TK4A60DA(STA4,Q,M)厂家价格_数据手册

搜索 TK4A60DA(STA4,Q,M) 共 5 条相关记录

图片	品牌型号	描述	价格（含税）	库存	关键参数
	TK4A60DA(STA4,Q,M) Toshiba(东芝) 授权代理品牌	MOSFET N-CH 600V 3.5A TO220SIS 下载数据手册晶体管-FET，MOSFET-单个	+10：￥7.839953 +200：￥5.301857 +800：￥3.891844 +2500：￥2.820147 +5000：￥2.679182	库存： 1000 + 国内：1~2 天立即购买	品牌： Toshiba Semiconductor and Storage 包装：管件封装/外壳： * 系列： π-MOSVII 零件状态：最后售卖 FET 类型： N 通道技术： MOSFET（金属氧化物）漏源电压（Vdss）： 600 V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 3.5A（Ta）驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）： 10V 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 2.2 欧姆 1.8A，10V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 4.4V 1mA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 11 nC 10 V Vgs（最大值）： ±30V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 490 pF 25 V FET 功能： - 功率耗散（最大值）： - 工作温度： 150°C（TJ）安装类型：通孔供应商器件封装： TO-220SIS 封装/外壳： TO-220-3 整包温度： 150°C（TJ）

自营国内现货

图片	品牌型号	描述	价格（含税）	库存	关键参数
	TK4A60DA(STA4,Q,M) Toshiba(东芝) 授权代理品牌	MOSFET N-CH 600V 3.5A TO220SIS 下载数据手册晶体管-FET，MOSFET-单个	1+: 需询价	库存： 1000 + 国内：1~2 天立即购买	品牌： Toshiba Semiconductor and Storage 包装：管件封装/外壳： * 系列： π-MOSVII 零件状态：最后售卖 FET 类型： N 通道技术： MOSFET（金属氧化物）漏源电压（Vdss）： 600 V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 3.5A（Ta）驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）： 10V 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 2.2 欧姆 1.8A，10V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 4.4V 1mA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 11 nC 10 V Vgs（最大值）： ±30V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 490 pF 25 V FET 功能： - 功率耗散（最大值）： - 工作温度： 150°C（TJ）安装类型：通孔供应商器件封装： TO-220SIS 封装/外壳： TO-220-3 整包温度： 150°C（TJ）

Digi-Key

图片	品牌型号	描述	价格（含税）	库存	关键参数
	TK4A60DA(STA4,Q,M) Toshiba(东芝) 授权代理品牌	MOSFET N-CH 600V 3.5A TO220SIS 下载数据手册晶体管-FET，MOSFET-单个	1+: 需询价	库存： 0 货期：7~10 天联系客服	品牌： Toshiba Semiconductor and Storage 包装：管件封装/外壳： * 系列： π-MOSVII 零件状态：最后售卖 FET 类型： N 通道技术： MOSFET（金属氧化物）漏源电压（Vdss）： 600 V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 3.5A（Ta）驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）： 10V 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 2.2 欧姆 1.8A，10V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 4.4V 1mA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 11 nC 10 V Vgs（最大值）： ±30V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 490 pF 25 V FET 功能： - 功率耗散（最大值）： - 工作温度： 150°C（TJ）安装类型：通孔供应商器件封装： TO-220SIS 封装/外壳： TO-220-3 整包温度： 150°C（TJ）

Mouser

图片	品牌型号	描述	价格（含税）	库存	关键参数
	TK4A60DA(STA4,Q,M) Toshiba(东芝) 授权代理品牌	MOSFET N-CH 600V 3.5A TO220SIS 下载数据手册晶体管	+1：￥13.719602 +10：￥11.220676 +100：￥8.721748 +500：￥7.382454 +1000：￥6.026827	库存： 0 货期：7~10 天联系客服	品牌： Toshiba Semiconductor and Storage 包装：管件封装/外壳： * 系列： π-MOSVII 零件状态：最后售卖 FET 类型： N 通道技术： MOSFET（金属氧化物）漏源电压（Vdss）： 600 V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 3.5A（Ta）驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）： 10V 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 2.2 欧姆 1.8A，10V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 4.4V 1mA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 11 nC 10 V Vgs（最大值）： ±30V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 490 pF 25 V FET 功能： - 功率耗散（最大值）： - 工作温度： 150°C（TJ）安装类型：通孔供应商器件封装： TO-220SIS 封装/外壳： TO-220-3 整包温度： 150°C（TJ）

图片	品牌型号	描述	价格（含税）	库存	关键参数
	TK4A60DA(STA4,Q,M) TOSHIBA(东芝) 授权代理品牌	Days to ship 3 下载数据手册未分类	+5：￥2.798114 +10：￥2.721973	库存： 0 货期：7~10 天联系客服	暂无参数

TK4A60DA(STA4,Q,M)参数规格

属性	参数值
品牌:	Toshiba Semiconductor and Storage
包装:	管件
封装/外壳:	*
系列:	π-MOSVII
零件状态:	最后售卖
FET 类型:	N 通道
技术:	MOSFET（金属氧化物）
漏源电压（Vdss）:	600 V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):	3.5A（Ta）
驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:	10V
不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:	2.2 欧姆 1.8A，10V
不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:	4.4V 1mA
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）:	11 nC 10 V
Vgs（最大值）:	±30V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:	490 pF 25 V
FET 功能:	-
功率耗散（最大值）:	-
工作温度:	150°C（TJ）
安装类型:	通孔
供应商器件封装:	TO-220SIS
封装/外壳:	TO-220-3 整包
温度:	150°C（TJ）