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	TK46E08N1,S1X Toshiba(东芝) 授权代理品牌	MOSFET N-CH 80V 80A TO-220 下载数据手册晶体管-FET，MOSFET-单个	1+: 需询价	库存： 1000 + 国内：1~2 天立即购买	品牌： Toshiba Semiconductor and Storage 包装：管件封装/外壳： * 系列： U-MOSVIII-H 零件状态：在售 FET 类型： N 通道技术： MOSFET（金属氧化物）漏源电压（Vdss）： 80 V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 80A（Tc）驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）： 10V 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 8.4 毫欧 23A，10V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 4V 500µA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 37 nC 10 V Vgs（最大值）： ±20V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 2500 pF 40 V FET 功能： - 功率耗散（最大值）： 103W（Tc）工作温度： 150°C（TJ）安装类型：通孔供应商器件封装： TO-220 封装/外壳： TO-220-3 温度： 150°C（TJ）

自营国内现货

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	TK46E08N1,S1X Toshiba(东芝) 授权代理品牌	MOSFET N-CH 80V 80A TO-220 下载数据手册晶体管-FET，MOSFET-单个	+150：￥3.952872	库存： 1000 + 国内：1~2 天立即购买	品牌： Toshiba Semiconductor and Storage 包装：管件封装/外壳： * 系列： U-MOSVIII-H 零件状态：在售 FET 类型： N 通道技术： MOSFET（金属氧化物）漏源电压（Vdss）： 80 V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 80A（Tc）驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）： 10V 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 8.4 毫欧 23A，10V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 4V 500µA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 37 nC 10 V Vgs（最大值）： ±20V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 2500 pF 40 V FET 功能： - 功率耗散（最大值）： 103W（Tc）工作温度： 150°C（TJ）安装类型：通孔供应商器件封装： TO-220 封装/外壳： TO-220-3 温度： 150°C（TJ）

Digi-Key

图片	品牌型号	描述	价格（含税）	库存	关键参数
	TK46E08N1,S1X Toshiba(东芝) 授权代理品牌	MOSFET N-CH 80V 80A TO-220 下载数据手册晶体管-FET，MOSFET-单个	+150：￥9.669773	库存： 0 货期：7~10 天联系客服	品牌： Toshiba Semiconductor and Storage 包装：管件封装/外壳： * 系列： U-MOSVIII-H 零件状态：在售 FET 类型： N 通道技术： MOSFET（金属氧化物）漏源电压（Vdss）： 80 V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 80A（Tc）驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）： 10V 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 8.4 毫欧 23A，10V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 4V 500µA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 37 nC 10 V Vgs（最大值）： ±20V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 2500 pF 40 V FET 功能： - 功率耗散（最大值）： 103W（Tc）工作温度： 150°C（TJ）安装类型：通孔供应商器件封装： TO-220 封装/外壳： TO-220-3 温度： 150°C（TJ）

Mouser

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	TK46E08N1,S1X Toshiba(东芝) 授权代理品牌	MOSFET N-CH 80V 80A TO-220 下载数据手册晶体管	+1：￥19.448192 +10：￥16.669879 +100：￥12.82927 +500：￥11.015194 +1000：￥8.269568	库存： 0 货期：7~10 天联系客服	品牌： Toshiba Semiconductor and Storage 包装：管件封装/外壳： * 系列： U-MOSVIII-H 零件状态：在售 FET 类型： N 通道技术： MOSFET（金属氧化物）漏源电压（Vdss）： 80 V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 80A（Tc）驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）： 10V 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 8.4 毫欧 23A，10V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 4V 500µA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 37 nC 10 V Vgs（最大值）： ±20V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 2500 pF 40 V FET 功能： - 功率耗散（最大值）： 103W（Tc）工作温度： 150°C（TJ）安装类型：通孔供应商器件封装： TO-220 封装/外壳： TO-220-3 温度： 150°C（TJ）

艾睿

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	TK46E08N1,S1X Toshiba 授权代理品牌	Trans MOSFET N-CH Si 80V 80A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Magazine 下载数据手册未分类	+50：￥10.968161 +100：￥10.8589 +250：￥10.74964 +500：￥10.643501 +1000：￥10.535802	库存： 0 货期：7~10 天联系客服	暂无参数

TK46E08N1,S1X参数规格

属性	参数值
品牌:	Toshiba Semiconductor and Storage
包装:	管件
封装/外壳:	*
系列:	U-MOSVIII-H
零件状态:	在售
FET 类型:	N 通道
技术:	MOSFET（金属氧化物）
漏源电压（Vdss）:	80 V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):	80A（Tc）
驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:	10V
不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:	8.4 毫欧 23A，10V
不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:	4V 500µA
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）:	37 nC 10 V
Vgs（最大值）:	±20V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:	2500 pF 40 V
FET 功能:	-
功率耗散（最大值）:	103W（Tc）
工作温度:	150°C（TJ）
安装类型:	通孔
供应商器件封装:	TO-220
封装/外壳:	TO-220-3
温度:	150°C（TJ）