表面贴装型

封装/外壳： 8-SMD，扁平引线

供应商器件封装： 8-TSST

温度： 150°C（TJ）